一种窄带光电探测器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种窄带光电探测器，包括F

【技术实现步骤摘要】
一种窄带光电探测器


[0001]本技术属于光电探测器
，具体涉及一种窄带光电探测器。

技术介绍

[0002]光电探测器是指半导体材料受光激发产生电子空穴对，在PN结的电场作用下经过漂移和扩散作用形成光生电流的光电半导体器件。光电探测器的探测波长范围通常和材料体系相关，例如硅材料的光电探测器通常探测范围在400
‑
1100nm，锗材料的光电探测器探测范围在800
‑
1800nm。在实际使用过程中，为准确探测对应波长光的光功率，光电探测器通常需要配备对应的玻璃窄带滤光片来避免其他波长光的影响，而玻璃窄带滤光片无疑增加了探测器的整体体积。因此，本技术提供了一种窄带光电探测器，取代现有玻璃窄带滤光片实现了窄带滤波的效果。

技术实现思路

[0003]为解决现有技术中存在的技术问题，本技术的目的在于提供一种窄带光电探测器。
[0004]为实现上述目的，达到上述技术效果，本技术采用的技术方案为：
[0005]一种窄带光电探测器，包括F
‑
P型单腔窄带滤光膜层，所述F...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种窄带光电探测器，其特征在于，包括F
‑
P型单腔窄带滤光膜层，所述F
‑
P型单腔窄带滤光膜层的膜系结构为B|(LH)
S
(a2L)(HL)
S
|A或B|(HL)
S
(a2H)(LH)
S
|A，其中，A表示入射介质，B表示光电探测器，L、H分别代表低折射率材料和高折射率材料，单位厚度为入射光中心波长λ的四分之一，S代表堆叠周期数，a代...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱兵兵，宁玲，
申请(专利权)人：三序光学科技苏州有限公司，
类型：新型
国别省市：