一种太阳能电池、电池组件、光伏系统技术方案

本申请适用于太阳能电池技术领域，提供了一种太阳能电池、电池组件、光伏系统。太阳能电池包括：硅衬底；依次设于硅衬底的第一区域的P型半导体层、硼硅玻璃层、第一表面钝化层和第一电极，第一电极穿过第一表面钝化层和硼硅玻璃层，并与P型半导体层接触；依次设于硅衬底的第二区域的N型半导体层、磷硅玻璃层、第二表面钝化层和第二电极，第二电极穿过第二表面钝化层和磷硅玻璃层，并与N型半导体层接触。如此，由于在硼硅玻璃层和磷硅玻璃层上分别设置表面钝化层，故可以提高钝化效果。而且，硼硅玻璃层和磷硅玻璃层分别在制作P型半导体层和N型半导体层时同时形成，故可以简化钝化结构制备的工艺和设备，有利于降低成本。有利于降低成本。有利于降低成本。

【技术实现步骤摘要】
一种太阳能电池、电池组件、光伏系统


[0001]本申请属于太阳能电池
，尤其涉及一种太阳能电池、电池组件、光伏系统。

技术介绍

[0002]太阳能电池发电为一种可持续的清洁能源来源，其利用半导体p
‑
n结的光生伏特效应可以将太阳光转化成电能。
[0003]相关技术中通常采用高温炉或者原子层沉积、等离子化学气相沉积等方法制备氧化硅、氧化铝和氮化硅等多层钝化层，从而对太阳能电池的表面进行钝化。然而如此，工艺较为复杂，需要采用多种设备来制备表面钝化层。
[0004]基于此，如何设计太阳能电池以简化钝化结构的工艺和设备，成为了亟待解决的问题。

