一种IBC太阳能电池制造技术

本申请提供一种IBC太阳能电池，包括：硅基体；隧穿氧化层，包括形成在硅基体正面的第一隧穿氧化层和形成在硅基体背面的第二隧穿氧化层；掺杂含硅膜层，设置在第二隧穿氧化层背向硅基体一侧；其中，第一隧穿氧化层中缺陷数量趋于零或缺陷数量为零，第二隧穿氧化层包含缺陷，缺陷为凹坑和/或针孔，针孔贯穿隧穿氧化层。本申请实施例中提供的IBC太阳能电池的电池效率得到进一步提升。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及太阳能电池，尤其涉及一种ibc太阳能电池。

技术介绍

1、近几年，太阳能电池成为新的研究热点。目前客户端组件商对高效电池需求持续强烈。高效电池结构中叉指背接触(interdigitated back contact，ibc)太阳能电池具有高转换效率、正面无遮挡、外观优美、组件封装简单多样化的优点，正逐渐成为太阳能电池研究开发的新热门电池结构。但是，人们仍然希望进一步提高ibc太阳能电池的效率。

2、因此，亟需一种新的ibc太阳能电池。

技术实现思路

1、本申请第一方面提供一种ibc太阳能电池，包括：

2、硅基体；

3、隧穿氧化层，包括形成在硅基体正面的第一隧穿氧化层和形成在硅基体背面的第二隧穿氧化层；

4、掺杂含硅膜层，设置在第二隧穿氧化层背向硅基体一侧；

5、其中，第一隧穿氧化层中缺陷数量趋于零或缺陷数量为零，第二隧穿氧化层包含缺陷，缺陷为凹坑和/或针孔，针孔贯穿隧穿氧化层。

6、在本申请一些可选的实施例中，第二隧穿氧化层中缺本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种IBC太阳能电池，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的IBC太阳能电池，其特征在于，所述第二隧穿氧化层中缺陷密度与所述第一隧穿氧化层中缺陷密度之间相差数量级X，X大于或等于7。

3.根据权利要求2所述的IBC太阳能电池，其特征在于，所述第二隧穿氧化层中缺陷密度与所述第一隧穿氧化层中缺陷密度之间相差数量级X，7≤X≤10；

4.根据权利要求1所述的IBC太阳能电池，其特征在于，所述第二隧穿氧化层中缺陷密度数量级Y，Y大于或等于7；

5.根据权利要求4所述的IBC太阳能电池，其特征在于，所述第二隧穿氧化层中缺陷密度为7.0×10...

【技术特征摘要】

1.一种ibc太阳能电池，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的ibc太阳能电池，其特征在于，所述第二隧穿氧化层中缺陷密度与所述第一隧穿氧化层中缺陷密度之间相差数量级x，x大于或等于7。

3.根据权利要求2所述的ibc太阳能电池，其特征在于，所述第二隧穿氧化层中缺陷密度与所述第一隧穿氧化层中缺陷密度之间相差数量级x，7≤x≤10；

4.根据权利要求1所述的ibc太阳能电池，其特征在于，所述第二隧穿氧化层中缺陷密度数量级y，y大于或等于7；

5.根据权利要求4所述的ibc太阳能电池，其特征在于，所述第二隧穿氧化层中缺陷密度为7.0×1...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹海鹏，闫小刚，赵荣，李辰宇，
申请(专利权)人：北京晶澳太阳能光伏科技有限公司，
类型：发明
国别省市：