钝化接触太阳能电池及其背面钝化结构的制作方法技术

本发明专利技术是一种钝化接触太阳能电池及其背面钝化结构的制作方法。该钝化接触太阳能电池包含硅基板及的背面钝化结构，该背面钝化结构包含穿隧氧化层、N型掺杂多晶硅薄膜及覆盖层，该穿隧氧化层形成于该硅基板上，该N型掺杂多晶硅薄膜通过等离子体增强化学气相沉积制程形成于该穿隧氧化层上，且该N型掺杂多晶硅薄膜的厚度介于30

【技术实现步骤摘要】
钝化接触太阳能电池及其背面钝化结构的制作方法


[0001]本专利技术是关于一种钝化接触太阳能电池，特别是关于一种具背面钝化结构的钝化接触太阳能电池及其背面钝化结构的制作方法。

技术介绍

[0002]太阳能电池的发电原理是通过半导体基板吸收太阳光能后产生自由的电子电洞对，再借由半导体基板内部扩散所建立的电场将自由电子与电洞分别搜集在半导体基板的两侧，最后以导线连接在半导体基板两侧形成回路后即可产生电流。但由于半导体基板吸收太阳光能后产生的自由电子及电洞彼此相当容易复合，因此，如何在电子与电洞复合前将其搜集，为太阳能电池提高转换效率的关键。目前一种钝化接触太阳能电池将钝化层设置于半导体基板与金属电极之间，可隔开半导体基板及金属电极之间的接触而减少金属接触所造成的载子复合，能够有效的提高太阳能电池的转换效率，且钝化层的钝化能力与太阳能电池的转换效率呈正比关系，因此，如何提高钝化层的钝化能力成了高转换效率的钝化接触太阳能电池的研究发展重点之一。

技术实现思路

[0003]本专利技术的主要目的在于以等离子体增强化学气相沉积形成的N型掺杂多本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种钝化接触太阳能电池，其特征在于，其包含：硅基板；及背面钝化结构，该背面钝化结构包含：穿隧氧化层，形成于该硅基板上；N型掺杂多晶硅薄膜，通过等离子体增强化学气相沉积制程形成于该穿隧氧化层上，且该穿隧氧化层位于该硅基板及该N型掺杂多晶硅薄膜之间，其中该N型掺杂多晶硅薄膜的厚度介于30
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100nm之间；以及覆盖层，形成于该N型掺杂多晶硅薄膜上，该N型掺杂多晶硅薄膜位于该覆盖层及该穿隧氧化层之间。2.根据权利要求1所述的钝化接触太阳能电池，其特征在于，该N型掺杂多晶硅薄膜的结晶度介于80
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100％、片电阻介于50
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120Ω/cm2。3.根据权利要求1所述的钝化接触太阳能电池，其特征在于，该穿隧氧化层的厚度介于0.1
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3nm之间。4.根据权利要求1所述的钝化接触太阳能电池，其特征在于，该钝化接触太阳能电池的该背面钝化结构的载子生命周期不小于2990μs，且暗喻电压不小于707mV。5.一种钝化接触太阳能电池的背面钝化结构的制作方法，其特征在于，其包含：在硅基板的背面形成穿隧氧化层；通过等离子体增强化学气相沉积制程形成N型掺杂多晶硅薄膜于该穿隧氧化层上，该穿隧氧...

【专利技术属性】
技术研发人员：田伟辰，吴以德，叶昌鑫，洪政源，黄俊凯，
申请(专利权)人：财团法人金属工业研究发展中心，
类型：发明
国别省市：