技术实现思路

[0005]本申请提供一种太阳能电池、电池组件、光伏系统，旨在解决如何设计太阳能电池以简化钝化结构的工艺和设备的问题。
[0006]第一方面，本申请提供的太阳能电池，包括：
[0007]硅衬底；
[0008]依次设于所述硅衬底的第一区域的P型半导体层、硼硅玻璃层、第一表面钝化层和第一电极，所述第一电极穿过所述第一表面钝化层和所述硼硅玻璃层，并与所述P型半导体层接触；
[0009]依次设于所述硅衬底的第二区域的N型半导体层、磷硅玻璃层、第二表面钝化层和第二电极，所述第二电极穿过所述第二表面钝化层和所述磷硅玻璃层，并与所述N型半导体层接触。
[0010]可选地，所述硼硅玻璃层的厚度为1nm
‑
20nm；
[0011]和/或，所述磷硅玻璃层的厚度为1nm
>‑
20nm。
[0012]可选地，所述硼硅玻璃层的厚度为1nm
‑
9nm；
[0013]和/或，所述磷硅玻璃层的厚度为1nm
‑
9nm。
[0014]可选地，所述P型半导体层与所述硅衬底之间设有第一界面钝化层。
[0015]可选地，所述P型半导体层为P型多晶硅层。
[0016]可选地，所述N型半导体层与所述硅衬底之间设有第二界面钝化层。
[0017]可选地，所述N型半导体层为N型多晶硅层。
[0018]可选地，所述磷硅玻璃层中，磷的质量分数百分比为0.05％
‑
20％；
[0019]和/或，所述硼硅玻璃层中，硼的质量分数百分比为0.05％
‑
20％。
[0020]第二方面，本申请提供的电池组件包括上述任一项所述的太阳能电池。
[0021]第三方面，本申请提供的光伏系统，包括上述的电池组件。
[0022]本申请实施例的太阳能电池、电池组件、光伏系统，由于在硼硅玻璃层和磷硅玻璃层上分别设置表面钝化层，故可以提高钝化效果。而且，硼硅玻璃层和磷硅玻璃层分别在制作P型半导体层和N型半导体层时同时形成，故可以简化钝化结构制备的工艺和设备，有利于降低成本。
附图说明
[0023]图1是本申请一实施例的太阳能电池的结构示意图；
[0024]图2是本申请一实施例的太阳能电池的结构示意图；
[0025]图3是本申请一实施例的太阳能电池的结构示意图；
[0026]图4是本申请一实施例的太阳能电池的结构示意图；
[0027]图5是本申请一实施例的太阳能电池的结构示意图；
[0028]图6是本申请一实施例的太阳能电池的结构示意图；
[0029]图7是本申请一实施例的太阳能电池的制作方法的流程示意图；
[0030]图8是本申请一实施例的太阳能电池的制作方法的流程示意图；
[0031]图9是本申请一实施例的太阳能电池的制作方法的流程示意图；
[0032]主要元件符号说明：
[0033]太阳能电池100、硅衬底101；第一区域110、第一界面钝化层111、P型半导体层112、硼硅玻璃层113、第一表面钝化层114、第一电极115；第二区域120、第二界面钝化层121、N型半导体层122、磷硅玻璃层123、第二表面钝化层124、第二电极125。
具体实施方式
[0034]为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
[0035]本申请中，在硼硅玻璃层和磷硅玻璃层上分别设置表面钝化层，故可以提高钝化效果。而且，硼硅玻璃层和磷硅玻璃层分别在制作P型半导体层和N型半导体层时同时形成，故可以简化钝化结构制备的工艺和设备，有利于降低成本。
[0036]实施例一
[0037]请参阅图1，本申请实施例的太阳能电池100，包括：
[0038]硅衬底101；
[0039]依次设于硅衬底101的第一区域110的P型半导体层112、硼硅玻璃层113、第一表面钝化层114和第一电极115，第一电极115穿过第一表面钝化层114和硼硅玻璃层113，并与P型半导体层112接触；
[0040]依次设于硅衬底101的第二区域120的N型半导体层122、磷硅玻璃层123、第二表面钝化层124和第二电极125，第二电极125穿过第二表面钝化层124和磷硅玻璃层123，并与N型半导体层122接触。
[0041]本申请实施例的太阳能电池100，由于在硼硅玻璃层113和磷硅玻璃层123上分别设置表面钝化层，故可以提高钝化效果。而且，硼硅玻璃层113和磷硅玻璃层123分别在制作P型半导体层112和N型半导体层122时同时形成，故可以简化钝化结构制备的工艺和设备，
有利于降低成本。
[0042]具体地，硅衬底101可为P型硅衬底，也可为N型硅衬底。
[0043]具体地，请参阅图1，第一区域110和第二区域120可位于硅衬底101的两面，换言之，太阳能电池100可为双面接触电池；请参阅图2和图3，第一区域110和第二区域120也可交错地位于硅衬底101的同一面，换言之，太阳能电池100可为背接触电池。
[0044]具体地，P型半导体层112可通过扩散形成。如此，可在形成P型半导体的同时，形成硼硅玻璃层113，从而简化钝化结构制备的工艺和设备。
[0045]具体地，第一表面钝化层114为氮化硅层。如此，可以在减反射的同时，H离子会结合悬挂键，减少复合中心，起到钝化的效果。
[0046]在其他的实施例中，第一表面钝化层114也可为氧化铝层、氮化硅层、氮氧化硅层、碳化硅层、非晶硅层及氧化硅层中的一种或多种组合。
[0047]具体地，第一表面钝化层114可为一层或多层。在第一表面钝化层114为多层的情况下，相邻两层第一表面钝化层114的折射率不同。如此，可以通过折射率不同的第一表面钝化层114，形成梯度消光，从而提高减反射的效果。
[0048]具体地，第一电极115可为银电极、铜电极、铝电极、锡包铜电极或银包铜电极。
[0049]具体地，N型半导体层122可通过扩散形成。如此，可在形成N型本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：硅衬底；依次设于所述硅衬底的第一区域的P型半导体层、硼硅玻璃层、第一表面钝化层和第一电极，所述第一电极穿过所述第一表面钝化层和所述硼硅玻璃层，并与所述P型半导体层接触；依次设于所述硅衬底的第二区域的N型半导体层、磷硅玻璃层、第二表面钝化层和第二电极，所述第二电极穿过所述第二表面钝化层和所述磷硅玻璃层，并与所述N型半导体层接触。2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述硼硅玻璃层的厚度为1nm
‑
20nm；和/或，所述磷硅玻璃层的厚度为1nm
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20nm。3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述硼硅玻璃层的厚度为1nm

【专利技术属性】
技术研发人员：王永谦，林文杰，邱开富，陈刚，
申请(专利权)人：浙江爱旭太阳能科技有限公司，
类型：新型
国别省市：