含硅化合物及其在有机发光装置的应用制造方法及图纸

本发明专利技术涉及有机光电材料制备技术领域，具体涉及含硅化合物及其在有机发光装置的应用，所公开的含硅化合物具有下述式(I)所示结构：，式(I)式(I)中，A环、B环、C环为无取代、单取代或多取代的芳基环、杂芳基环或杂烷基环；R1、R2、R3、R4、R5代表多取代基团，可为无取代、单取代或多取代；R1‑

【技术实现步骤摘要】
含硅化合物及其在有机发光装置的应用


[0001]本专利技术涉及有机光电材料制备
，具体涉及含硅化合物及其在有机发光装置的应用。

技术介绍

[0002]随着多媒体技术的发展及信息化要求的提高，对面板显示器性能的要求越来越高。其中， OLED具有自主发光、低电压直流驱动、全固化、视角宽、颜色丰富等一系列的优点，在新一代显示器和照明技术中的潜在应用而引起广泛注意，应用前景十分广阔。有机电致发光器件是自发的发光器件，OLED发光的机理是在外加电场作用下，电子和空穴分别从正负两极注入后在有机材料中迁移、复合并衰减而产生发光。OLED的典型结构包括阴极层、阳极层、电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层、空穴传输层、空穴注入层和发光层中的一种或几种功能层。尽管有机电致发光的研究进展非常迅速，但仍有很多亟待解决的问题，例如高效长寿命的蓝光材料一直是本领域技术人员亟待解决的问题。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的是针对现有技术不足，提供一种含硅化合物及其在有机发光装置的应用。本专利技术通过引入三苯基硅大位阻基团，有效抑制发光分子间的相本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种含硅化合物，其特征在于，所述含硅化合物具有下述式（I)所示结构：，式(I)式(I)中，A环、B环、C环为无取代、单取代或多取代的芳基环、杂芳基环或杂烷基环；R1、R2、R3、R4、R5代表多取代基团，可为无取代、单取代或多取代；R1‑
R5中至少一个取代基团独立地选自如式(II)所示的结构。2.根据权利要求1所述的含硅化合物，其特征在于，当R1‑
R5为其他取代基时，R1‑
R5各自独立地选自由氢、氧、氮、碳数1～24的烷基、碳数3～14的环烷基、碳数6～20的芳基、碳数6～20的杂芳基所组成的组中。3.根据权利要求1所述的含硅化合物，其特征在于，式(I)中，A环为苯环或噻吩，B环、C环各自独立地为苯环或吡啶。4.根据权利要求1所述的含硅化合物，其特征在于，式(I)所表示的化合物中的至少一个氢可由氘、氰基或卤素取代。5.根据权利要求1所述的含硅化合物，其特征在于，当R1‑
R5为其他取代基时，R1‑
R5可以各自独立地选自包含如下取代基的基团：
，*是连接点，以及基团可以是未取代的或被其他取代基取代，其他取代基可以选自氘、碳数1～24的烷基、碳数3～14的环烷基、碳数6～20的芳基、碳数6～20的杂芳基。6.根据权利要求1所述的含硅化合物，其特征在于，所述含硅化合物选自如下所示化学结构中的任意一种，其中“D”表示氘：
。7.根据权利要求1

【专利技术属性】
技术研发人员：樊健，张磊，高春吉，申屠晓波，刘运起，
申请(专利权)人：浙江华显光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：