一种改善N型电池PID问题的方法技术

本发明专利技术公开了一种改善N型电池PID问题的方法，包括以下步骤：S1将N型电池硅片基体放置于石墨舟上，使用第一工艺管通入氧源和铝源物质，在N型电池硅片基体正面制备氧化铝钝化层；S2使用第二工艺管管通入氮源物质和硅源物质，在步骤S1所述氧化铝钝化层上制备氮化硅减反射层。通过将减反射层的折射率提升到2.20以上，使PID衰减率的程度降低。本发明专利技术可以有效改善N型太阳能电池的PID问题，提升太阳能电池的品质。品质。品质。

【技术实现步骤摘要】
一种改善N型电池PID问题的方法


[0001]本专利技术涉及光伏电池的生产加工
，尤其涉及一种改善N型电池PID问题的方法。

技术介绍

[0002]在长期的高温潮湿的环境中，高压电流流经太阳能电池单元会导致电池的输出功率下降，这种现象被称为PID——电位诱导衰减。为了改善PID问题，P型太阳能电池一般在发射极表面通过热氧氧化沉淀二氧化硅阻挡层，以阻挡Na+的侵入，降低电池片表面的复合速率，同时阻挡层足够薄的情况下，电子的遂穿效应非常明显，可以将电池片表面富集的一部分电荷导走，从而防止因电荷堆积而导致钝化减反射层效果减弱，使电池片具有一定的抗PID能力。而N型太阳能电池由于本身的特性，没有以二氧化硅作为阻挡层，需要通过提高其折射率的方式使其具有更高的抗PID能力。
[0003]通过特定的加工方法改变膜层的结构，可以调整电池的折射率，改变电池的抗PID性能、更好地解决PID问题，提升太阳能电池的品质。

技术实现思路

[0004]专利技术目的
[0005]为了进一步改善N型电池的PID问题、提升太阳能电池品质，本专利技术提供了一种可以有效改善N型太阳能电池PID问题的方法。
[0006]技术方案
[0007]一种改善N型电池PID问题的方法，包括以下步骤：
[0008]S1将N型电池硅片基体放置于石墨舟上，使用第一工艺管通入氧源和铝源物质，在N型电池硅片基体正面制备氧化铝钝化层；
[0009]S2使用第二工艺管通入氮源物质和硅源物质，在步骤S1所述氧化铝钝化层上制备氮化硅减反射层。
[0010]进一步地，氧化铝钝化层的厚度控制在5～10nm范围内。
[0011]进一步地，氮化硅减反射层的厚度控制在70～80nm范围内，折射率控制在2.2以上。
[0012]进一步地，第一工艺管通过等离子体增强原子层沉积或者原子层沉积的方法在N型电池硅片基体正面制备氧化铝钝化层。
[0013]进一步地，第二工艺管通过等离子体增强化学气相沉淀的方法在氧化铝钝化层上制备氮化硅减反射层。
[0014]进一步地，执行所述步骤S1时，须将温度控制在150～300℃范围内。
[0015]进一步地，执行所述步骤S2时，须将温度控制在400～450℃范围内。
[0016]进一步地，铝源物质为TMA，所述氧源物质为臭氧，所述氮源物质为氨气和二氧化氮，所述硅源物质为氢化硅。
[0017]有益效果
[0018]本专利技术通过提高减反射层的折射率，可以有效改善N型太阳能电池的PID问题，提升太阳能电池的品质。
附图说明
[0019]图1为本专利技术的步骤流程图。
具体实施方式
[0020]为了使本
的人员更好地理解本专利技术的内容，现结合附图和具体实施方式对本专利技术进一步说明。
[0021]实施例
[0022]一种改善N型电池PID问题的方法，所处理的N型电池硅片应当事先经过PSG处理及碱洗工序，所述方法具体包括以下步骤：
[0023]S1将N型电池硅片基体放置于石墨舟上，并将温度控制在200℃，使用第一工艺管通入臭氧和TMA，第一工艺管以氩气携带臭氧和TMA吹扫，通过等离子体增强原子层沉积的方法在N型电池硅片基体正面制备氧化铝钝化层，氧化铝钝化层的厚度控制为8nm；
[0024]S2将温度控制在420℃，使用第二工艺管以氩气携带氢化硅、氨气和二氧化氮吹扫，通过等离子体增强化学气相沉淀的方法在步骤S1所述氧化铝钝化层上制备氮化硅减反射层，氮化硅减反射层的厚度控制为75nm。
[0025]通过上述步骤，可以将减反射层的折射率提高到2.2，有效增强N型电池硅片的抗PID能力，提升电池品质。
[0026]以上所述仅是本专利技术的优选实施方式，应当指出：对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本专利技术的保护范围。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种改善N型电池PID问题的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1将N型电池硅片基体放置于石墨舟上，使用第一工艺管通入氧源和铝源物质，在N型电池硅片基体正面制备氧化铝钝化层；S2使用第二工艺管通入氮源物质和硅源物质，在步骤S1所述氧化铝钝化层上制备氮化硅减反射层。2.根据权利要求1所述的一种改善N型电池PID问题的方法，其特征在于：所述氧化铝钝化层的厚度控制在5～10nm范围内。3.根据权利要求1所述的一种改善N型电池PID问题的方法，其特征在于：所述氮化硅减反射层的厚度控制在70～80nm范围内，折射率控制在2.2以上。4.根据权利要求1所述的一种改善N型电池PID问题的方法，其特征在于：所述第一工艺管通过等离子体增强原子层沉积或者...

【专利技术属性】
技术研发人员：李静，刘迎春，
申请(专利权)人：江苏润阳悦达光伏科技有限公司，
类型：发明
国别省市：