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本申请提供一种半导体器件，包括：金属集电极具有第一区域以及位于第一区域一侧的第二区域；P型集电部和N型漏区部同层设置于金属集电极上，P型集电部位于第一区域以及第二区域，N型漏区部位于第二区域；N型漂移部和超结N型漂移部同层设置于P型集电部和...
该专利属于深圳市威兆半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市威兆半导体股份有限公司授权不得商用。

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