一种基于自钝化MXene/Si范德瓦尔斯肖特基结的高速光探测器制造技术

本发明专利技术公开了一种基于自钝化MXene/Si范德瓦尔斯肖特基结的高速光探测器，是以设有绝缘层的单晶硅衬底作为基底，通过刻蚀掉部分区域的绝缘层裸露出硅，在裸露的硅上旋涂MXene薄膜，在单晶硅衬底的下表面设置与单晶硅衬底呈欧姆接触的底电极，MXene薄膜与硅形成肖特基结。本发明专利技术所制备的光探测器具有肖特基势垒高度高、响应速度快、电流大、自钝化等优势，同时具有制备方法简单、兼容性强、稳定性高、易制备大面积器件等优点。备大面积器件等优点。备大面积器件等优点。

【技术实现步骤摘要】
一种基于自钝化MXene/Si范德瓦尔斯肖特基结的高速光探测器


[0001]本专利技术属于半导体光电器件
，具体涉及一种基于自钝化MXene/Si范德瓦尔斯肖特基结的高速光探测器。

技术介绍

[0002]硅基肖特基二极管(Si
‑
SBDs)由于低功耗、超高速、简单的器件结构、廉价的制造工艺等特点，在构建高速光探测器中具有重要的应用前景和发展潜力，但Si
‑
SBDs的响应速度等光电响应特性受限于肖特基势垒高度(Ф
B
)和界面态密度。传统金属
‑
Si肖特基界面处不可避免的化学无序和费米能级钉扎，难以实现理想情况下的肖特基势垒高度，这会严重影响硅肖特基二极管的响应速度等性能(参考文献：[1]LiuY，GuoJ，ZhuE,etal.Approachingthe Schottky
‑
MottlimitinvanderWaalsmetal
–
semiconductorjunctions[J].Nature，2018,557,696.]。为提高金本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于自钝化MXene/Si范德瓦尔斯肖特基结的高速光探测器，其特征在于：所述光探测器是以设有绝缘层(1)的单晶硅衬底(3)作为基底，通过刻蚀掉部分区域的绝缘层裸露出硅；在裸露的硅上旋涂MXene薄膜(2)；在所述单晶硅衬底(3)的下表面设置与单晶硅衬底呈欧姆接触的底电极(4)；所述MXene薄膜与硅形成肖特基结。2.根据权利要求1所述的基于自钝化MXene/Si范德瓦尔斯肖特基结的高速光探测器，其特征在于：所述单晶硅衬底的厚度为100μm
‑
500μm。3.根据权利要求1所述的基于自钝化MXene/Si范德瓦尔斯肖特基结的高速光探测器，其特征在于：所述绝缘层为50nm
‑
300nm厚的...

【专利技术属性】
技术研发人员：于永强，蔡凯荣，蒋露露，刘心琪，陆媛，张浩，崔英豪，陆梦雪，
申请(专利权)人：合肥工业大学，
类型：发明
国别省市：