一种SE结构制备方法及太阳能电池技术

本申请公开了一种SE结构制备方法及太阳能电池，属于太阳能电池领域，该方法包括：在N型晶体硅的正面印刷聚合物薄膜；在聚合物薄膜上的金属接触区印刷硼浆；硼浆透过聚合物薄膜与N型晶体硅接触；通过激光辐照硼浆，将硼浆内的硼离子掺杂进入N型晶体硅内，在金属接触区形成重掺区域；对N型晶体硅的正面进行清洗，去除聚合物薄膜；对硼浆在清洗后的N型晶体硅的正面进行硼扩散，在非金属接触区形成轻掺区域，以形成SE结构。本申请通过聚合物薄膜阻挡，一方面可以防止激光时离子溅射，使重掺区域宽度窄化且可控；另一方面可以有效的减少由于激光直掺造成的损伤及复合中心，从而有效改善电池开压及接触电阻。池开压及接触电阻。池开压及接触电阻。

【技术实现步骤摘要】
一种SE结构制备方法及太阳能电池


[0001]本申请涉及太阳能电池领域，特别涉及一种SE结构制备方法及太阳能电池。

技术介绍

[0002]选择性发射极(Selective Emitter，SE)技术是在电池电极区进行重掺杂，在发射极区进行轻掺杂。这一技术不仅可以降低扩散层少子复合速率，提高电池的短波响应和开路电压，还可以降低电池串联电阻，改善电池短路电流和填充因子，从而提高转换效率。
[0003]目前常用的SE技术是激光法：利用激光能量将磷硅玻璃(Phosphorosilicate glass，PSG)或硼硅玻璃(Borosilicate glass，BSG)中的掺杂源进行二次推进，形成重掺杂区，未激光区则形成浅掺杂区。其中，P型电池激光SE的实现方法是用激光脉冲熔融硅片表面，覆盖在发射极顶部的PSG中的磷原子进入硅片表层，固化后掺杂磷原子取代硅原子的位置，在激光熔解层形成浓度高且杂质激活率高的掺杂层。然而，N型电池激光SE为硼掺杂，一方面硼原子更容易待在BSG氧化层中导致很难掺杂进去，另一方面很多掺进去的硼原子由于与硅晶格不匹配，会在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种SE结构制备方法，其特征在于，包括：在N型晶体硅的正面印刷聚合物薄膜；在所述聚合物薄膜上的金属接触区印刷硼浆；所述硼浆透过所述聚合物薄膜与所述N型晶体硅接触；通过激光辐照所述硼浆，将所述硼浆内的硼离子掺杂进入所述N型晶体硅内，在所述金属接触区形成重掺区域；对所述N型晶体硅的正面进行清洗，去除所述聚合物薄膜；对所述硼浆在清洗后的所述N型晶体硅的正面进行硼扩散，在非金属接触区形成轻掺区域，以形成SE结构。2.根据权利要求1所述的SE结构制备方法，其特征在于，所述对所述硼浆在清洗后的所述N型晶体硅的正面进行硼扩散，在非金属接触区形成轻掺区域，以形成SE结构后，还包括：去除所述N型晶体硅的正面以外区域的硼；所述N型晶体硅的正面以外区域的硼是对所述硼浆在所述N型晶体硅的正面进行硼扩散后，扩散到所述N型晶体硅的正面以外区域的硼。3.根据权利要求1所述的SE结构制备方法，其特征在于，所述印刷硼浆的宽度范围为40μm至120μm，且包含两端的值。4.根据权利要求1所述的SE结构制备方法，其特征在于，所述掺杂的深度范围为0.8μm至2...

【专利技术属性】
技术研发人员：马玉超，李红博，何保杨，蔡永梅，何胜，徐伟智，
申请(专利权)人：正泰新能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：