太阳能电池及其制造方法技术

本发明专利技术的实施例提供一种太阳能电池及其制造方法。该太阳能电池包括：晶体硅衬底；第一介电层，位于所述晶体硅衬底的表面上且包含氧化铝；第二介电层，位于所述第一介电层的表面上；第三介电层，位于所述第二介电层的表面上，其中所述第一介电层和所述第二介电层的材料不同，所述第二介电层中嵌入氢，所述第三介电层包含禁带宽度大于3.5电子伏特的金属氧化物或宽禁带薄膜。该太阳能电池可以兼顾钝化效果以及能量转换效率，且具有减小的钝化材料厚度。度。度。

【技术实现步骤摘要】
太阳能电池及其制造方法
[0001]本申请是申请日为2021年12月7日且专利技术名称为“太阳能电池及其制造方法”的中国专利申请202111479725.X的分案申请。


[0002]本专利技术的实施例涉及一种太阳能电池及其制造方法。

技术介绍

[0003]对于晶体硅太阳能电池(以下简称太阳能电池)而言，由于晶体硅衬底的表面缺陷例如表面悬挂键等导致光生载流子在表面复合较重的问题一直是影响电池提高效率的一个重要方面。尤其是，随着太阳能电池商业化的发展，制造出更薄、更高效的太阳能电池成为发展趋势，然而硅衬底的表面复合会造成电池效率的损失。
[0004]在专利文献1(CN101952971A)中公开了一种用于制造硅太阳能电池的方法，包括以下步骤：提供硅衬底；通过原子层沉积(ALD)在硅衬底的表面上沉积第一介电层，其中所述第一介电层包括氧化铝(Al2O3)；以及在所述第一介电层的表面上沉积第二介电层，所述第一介电层和所述第二介电层的材料不同，且所述第二介电层中被嵌入氢。专利文献1认为，其第一介电层和第二介电层所形成的堆叠层的显著钝化效果和本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：晶体硅衬底(101)；第一介电层(102)，位于所述晶体硅衬底(101)的表面上且包含氧化铝；第二介电层(103)，位于所述第一介电层(102)的表面上；第三介电层(104)，位于所述第二介电层(103)的表面上；其中所述第一介电层(102)和所述第二介电层(103)的材料不同，所述第二介电层(103)中嵌入氢，所述第三介电层(104)包含禁带宽度大于3.5电子伏特的金属氧化物或宽禁带薄膜；所述禁带宽度大于3.5电子伏特的金属氧化物包括氧化铝、氧化锰、氧化钽、氧化镓中的至少一种。2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述禁带宽度大于3.5电子伏特的宽禁带薄膜包括钽酸锂(LiTaO3)。3.根据权利要求1
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2中任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述禁带宽度大于3.5电子伏特的金属氧化物为氧化铝，且所述第一介电层(102)和第三介电层(104)的内部微观结构相同或者不同。4.根据权利要求1
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3中任一项所述的太阳能电池，其特征在于，在晶体硅衬底(101)和第一介电层(102)之间还存在中间层。5.根据权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于，所述中间层为氧化硅层。6.一种太阳能电池的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：a)提供晶体硅衬底(101)；b)在晶体硅衬底(101)的表面上形成第一介电层(10...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋秀林，闫小刚，王金良，赵荣，
申请(专利权)人：北京晶澳太阳能光伏科技有限公司，
类型：发明
国别省市：