高纯度1,1,3,3-四甲基二硅氧烷及其制备方法技术

技术编号:37851594 阅读:28 留言:0更新日期:2023-06-14 22:42
本发明专利技术涉及有机硅材料技术领域,是一种高纯度1,1,3,3

【技术实现步骤摘要】
高纯度1,1,3,3

四甲基二硅氧烷及其制备方法


[0001]本专利技术涉及有机硅材料
,是一种高纯度1,1,3,3

四甲基二硅氧烷及其制备方法。

技术介绍

[0002]四甲基二硅氧烷,又称“含氢双封头”,利用其端基上的Si

H键,通过硅氢化反应,可在聚硅氧烷分子链上引入各种有机基团,所以端氢基聚硅氧烷在塑料、树脂改性、硅油改性、液体硅橡胶的交联剂、特种有机硅表面活性剂及树枝状聚合物的合成中有着重要的用途。
[0003]目前,国内有关1,1,3,3

四甲基二硅氧烷的合成鲜有报道,国外主要的合成方法有3种,(1)直接法:EP348902B(CameronRA,LewisKM,KannerB,etal.DirectSynthesisProcessforOrganohalohydrosilanes:1990

01

03.)公开了一种制备有机卤代氢硅烷的制备方法,通过活性硅与有机卤化物和氢的混合物在选定的金属原子浓度受控本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高纯度1,1,3,3

四甲基二硅氧烷的制备方法,其特征在于按照下述步骤进行:第一步,将所需量的主要成分为二甲基含氢一氯硅烷的有机硅低沸物与水混合进行水解反应,得到含有1,1,3,3

四甲基二硅氧烷的水解物粗油;第二步,将含有1,1,3,3

四甲基二硅氧烷的水解物粗油进行油酸分离,分离得到的含酸粗油经一级水洗后,得到1,1,3,3

四甲基二硅氧烷低沸水解油;第三步,将1,1,3,3

四甲基二硅氧烷低沸水解油经二级水洗后,进行一级常压间歇精馏,并提取一级常压精馏塔塔顶馏分;第四步,将提取的一级常压精馏塔塔顶馏分经三级水洗后,进行二级常压间歇精馏,并提取二级常压精馏塔塔顶馏分,得到高纯度1,1,3,3

四甲基二硅氧烷。2.根据权利要求1所述的高纯度1,1,3,3

四甲基二硅氧烷的制备方法,其特征在于第一步中,水解反应时,水与二甲基含氢一氯硅烷的质量比为2:1,水解反应温度为8℃至10℃。3.根据权利要求1或2所述的高纯度1,1,3,3

四甲基二硅氧烷的制备方法,其特征在于第一步中,主要成分为二甲基含氢一氯硅烷的有机硅低沸物中,二甲基含氢一氯硅烷的质量含量高于50%,得到含有1,1,3,3

【专利技术属性】
技术研发人员:张志雄余子舰刘少龙李玉欢余昌府刘飞
申请(专利权)人:合盛硅业鄯善有限公司
类型:发明
国别省市:

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