太阳能电池及其制备方法、光伏组件技术

本申请提供一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件，其中，所述太阳能电池包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底的后表面的隧穿层；位于所述隧穿层的至少部分表面的掺杂阻挡层；位于所述掺杂阻挡层表面的掺杂导电层，所述掺杂导电层包括交替设置的轻掺杂导电区域及重掺杂导电区域，其中，所述轻掺杂导电区域包括N层层叠设置的多晶硅层，且至少两层多晶硅层之间设有纳米氧化硅层，N≥3；位于所述轻掺杂导电区域表面的第一钝化层；以及与所述重掺杂导电区域一一对应且接触的第一电极。本申请提供的太阳能电池能够提高电池的填充因子效率。太阳能电池能够提高电池的填充因子效率。太阳能电池能够提高电池的填充因子效率。

【技术实现步骤摘要】
太阳能电池及其制备方法、光伏组件


[0001]本申请涉及光伏电池
，具体地讲，涉及太阳能电池及其制备方法、光伏组件。

技术介绍

[0002]TOPCon(tunnel oxide passivation contact)电池全称为隧穿氧化钝化接触电池，其核心在于超薄的隧穿氧化层以及重掺杂的多晶硅层，超薄氧化层可以使电子隧穿进入多晶硅层，同时阻挡空穴的输运，降低复合速率，提升电池的钝化效果及转化效率。重掺杂多晶硅又有一定的寄生光吸收，背面较厚的多晶硅层导致电池短路电流的降低。
[0003]目前常用的丝网印刷方式的金属化浆料高温烧结导致银侵蚀约30nm深度的多晶硅。然而整体多晶硅层较厚或者高浓度掺杂的多晶硅导致寄生光吸收。另外，丝网印刷金属化工艺中使用的高温烧制步骤会降低钝化和接触区域中磷掺杂多晶硅结构的钝化质量，进而降低钝化效果，进一步导致太阳能电池的填充因子降低，光电转换效率下降。

技术实现思路

[0004]鉴于此，本申请提出一种太阳能电池及光伏组件，能够提高太阳能电池的填充因子，提升光电转换效率。
[00本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底的后表面的隧穿层；位于所述隧穿层的至少部分表面的掺杂阻挡层；位于所述掺杂阻挡层表面的掺杂导电层，所述掺杂导电层包括交替设置的轻掺杂导电区域及重掺杂导电区域，其中，所述轻掺杂导电区域包括N层层叠设置的多晶硅层，且至少两层多晶硅层之间设有纳米氧化硅层，N≥3；位于所述轻掺杂导电区域表面的第一钝化层；以及与所述重掺杂导电区域一一对应且接触的第一电极。2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述重掺杂导电区域的宽度大于等于所述第一电极的宽度。3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述掺杂阻挡层设置于所述隧穿层远离所述半导体衬底的整个表面。4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述掺杂阻挡层间隔设置于所述隧穿层的部分表面，且位于所述隧穿层与所述重掺杂导电区域之间。5.根据权利要求3或4所述的太阳能电池，其特征在于，其满足以下特征中的至少一种：(1)所述轻掺杂导电区域的厚度为H1 nm，40≤H1≤100；(2)所述重掺杂导电区域的厚度为H2 nm，60≤H2≤130；(3)所述重掺杂导电区域的厚度为H2 nm，所述轻掺杂多晶硅区域的厚度为H1 nm，20≤H2
‑
H1≤50；(4)所述轻掺杂导电区域的宽度为D1μm，200≤D1≤1500；(5)所述重掺杂导电区域的宽度为D2μm，40≤D2≤90。6.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述轻掺杂导电区域包括层叠设置的第一层多晶硅层、第二层多晶硅层及第三层多晶硅层，且第二层多晶硅层与第三层多晶硅层之间设有纳米氧化硅层。7.根据权利要求6所述的太阳能电池，其特征在于，所述第三层多晶硅层的带隙大于所述纳米氧化硅层的带隙。8.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述轻掺杂导电区域的磷掺杂浓度为0.8E20 cm
‑3～4E20 cm
‑3，所述重掺杂导电区域的掺杂浓度为4E20 c...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘长明，
申请(专利权)人：浙江晶科能源有限公司，
类型：发明
国别省市：