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本申请提供一种IBC太阳能电池，包括：硅基体；隧穿氧化层，包括形成在硅基体正面的第一隧穿氧化层和形成在硅基体背面的第二隧穿氧化层；掺杂含硅膜层，设置在第二隧穿氧化层背向硅基体一侧；其中，第一隧穿氧化层中缺陷数量趋于零或缺陷数量为零，第二隧穿...
该专利属于北京晶澳太阳能光伏科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京晶澳太阳能光伏科技有限公司授权不得商用。

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