一种TVS二极管生产工艺制造技术

技术编号:37847230 阅读:13 留言:0更新日期:2023-06-14 22:32
本发明专利技术提供一种TVS二极管生产工艺,涉及TVS二极管生产技术领域,包括:材料预备,所述材料预备是对TVS二极管生产所需求材料进行提前准备的步骤;预处理,所述预处理是对所准备材料进行预处理的步骤。本发明专利技术,通过设计预处理,将存在受损现象的原材料与完好的原材料进行分离,使原材料具有良好的筛分措施,利用修整仪器对受损的原材料进行修整,使受损的原材料具有良好的修整措施,降低原材料出现浪费现象的概率,提高受损原材料的缺陷修整措施,避免造成存在受损现象的原材料加入TVS二极管生产工序中,降低TVS二极管产品因选择的单晶硅片存在受损现象而造成质量品质受影响现象的概率,提高TVS二极管利用单晶硅片生产的质量效果。效果。

【技术实现步骤摘要】
一种TVS二极管生产工艺


[0001]本专利技术涉及TVS二极管生产
,尤其涉及一种TVS二极管生产工艺。

技术介绍

[0002]现有的TVS二极管在进行生产加工的过程中,大多数是利用相关的单晶硅片作为原材料并进行各项加工处理,而常见的作为原材料进行使用的单晶硅片,大多数是利用现有的单晶硅片成品进行加工处理,由于单硅晶片成品进行作为原材料进行使用前,因存放环境或单硅晶片生产完成后质量检验失误等影响,难免会造成存有缺陷的单晶硅片出现在原材料中,若直接对选择的单晶硅片作为原材料进行使用,则非常容易造成TVS二极管在生产加工的过程中出现意外情况,导致TVS二极管容易出现无法正常进行生产加工现象,甚至造成完成生产加工的TVS二极管因使用的单晶硅片原材料存在缺陷问题而影响成品质量品质,导致单晶硅片在作为原材料进行使用前不具有良好的预处理措施,严重影响了TVS二极管成品的质量效果。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的是为了解决现有技术中存在的缺点,常见的TVS二极管所使用的原材料大多数为存放的单晶硅片成品,直接进行使用时,非常容易造成TVS二极管在生产加工过程中出现无法正常生产加工现象,甚至对TVS二极管成品的质量效果造成影响。
[0004]为了实现上述目的,本专利技术采用了如下技术方案:一种TVS二极管生产工艺,包括以下生产步骤:
[0005]S1、材料预备,所述材料预备是对TVS二极管生产所需求材料进行提前准备的步骤;
[0006]S2、预处理,所述预处理是对所准备材料进行预处理的步骤;
[0007]S3、扩散处理,所述扩散处理是材料完成预处理后进行扩散处理的步骤;
[0008]S4、一次加工,所述一次加工是材料完成扩散处理后进行一次加工的步骤;
[0009]S5、刻蚀处理,所述刻蚀处理是材料完成一次加工后进行刻蚀处理的步骤;
[0010]S6、二次加工,所述二次加工是材料完成刻蚀处理后进行二次加工的步骤;
[0011]S7、封装处理,所述封装处理是材料完成二次加工后进行封装处理的步骤。
[0012]作为一种优选的实施方式,所述步骤S1中,根据TVS二极管生产时所需求的材料预备,按照所需求材料进行选择相应的单晶硅片材料作为原材料,并结合TVS二极管成品所需求的大小,在原材料选择完成后进行分类放置,以便于TVS二极管在生产过程中可以及时使用。
[0013]作为一种优选的实施方式,所述步骤S2中,对所选择并分类放置的材料进行预处理,观察所选择的单晶硅片原材料表面是否存在受损现象,将存在受损现象的原材料和完好的原材料进行筛分,筛分完成后,利用相关修整仪器对筛分后存在受损现象的原材料进行处理,在受损的原材料经过修整后再次进行观察,再次观察的过程中,利用相关的检测仪
器对完成修整的原材料进行检测,将经过修正后表现完好的原材料与依旧存在受损现象的原材料进行筛分,去除经过修整后依旧存在受损现象的原材料;
[0014]2.1)观察筛分,所述观察筛分是对所选择的原材料进行是否存在受损现象并对原材料进行筛分的步骤,对完成大小分类放置的原材料进行观察,并按照大小分类放置的措施将存在受损的原材料与完好材料进行筛分;
[0015]2.2)仪器修整,所述仪器修整是对完成筛分后存在受损现象的原材料进行修整处理的步骤,对所筛分存在受损的原材料进行修整,利用相关修整仪器对原材料受损处进行修整;
[0016]2.3)检测筛分,所述检测筛分是对完成修整处理的受损原材料进行检测筛分的步骤,当存在受损的原材料经过修整处理后,利用相关的检测仪器对修整完成后的原材料进行检测,并在检测的过程中将完好的原材料和依旧存在受损的原材料进行筛分;
[0017]2.4)去除受损原材料,所述去除受损原材料是对经过修正处理后依旧存在受损原材料进行去除的步骤,将筛分后依旧存在受损现象的原材料与经过修整后完好的原材料进行分离,并将经过修整处理后完好的原材料放置到初次筛分便处于完好的原材料处。
