一种P型背结接触太阳能电池组件制造技术

本发明专利技术涉及太阳能电池技术领域，且公开了一种P型背结接触太阳能电池组件，包括P型硅片、NP结和氧化硅减反射膜，所述P型硅片的正面设置有NP结，所述NP结作为太阳能电池的负极，所述NP结的正面设置有氧化硅减反射膜，所述氧化硅减反射膜中设置有正极金属电极，所述P型硅片的反面设置有P+层。该P型背结接触太阳能电池组件，通过在背接触太阳能电池背面开槽，且开槽的数量与NP结的数量相对应的手段，使得金属和衬底形成欧姆接触以后，避免接触表面引入大量的界面态，使得背接触太阳能电池的表面载流子复合速率降低，提高电池的性能，不改变金属和衬底的接触面积，同时又避免载流子的横向运输，降低串联电阻，提高电池的性能。提高电池的性能。提高电池的性能。

【技术实现步骤摘要】
一种P型背结接触太阳能电池组件


[0001]本专利技术属于太阳能电池
，具体为一种P型背结接触太阳能电池组件。

技术介绍

[0002]太阳能电池，是一种利用太阳光直接发电的光电半导体薄片，又称为“太阳能芯片”或“光电池”，它只要被满足一定照度条件的光照度，瞬间就可输出电压及在有回路的情况下产生电流，太阳能电池是通过光电效应或者光化学效应直接把光能转化成电能的装置，以光伏效应工作的晶硅太阳能电池为主流，而以光化学效应工作的薄膜电池实施太阳能电池则还处于萌芽阶段。
[0003]随着太阳能电池行业的不断发展，内业竞争也在不断加剧，大型太阳能电池企业间并购整合与资本运作日趋频繁，国内优秀的太阳能电池生产企业愈来愈重视对行业市场的研究，特别是对产业发展环境和产品购买者的深入研究。
[0004]提升电池光电转换效率和降低材料成本，从而降低太阳电池的发电成本，促进太阳能光伏推广应用，一直是太阳能电池发展的方向，然而，常规的太阳能电池结构中，位于电池受光面的栅线电极约占电池总面积的8％，导致严重的遮光损失。此外，在组件封装时，电池片之间的互联条上出现严重的串联电阻损失，导致较大的组件阻抗损失，由此背接触式太阳能电池应运而生，背结背接触电池，又名背接触指交太阳能电池，这种电池将发射极和背场全部作在了电池的背面，减小了遮光损失，而且由于电极作在了电池的背表面，不用再考虑遮光，从而完全移除前表面栅线遮光损失，而且全部位于电池背面的金属电极结构，允许采用宽栅线和多层金属化等方式，大幅降低电池串联电阻，并使得组件封装时电池之间易于互联，减少铝条焊接工艺，可降低电池片间组装成本，这些特性都可以提高电池的转换效率，其具有取得更高转换效率的潜能，逐渐成为产业化高效电池的主要研发方向。
[0005]目前市场上的背接触太阳能电池通常将发射极和背场全部作在了电池的背面，但是金属和衬底形成欧姆接触以后，会在接触表面引入大量的界面态，这使得背接触太阳能电池的表面载流子复合速率明显增大，这会大大降低电池的性能，通常的解决方案，就是尽量减小金属和衬底的接触面积，可是这又会引起载流子的横向运输，增加串联电阻，又会降低电池的性能。

