太阳电池中的电子传输层及其制备方法、应用技术

本发明专利技术公开了一种太阳电池中的电子传输层的制备方法，包括：在晶硅衬底两侧分别形成第一钝化层和第二钝化层；将晶硅衬底上形成有第一钝化层的一面密封；将密封后的晶硅衬底置于化学浴的反应溶液中，在晶硅衬底的未密封的一面沉积与晶硅衬底能带匹配的电子传输层；以及对沉积得到的电子传输层退火处理。本发明专利技术还提供一种利用上述的制备方法得到的电子传输层，通过形成与晶硅衬底的能带匹配的电子传输层，阻挡空穴向背电极的传输，降低空穴与电子在背电极的复合，提升太阳电池的光电转换效率。率。率。

【技术实现步骤摘要】
太阳电池中的电子传输层及其制备方法、应用


[0001]本专利技术的至少一种实施例涉及一种太阳电池，尤其涉及一种太阳电池中的电子传输层及其制备方法、应用。

技术介绍

[0002]太阳能是地球上最丰富的能源，光伏发电技术是将太阳辐射能转化为电能最直接的方法。晶硅异质结(HJT)太阳电池具有结构简单、制作工艺简单、高效率、高稳定性、低成本等特点。然而HJT电池由于p型氢化非晶硅(p型a
‑
Si:H)薄膜带隙较小而存在的严重寄生吸收以及非晶硅和晶体硅之间存在的能带不匹配等问题，极大地限制了HJT电池的进一步发展。
[0003]因此当下科研人员通过选取具有合适禁带宽度以及高功函数的金属氧化物来代替p型氢化非晶硅来充当空穴传输层材料，这可以最大程度降低电池的寄生吸收，提高晶硅吸光层和空穴传输层之间的能带适配，同时也会有效降低空穴传输势垒，减少界面处的电荷复合，有利于光生空穴的分离和转移。
[0004]同样值得注意的是，电子传输层背场也是太阳电池重要的一环，电子传输层可以有效收集电子，阻挡空穴，起到促进背表面光生电荷快速分离本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳电池中的电子传输层的制备方法，其特征在于，包括：在晶硅衬底(4
’
)两侧分别形成第一钝化层(31
’
)和第二钝化层(32
’
)；将所述晶硅衬底(4
’
)上形成有所述第一钝化层(31
’
)的一面密封；将密封后的晶硅衬底(4
’
)置于化学浴的反应溶液中，在所述晶硅衬底(4
’
)的未密封的一面沉积与所述晶硅衬底(4
’
)能带匹配的电子传输层(2
’
)；对沉积得到的电子传输层(2
’
)退火处理。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述晶硅衬底(4
’
)为n型c
‑
Si，电阻率为1～10Ω
·
cm。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，将所述晶硅衬底(4
’
)上形成有第一钝化层(31
’
)的一面密封包括：采用密封衬底覆盖所述晶硅衬底(4
’
)上形成有所述第一钝化层(31
’
)的一面，并采用胶带密封圈将所述密封衬底与所述晶硅衬底(4
’
)密封，所述胶带密封圈的材料为聚酰亚胺胶带、PVC电气绝缘胶带、特氟龙薄膜胶带中的一种。4.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘玮，张仲卿，赵俊峰，杨旭东，马静怡，
申请(专利权)人：南开大学，
类型：发明
国别省市：