过渡金属掺杂MoSe2膜及其制备方法和应用、CZTSSe电池技术

本发明专利技术提供了一种过渡金属掺杂MoSe2膜及其制备方法和应用、CZTSSe电池。该过渡金属掺杂MoSe2膜厚度为60

【技术实现步骤摘要】
过渡金属掺杂MoSe2膜及其制备方法和应用、CZTSSe电池


[0001]本专利技术涉及太阳能电池领域，具体涉及一种过渡金属掺杂MoSe2膜及其制备方法和应用、CZTSSe电池。

技术介绍

[0002]铜锌锡硫薄膜太阳能电池(即CZTSSe太阳能电池)是以多晶CZTSSe半导体薄膜为吸收层的太阳电池。典型的CZTSSe电池结构包括钠钙玻璃衬底、Mo背电极、MoSe2界面层、CZTSSe吸收层、CdS缓冲层、本征ZnO和ITO窗口层以及Ag顶电极组成。
[0003]CZTSSe太阳能电池具有铜铟镓硒(CIGS)类似的器件结构，并使用含有镀Mo薄膜基底作为背接触。不同之处在于CZTSSe/Mo界面处存在较大电荷提取势垒，引起载流子复合损失导致器件中较大的开路电压损失。背接触不仅对吸收层薄膜的质量起着重要作用，而且对器件中载流子的传输和分离也起着关键作用。然而，CZTSSe在高温硒化过程中由于背界面处的化学热力学稳定性低和较低形成能的硒空位，容易在背界面处形成较厚的弱n型MoSe2。弱n型MoSe2的功函数小于p型CZTSSe，在MoSe2/本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种过渡金属掺杂MoSe2膜，其特征在于，所述膜厚度为60
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90nm，所述过渡金属为V、Nb或Ta。2.根据权利要求1所述的过渡金属掺杂MoSe2膜，其特征在于，所述过渡金属掺杂量为8～12％。3.一种权利要求1
‑
2任一项所述的过渡金属掺杂MoSe2膜的制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤：1)在Mo膜表面沉积一层过渡金属膜；2)将步骤1)所得沉积过渡金属膜的Mo膜与过量硒粒一起密封后，在惰性气体氛围下进行热退火处理，自然冷却至室温即得过渡金属掺杂MoSe2膜。4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述步骤1)中，Mo膜厚度为700～900nm。5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述步骤1)中，过渡金属膜厚度为4
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6nm。6.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述步骤2)中，退火温度350～410℃、处理时间为5
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15min，升温速率为5～9℃/s。7.一种权利要求1
‑
2任一项所述的过渡金属掺杂MoSe2膜作为背界面层在CZ...

【专利技术属性】
技术研发人员：符俊杰，寇东星，武四新，郑直，高迁迁，崔长城，王梦阳，马琼，
申请(专利权)人：许昌学院，
类型：发明
国别省市：