半导体器件制造技术

本申请提供一种半导体器件，包括：金属集电极具有第一区域以及位于第一区域一侧的第二区域；P型集电部和N型漏区部同层设置于金属集电极上，P型集电部位于第一区域以及第二区域，N型漏区部位于第二区域；N型漂移部和超结N型漂移部同层设置于P型集电部和N型漏区部上，且分别位于第一区域以及第二区域；第一P型保护部设置于N型漂移部中；超结P型柱部以及第二P型保护部设置于超结N型漂移部中，第二P型保护部位于超结N型漂移部远离金属集电极的区域中；第一栅极结构和第一发射电极位于第一区域；第二栅极结构和第二发射电极位于第二区域；N型截止部设置于第一P型保护部与第二P型保护部之间，以避免器件中出现干扰。以避免器件中出现干扰。以避免器件中出现干扰。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件


[0001]本申请涉及半导体
，具体涉及一种半导体器件。

技术介绍

[0002]超结金属
‑
氧化物半导体场效应晶体管（Metal
‑
Oxide
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SemiconductorField
‑
Effect Transistor, MOSFET）是一种多子导电器件，具有开关速度快、开关损耗小以及频率特性好的优点。但是在较高压的状态下，电流的增大，通态损耗显著增大，导致超结MOSFET器件在重载情况下，驱动效率不如绝缘栅双极型晶体管 (Insulate Gate BipolarTransistor，IGBT)高。
[0003]绝缘栅双极型晶体管 (Insulate Gate BipolarTransistor，IGBT)是一种双极型导电器件，具有MOSFET输入阻抗高、控制功率小以及驱动电路简单的优点。但IGBT在轻载情况下，驱动效率不如超结MOSFET高。
[0004]目前，为了同时获得超结MOSFET芯片和IGBT芯片的优点，通常将超结MOSFE本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：金属集电极，具有第一区域以及位于所述第一区域一侧的第二区域；P型集电部和N型漏区部，同层设置于所述金属集电极上，所述P型集电部位于所述第一区域以及所述第二区域，所述N型漏区部位于所述第二区域；N型缓冲层，设置于所述P型集电部以及所述N型漏区部上；N型漂移部和超结N型漂移部，同层设置于所述N型缓冲层上，且所述N型漂移部位于所述第一区域，所述超结N型漂移部位于所述第二区域；第一P型保护部、第一P型部以及第一N型发射部，设置于所述N型漂移部中，所述第一P型保护部位于所述N型漂移部远离所述金属集电极的区域中；超结P型柱部、第二P型保护部以及第二N型发射部，设置于所述超结N型漂移部中，所述第二P型保护部位于所述超结N型漂移部远离所述金属集电极的区域中；第一栅极结构和第一发射电极，位于所述第一区域；第二栅极结构和第二发射电极，位于所述第二区域；以及N型截止部，设置于所述N型漂移部和所述超结N型漂移部中的至少一者，且位于所述第一P型保护部与第二P型保护部之间。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述N型截止部的厚度与所述N型漂移部或所述超结N型漂移部的厚度相同。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二P型保护部靠近所述N型漂移部的一端与所述P型集电部远离所述N型漂移部的一端重叠。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二P型保护部远离所述N型漂移部的一端到所述P型集电部远离所述N型漂移部的一端之间的距离为0
‑
5微米。5.根据权利要求1所述的半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：李伟聪，陈钱，陈银，
申请(专利权)人：深圳市威兆半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：