【技术实现步骤摘要】
太阳能电池及其制造方法
[0001]本专利技术涉及光伏
，具体地，涉及一种太阳能电池及其制造方法。
技术介绍
[0002]全背电极晶硅太阳电池(InterdigitatedBackContactsolarcells,IBC)在电池受光面(即，正面)没有金属电极的存在，能够完全消除正面的光学损失，增大短路电流，因此转换效率远高于常规结构的电池。但是，目前的IBC电池在基底表面的钝化效果较差。
技术实现思路
[0003]本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种太阳能电池及其制造方法，其可以提高基底表面的钝化效果，从而可以提高电池光电转换效率。
[0004]为实现上述目的，本公开实施例提供一种太阳能电池，包括：
[0005]基底，所述基底的背面具有第一掺杂区和第二掺杂区，所述基底的背面在工作时背离阳光一侧；
[0006]第一发射极，覆盖于所述基底的背面在所述第一掺杂区的部分表面，且与所述第二掺杂区的边界间隔设置；
[0007]第一介电层，覆盖于所述基底的背...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：基底，所述基底的背面具有第一掺杂区和第二掺杂区，所述基底的背面在工作时背离阳光一侧；第一发射极，覆盖于所述基底的背面在所述第一掺杂区的部分表面，且与所述第二掺杂区的边界间隔设置；第一介电层，覆盖于所述基底的背面在所述第二掺杂区的表面和在所述第一掺杂区的未被所述第一发射极覆盖的表面，且所述第一介电层的边缘和与之相邻的所述第一发射极的边缘相接触；第二发射极，覆盖于所述第一介电层在所述第二掺杂区的背离所述基底一侧的表面；第一电极，设置于所述第一发射极背离所述基底一侧，且与所述第一发射极相接触；第二电极，设置于所述第二发射极背离所述第一介电层一侧，且与所述第二发射极相接触。2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述基底在所述第一掺杂区形成为隔离凹部。3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，还包括：第二介电层，覆盖于所述第二发射极背离所述第一介电层的表面。4.根据权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一介电层为隧穿层；所述第二介电层为隧穿层。5.根据权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一介电层的厚度小于2纳米；所述第二介电层的厚度小于2纳米。6.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述隔离凹部的深度大于或等于0.1μm，且小于或等于5μm。7.根据权利要求1或2所述的太阳能电池，其特征在于，还包括：第一钝化层，覆盖于所述第一介电层在所述第一掺杂区背离所述基底一侧的表面，和所述第二发射极背离所述第一介电层一侧的表面；第二钝化层，覆盖于所述第一钝化层背离所述第一介电层和所述第二发射极的表面；其中，所述第一电极的一端依次贯穿所述第二钝化层和所述第一钝化层，并与所述第一发射极相接触；所述第二电极的一端依次贯穿所述第二钝化层和所述第一钝化层，并与所述第二发射极相接触。8.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述基底的正面为三角锥状绒面；所述太阳能电池还包括：第三钝化层，覆盖于所述基底的正面；第四钝化层，覆盖于所述第三钝化层背离所述基底的表面。9.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述基底为P型单晶硅；所述第一发射极为P型掺杂层；所述第二发射极为N型掺杂层。10.一种太阳能电池的制造方法，其特征在于，包括：提供一基底；所述基底的背面具有第一掺杂区和第二掺杂区；所述基底的背面在工作时背离阳光一侧；在所述基底的背面形成第一发射极，所述第一发射极覆盖于所述基底的背面在所述第
一掺杂区的部分表面，且与所述第二掺杂区的边界间隔设置；在所述基底的背面形成第一介电层，所述第一介电层覆盖于所述基底的背面在所述第二掺杂区的表面和在所述第一掺杂区的未被所述第一发射极覆盖的表面，且所述第一介电层的边缘和与之相邻的所述第一发射极的边缘相接触；在所述基底的背面形成第二发射极，所述第二发射极覆盖于所述第一介电层在所述第二掺杂区的背离所述基底一侧的表面；在所述基底的背面形成第一电极，所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员：季雯娴，柳伟，张倬涵，胡匀匀，陈达明，
申请(专利权)人：天合光能股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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