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本发明公开一种背接触异质结太阳能电池及其制备方法。制备方法可包括:提供硅基体,硅基体的第一主表面具有交替设置的第一导电区和第二导电区,以及位于相邻第一导电区和第二导电区之间的电隔离区;第一导电区和电隔离区形成具有第一掺杂元素的载流子收集层;...该专利属于北京晶澳太阳能光伏科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过北京晶澳太阳能光伏科技有限公司授权不得商用。
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本发明公开一种背接触异质结太阳能电池及其制备方法。制备方法可包括:提供硅基体,硅基体的第一主表面具有交替设置的第一导电区和第二导电区,以及位于相邻第一导电区和第二导电区之间的电隔离区;第一导电区和电隔离区形成具有第一掺杂元素的载流子收集层;...