技术实现思路

[0006]针对上述情况，为克服现有技术的缺陷，本专利技术提供一种P型背结接触太阳能电池组件，有效的解决了上述
技术介绍
中提出的问题。
[0007]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种P型背结接触太阳能电池组件，包括P型硅片、NP结和氧化硅减反射膜，所述P型硅片的正面设置有NP结，所述NP结作为太阳能电池的负极，所述NP结的正面设置有氧化硅减反射膜，所述氧化硅减反射膜中设置有正极金属电极，所述P型硅片的反面设置有P+层，P型硅片的反面设置有N+层，N+层设置于P型硅片背面的氧化层与多晶硅层之间，在铝电场中设置有背电极。
[0008]优选的，所述P型硅片的反面对应负极的位置设置有绒面结构，绒面结构的厚度为100um
‑
200um。
[0009]优选的，所述P型硅片的背面设置有钝化膜，钝化膜的厚度为60um
‑
150um。
[0010]优选的，所述钝化后的P型硅片需要进行开槽处理，开槽的具体操作如下：
[0011]S4
‑
1、检查P型硅片：通过将同批次的P型硅片放入激光检测装置，通过激光的照射检测P型硅片表面的平整度；
[0012]S4
‑
2、筛选P型硅片：将表面不平整的P型硅片筛选出来用作他用，同时将表面平整的P型硅片收集出来，输送至下一工作环节；
[0013]S4
‑
3、开槽：取P型硅片，将其固定到开槽装置中，将P型硅片的背面对准开槽装置，启动开槽装置对其进行开槽处理；
[0014]S4
‑
4、清洗：采用激光开槽的方式，之后，需要将开槽后的P型硅片放入流动的冲洗液中进行冲洗，进而去除激光开槽形成的氧化硅。
[0015]优选的，所述P型硅片背面的开槽设置的数量与NP结的数量相对应，所述开槽的宽度为200um
‑
400um，所述开槽的深度为0.1um
‑
5um，相邻两个开槽的距离为50um
‑
200um。
[0016]优选的，所述P型硅片的背面钝化层为氧化铝膜、氮化硅膜和氮氧化硅膜的一种或多种。
[0017]优选的，所述P型硅片的背面钝化为层的厚度为50um
‑
100um，所述P型硅片的背面钝化为层的折射率为2.5
‑
3。
[0018]与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：
[0019]通过在背接触太阳能电池背面开槽，且开槽的数量与NP结的数量相对应的手段，使得金属和衬底形成欧姆接触以后，避免接触表面引入大量的界面态，使得背接触太阳能电池的表面载流子复合速率降低，提高电池的性能，不改变金属和衬底的接触面积，同时又避免载流子的横向运输，降低串联电阻，提高电池的性能。
附图说明
[0020]附图用来提供对本专利技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本专利技术的实施例一起用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的限制。在附图中：
[0021]图1为本专利技术的流程示意图；
具体实施方式
[0022]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例；基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0023]实施例一，由图1给出，本专利技术包括一种P型背结接触太阳能电池组件，包括P型硅片、NP结和氧化硅减反射膜，P型硅片的正面设置有NP结，NP结作为太阳能电池的负极，NP结的正面设置有氧化硅减反射膜，氧化硅减反射膜中设置有正极金属电极，P型硅片的反面设置有P+层，P型硅片的反面设置有N+层，N+层设置于P型硅片背面的氧化层与多晶硅层之间，在铝电场中设置有背电极，P型硅片的反面对应负极的位置设置有绒面结构，绒面结构的厚
度为100um
‑
200um，P型硅片的背面设置有钝化膜，钝化膜的厚度为60um
‑
150um，P型硅片背面的开槽设置的数量与NP结的数量相对应，开槽的宽度为200um
‑
400um，开槽的深度为0.1um
‑
5um，相邻两个开槽的距离为50um
‑
200um，P型硅片的背面钝化层为氧化铝膜、氮化硅膜和氮氧化硅膜的一种或多种，P型硅片的背面钝化为层的厚度为50um
‑
100um，P型硅片的背面钝化为层的折射率为2.5
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3。
[0024]实施例二，由图1给出，钝化后的P型硅片需要进行开槽处理，开槽的具体操作如下：
[0025]S4
‑
1、检查P型硅片：通过将同批本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种P型背结接触太阳能电池组件，包括P型硅片、NP结和氧化硅减反射膜，其特征在于：所述P型硅片的正面设置有NP结，所述NP结作为太阳能电池的负极，所述NP结的正面设置有氧化硅减反射膜，所述氧化硅减反射膜中设置有正极金属电极，所述P型硅片的反面设置有P+层，P型硅片的反面设置有N+层，N+层设置于P型硅片背面的氧化层与多晶硅层之间，在铝电场中设置有背电极。2.根据权利要求1所述的一种P型背结接触太阳能电池组件，其特征在于：所述P型硅片的反面对应负极的位置设置有绒面结构，绒面结构的厚度为100um
‑
200um。3.根据权利要求1所述的一种P型背结接触太阳能电池组件，其特征在于：所述P型硅片的背面设置有钝化膜，钝化膜的厚度为60um
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150um。4.根据权利要求3所述的一种P型背结接触太阳能电池组件，其特征在于：所述钝化后的P型硅片需要进行开槽处理，开槽的具体操作如下：S4
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1、检查P型硅片：通过将同批次的P型硅片放入激光检测装置，通过激光的照射检测P型硅片表面的平整度；S4
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2、筛选P型硅片：将表面不平整的P型硅片筛选出来用作...

【专利技术属性】
技术研发人员：庄洋，陆赛，葛伟，侯宜蒙，郑明海，
申请(专利权)人：江苏龙恒新能源有限公司，
类型：发明
国别省市：