一种芯片排晶方法及其装置制造方法及图纸

本申请提供一种芯片排晶方法及其装置，涉及芯片排晶技术领域。该方法包括：将载有待排芯片的载体与待置组件之间的距离划分为预升高度和留白高度；所述留白高度的高度值大于待排芯片的厚度；以第一速度将待排芯片顶升所述预升高度；监测到达所述预升高度后的待排芯片与所述待置组件之间实际间隙的实际高度值；以第二速度顶升待排芯片上升所述实际高度值。本方法将芯片排晶过程中的顶起操作分为两步，并在第二次顶升前检测待排芯片与待置组件之间的实际间隙高度值。这样通过检测到的实际间隙高度值可以精准把控芯片被继续顶升的高度，以使芯片恰好贴置待置组件上，避免芯片因上升高度不精准而导致的排晶漏排或芯片暗伤的问题。度不精准而导致的排晶漏排或芯片暗伤的问题。度不精准而导致的排晶漏排或芯片暗伤的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种芯片排晶方法及其装置


[0001]本专利技术涉及芯片排晶
，尤其涉及一种芯片排晶方法及其装置。

技术介绍

[0002]Mini/Micro LED显示技术是指以自发光的微米量级的LED为发光像素单元，将其组装到驱动面板上形成高密度LED阵列的显示技术。由于micro LED芯片尺寸小、集成度高和自发光等特点，其显示方面与LCD、OLED相比在亮度、分辨率、对比度、能耗、使用寿命、响应速度和热稳定性等方面具有更大的优势。
[0003]然而，在利用微型LED芯片的过程中，微型LED芯片的批量转移一直是影响其产业化生产一大难点，而微型LED显示器必须经过大量重复转移的制程，才能使晶圆上的LED芯片切实运用到显示器上。
[0004]在现有的转移技术中，为了确保芯片在转移至玻璃面板上后仍然为合格芯片，专利CN2022105249814采用在转移至玻璃面板前增设检测芯片是否合格的技术手段。但在实际操作中，即使转移前检测到芯片为合格芯片，但最后的排晶结果中仍存在芯片暗伤或漏排的问题。

技术实现思路

>[0005]本专利本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片排晶方法，其特征在于，所述方法包括：将载有待排芯片的载体与待置组件之间的距离划分为预升高度和留白高度；所述留白高度的高度值大于待排芯片的厚度；将待排芯片顶升所述预升高度；监测到达所述预升高度后的待排芯片与所述待置组件之间实际间隙的实际高度值；将到达所述预升高度后的待排芯片顶升所述实际高度值。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，待排芯片以第一速度被顶升所述预升高度，待排芯片以第二速度顶升所述实际高度值；其中，所述第二速度为匀速；所述第一速度的平均速度大于所述第二速度。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述预升高度大于所述留白高度。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一速度和所述第二速度由先导电磁阀控制。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在将载有待排芯片的载体与待置组件之间的距离划分为预升高度和留白高度之前，所述方法还包括：确定待置组件中的待排晶范围，并在所述排晶范围中确定排晶基准点；确定载体上预排芯片范围，并确定首颗待排芯片；按照所述排晶基准点与所述待排芯片的对应位置，将所述待置组件移至所述载体上方的作业位置。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在所述将待排芯片顶升所述预升高度之前，所述方法还包括：检测待排芯片是否无损...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭孟菲，胡恒广，闫冬成，赖余盟，周一航，黄星桦，刘开怀，
申请(专利权)人：东旭科技集团有限公司，
类型：发明
国别省市：