太阳能电池及其制备方法、光伏组件技术

本申请涉及一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件，包括半导体衬底，半导体衬底包括相对设置的第一表面和第二表面；位于半导体衬底第一表面的偏光结构以及位于偏光结构背离半导体衬底一侧的第一钝化层；第一钝化层背离偏光结构的一侧表面设置有多个间隔排列的沟槽，沟槽的深度小于等于第一钝化层的厚度，沟槽的开口直径为1nm～100nm；位于半导体衬底第二表面的第二钝化层；位于第一钝化层表面的第一电极及位于第二钝化层表面的第二电极。本申请太阳能电池在第一钝化层表面进行改善，增加陷光减反射作用，提高太阳光的有效利用，提升太阳能电池的光电转换效率，避免了直接对偏光结构进行调整或修饰，不会对电池的电性能产生有害影响。影响。影响。

【技术实现步骤摘要】
太阳能电池及其制备方法、光伏组件


[0001]本申请涉及光伏电池
，具体地讲，涉及一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件。

技术介绍

[0002]随着太阳能电池技术的不断发展，电池短路电池密度的提高成为影响太阳能电池转换效率提升的重要因素之一。为了提高太阳能电池的光电转换速率，常通过在硅衬底的表面进行清洗制绒，以得到5微米～10微米大小的金字塔结构，改善硅衬底内部的反射，降低硅衬底的反射率，从而提高电池的短路电池密度，然而，这种方式提高电池短路密度的能力有限，使得电池的转换效率提升有限，制约着太阳能电池的进一步发展。
[0003]因此，如何进一步降低电池的反射以提升电池的短路电流密度成为光伏产业急需解决的问题。

技术实现思路

[0004]鉴于此，本申请提出一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件，该太阳能电池能够具有较优的减反射作用，能够提升太阳能电池的光电转换效率，同时，不会加剧太阳能电池的电性能损失。
[0005]第一方面，本申请提供一种太阳能电池，所述太阳能电池包括：
[0006]半导体衬底，所述半本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括相对设置的第一表面和第二表面；位于所述半导体衬底第一表面的偏光结构以及位于所述偏光结构背离所述半导体衬底一侧的第一钝化层；所述第一钝化层背离所述偏光结构的一侧表面设置有多个间隔排列的沟槽，所述沟槽的深度小于等于所述第一钝化层的厚度，所述沟槽的开口直径为1nm～100nm；位于所述半导体衬底第二表面的第二钝化层；位于所述第一钝化层表面的第一电极及位于所述第二钝化层表面的第二电极。2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述沟槽在所述半导体衬底所在平面上的正投影的总面积记为S1，所述第一钝化层在所述半导体衬底所在平面上的投影面积记为S2，其中，0.01S2≤S1＜S2。3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，沿垂直于所述半导体衬底所在平面，所述沟槽的深度为10nm～100nm；和/或所述第一钝化层的厚度为10nm～100nm。4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，沿垂直于所述半导体衬底所在平面，所述沟槽的深度与所述第一钝化层的厚度之比为(0.1～1):1。5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，沿平行于所述半导体衬底所在平面，所述偏光结构的长度为0.5μm～10μm；和/或所述偏光结构的宽度为0.5μm～10μm。6.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，沿垂直于所述半导体衬底所在平面，所述偏光...

【专利技术属性】
技术研发人员：查通，夏志鹏，王龙，黄纪德，刘长明，
申请(专利权)人：浙江晶科能源有限公司，
类型：发明
国别省市：