【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种背接触异质结太阳能电池及其制备方法。
技术介绍
1、由于背接触异质结太阳能电池具有温度系数低、光电转换效率高以及光利用率高等优点，越来越受到市场青睐。
2、目前常见的一种背接触异质结太阳能电池的结构主要包括：硅基体，硅基体的第一主表面具有交替设置第一导电区和第二导电区，以及位于相邻第一导电区和第二导电区之间的电隔离区；设置在第一导电区和电隔离区上的具有第一掺杂元素的载流子收集层，设置在电隔离区对应的载流子收集层上的隔离层，设置在第二导电区和隔离层上的本征含硅膜层，以及设置在本征含硅膜层上的具有第二掺杂元素的掺杂含硅膜层。
3、上述的背接触异质结太阳能电池中，如果载流子收集层或者掺杂含硅膜层的掺杂浓度较高时，电隔离区容易发生漏电的问题。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术提供一种背接触异质结太阳能电池及其制备方法，该制备方法中利用功率较低的激光将延伸至电隔离区上的掺杂含硅膜层转变为绝缘的玻璃层，使得在电隔离区只保留载流子收集层这一个具有导电功能的...
【技术保护点】
1.一种背接触异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的背接触异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述步骤5还包括：
3.根据权利要求1所述的背接触异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤2包括：
4.根据权利要求3所述的背接触异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤21包括：
5.根据权利要求4所述的背接触异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤22包括：
6.根据权利要求5所述的背接触异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤22还包括：
7.根...
【技术特征摘要】
1.一种背接触异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的背接触异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述步骤5还包括：
3.根据权利要求1所述的背接触异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤2包括：
4.根据权利要求3所述的背接触异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤21包括：
5.根据权利要求4所述的背接触异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤22包括：
6.根据权利要求5所述的背接触异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤22还包括：
7.根据权利要求1至6任一所述的背接触异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，在步骤3之后，步骤4之前，还包括：
8.根据权利要求1至6任一所述的背接触异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，
9.根据权利要求1至6任一所述的背接触异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，
10.根据权利要求1至6任一所述的背接触异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述步骤5之后，还包括：
11.根据权利要求1所述的背接触异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述步骤5在含有氧气的环境中进行。
12.一种背接触太阳能电池，其特征在于，包括：
13.根据权利要求12所述的背接触异质结太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池还包括：对应于所述电隔离区（13）设置的第二绝缘玻...
【专利技术属性】
技术研发人员：高海峰，鲁峰，张俊兵，
申请(专利权)人：北京晶澳太阳能光伏科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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