太阳能电池和光伏组件制造技术

本发明专利技术公开了太阳能电池和光伏组件，该太阳能电池包括硅基底、第一电极和第二电极；所述硅基底的其中一面沿远离所述硅基底方向设置有隧穿氧化层，所述隧穿氧化层远离所述硅基底一侧设置有至少两层掺杂多晶硅层，相邻所述掺杂多晶硅层之间设置有阻挡层，多条所述第一电极电连接至不同的所述掺杂多晶硅层。本发明专利技术不仅能够降低多晶硅层总厚度，较薄的多晶硅层可以降低寄生吸收，从而提高短路电流，而且通过阻挡层阻挡浆料烧穿隧穿氧化层的风险，同时减少金属复合，从而提高太阳能电池的开路电压，进而提升太阳能电池的光电转换效率。进而提升太阳能电池的光电转换效率。进而提升太阳能电池的光电转换效率。

【技术实现步骤摘要】
太阳能电池和光伏组件


[0001]本专利技术涉及光伏
，更具体地，涉及一种太阳能电池和光伏组件。

技术介绍

[0002]TOPCon电池(Tunnel Oxide Passivated Contact的缩写，隧穿氧化层钝化接触)是采用管式LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition，低压化学气相沉积)或者PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等离子体增强化学气相沉积方式制备)设备进行制备，隧穿氧化层和掺杂多晶硅层两层共同形成钝化接触结构，该隧穿氧化钝化接触结构能够使得多数载流子穿过氧化层，对少数载流子起阻挡作用，有效地实现了载流子的选择通过性，从而极大地降低了少数载流子的复合速率，提高了电池的效率。
[0003]TOPCon电池一般采用30nm左右掺杂多晶硅层即可实现良好的钝化效果，但受限于当前的浆料及烧结技术，掺杂多晶硅层需要做到110
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120nm左右才能有效的降低银颗粒烧穿隧穿氧化层的风险，然后由于掺杂多晶本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池，其特征在于，包括硅基底、第一电极和第二电极；在所述硅基底的一面沿远离所述硅基底方向设置有隧穿氧化层，所述隧穿氧化层远离所述硅基底一侧设置有至少两层掺杂多晶硅层，相邻所述掺杂多晶硅层之间设置有阻挡层，多条所述第一电极电连接至不同的所述掺杂多晶硅层。2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，靠近所述硅基底的所述掺杂多晶硅层中磷元素的掺杂浓度小于远离所述硅基底的所述掺杂多晶硅层中磷元素的掺杂浓度。3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，至少两层所述掺杂多晶硅层包括第一掺杂多晶硅层、第二掺杂多晶硅层和第三掺杂多晶硅层，所述第一掺杂多晶硅层与所述第二掺杂多晶硅层之间具有第一阻挡层，所述第二掺杂多晶硅层与所述第三掺杂多晶硅层之间具有第二阻挡层，其中，所述第一掺杂多晶硅层位于靠近所述隧穿氧化层一侧；所述第三掺杂多晶硅层位于远离所述隧穿氧化层一侧；所述第一掺杂多晶硅层为掺杂有磷元素，所述第二掺杂多晶硅层和所述第三掺杂多晶硅层分别掺杂有磷元素、以及碳元素或氮元素。4.根据权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一电极包括第一子电极和第二子电极，所述第一子电极与所述第三掺杂多晶硅层电连接，所述第二子电极与所述第一掺杂多晶硅层和/或所述第二掺杂多晶硅层电连接。5.根据权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂多晶硅层中磷元素的掺杂浓度小于所述第二掺杂多晶硅层中磷元素的掺杂浓度，所述第二掺杂多晶硅层中磷元素的掺杂浓度小于所述第三掺杂多晶硅层中...

【专利技术属性】
技术研发人员：王浩，李文琪，余丁，吴佳豪，刘旭，
申请(专利权)人：晶科能源股份有限公司，
类型：发明
国别省市：