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一种芯片排晶方法及其装置制造方法及图纸
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文档序号:37851859
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本申请提供一种芯片排晶方法及其装置,涉及芯片排晶技术领域。该方法包括:将载有待排芯片的载体与待置组件之间的距离划分为预升高度和留白高度;所述留白高度的高度值大于待排芯片的厚度;以第一速度将待排芯片顶升所述预升高度;监测到达所述预升高度后的待...
该专利属于东旭科技集团有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过东旭科技集团有限公司授权不得商用。
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