[0018]作为一种优选的实施方式,所述步骤S3中,将完成预处理的单晶硅片原材料进行整理,并加入相关的扩散炉中,原材料放进扩散炉中后,启动扩散炉运行,原材料在扩散炉中进行退火扩散处理,直至原材料在扩散炉中完成退火扩散处理,从扩散炉中取出完成退火扩散处理的原材料,在原材料进行退火扩散处理时,需按照原材料大小放置的措施依次进行退火扩散处理,避免大小不同的原材料同时利用扩散炉进行退火扩散处理。
[0019]作为一种优选的实施方式,所述步骤S4中,对完成退火扩散处理的原材料进行一次加工,对原材料进行光刻加工,启动原材料光刻加工设备对原材料进行蚀刻,对蚀刻完成的原材料进行涂胶处理,启动相关的涂胶机对完成蚀刻的原材料进行涂胶,在原材料涂胶完成后,将涂胶的原材料放置到烘干设备中,启动烘干设备对原材料进行烘干处理,原材料烘干后进行曝光处理,在涂胶后的原材料刻出影子后进行显影和定影处理,在显影和定影的过程中加入相关的显影液和定影液,原材料完成显影和定影处理后,再次放置到烘干设备中进行烘干,使完成显影和定影处理的原材料在烘干设备的内部进行坚膜处理。
[0020]作为一种优选的实施方式,所述步骤S5中,取出烘干设备内部完成坚膜处理的原材料,对原材料进行刻蚀处理,利用相关的酸液对原材料的表面进行腐蚀处理,原材料表面经过酸液腐蚀后,去除表面吸附的杂质并获取电性品质。
[0021]作为一种优选的实施方式,所述步骤S6中,对完成刻蚀处理的原材料进行二次加工,对原材料再次进行光刻,使原材料上的节点进行防护,原材料二次光刻处理完成后进行表面镀镍处理,镀镍层包裹原材料的表面,原材料在完成镀镍处理后进行划片,启动划片设备,并将完成镀镍处理的原材料投入划片设备中进行划片处理。
[0022]作为一种优选的实施方式,所述步骤S7中,原材料经过划片处理后,完成生产工序,对完成划片处理后的产品进行封装,启动相关的封装设备对产品进行封装存储。
[0023]与现有技术相比,本专利技术的优点和积极效果在于:
[0024]本专利技术中,通过设计预处理,在TVS二极管进行生产前,对预备的单晶硅片原材料进行预处理,对选择的单晶硅片表面进行观察和筛分,将存在受损现象的原材料与完好的原材料进行分离,使原材料具有良好的筛分措施,利用修整仪器对受损的原材料进行修整,
使受损的原材料具有良好的修整措施,降低原材料出现浪费现象的概率,提高受损原材料的缺陷修整措施,通过设计扩散处理,将完成预处理的原材料放进扩散炉中进行退火扩散处理,原材料在扩散炉中进行杂质扩散去除,使原材料经过预处理后具有良好的再次处理缺陷措施,提高单晶硅片原材料在TVS二极管生产过程中正常使用的概率,避免造成存在受损现象的原材料加入TVS二极管生产工序中,降低TVS二极管产品因选择的单晶硅片存在受损现象而造成质量品质受影响现象的概率,提高TVS二极管利用单晶硅片生产的质量效果。
具体实施方式
[0025]下面将结合本专利技术实施例,对本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种TVS二极管生产工艺,其特征在于:包括以下生产步骤:S1、材料预备,所述材料预备是对TVS二极管生产所需求材料进行提前准备的步骤;S2、预处理,所述预处理是对所准备材料进行预处理的步骤;S3、扩散处理,所述扩散处理是材料完成预处理后进行扩散处理的步骤;S4、一次加工,所述一次加工是材料完成扩散处理后进行一次加工的步骤;S5、刻蚀处理,所述刻蚀处理是材料完成一次加工后进行刻蚀处理的步骤;S6、二次加工,所述二次加工是材料完成刻蚀处理后进行二次加工的步骤;S7、封装处理,所述封装处理是材料完成二次加工后进行封装处理的步骤。2.根据权利要求1所述的一种TVS二极管生产工艺,其特征在于:所述步骤S1中,根据TVS二极管生产时所需求的材料预备,按照所需求材料进行选择相应的单晶硅片材料作为原材料,并结合TVS二极管成品所需求的大小,在原材料选择完成后进行分类放置,以便于TVS二极管在生产过程中可以及时使用。3.根据权利要求1所述的一种TVS二极管生产工艺,其特征在于:所述步骤S2中,对所选择并分类放置的材料进行预处理,观察所选择的单晶硅片原材料表面是否存在受损现象,将存在受损现象的原材料和完好的原材料进行筛分,筛分完成后,利用相关修整仪器对筛分后存在受损现象的原材料进行处理,在受损的原材料经过修整后再次进行观察,再次观察的过程中,利用相关的检测仪器对完成修整的原材料进行检测,将经过修正后表现完好的原材料与依旧存在受损现象的原材料进行筛分,去除经过修整后依旧存在受损现象的原材料;2.1)观察筛分,所述观察筛分是对所选择的原材料进行是否存在受损现象并对原材料进行筛分的步骤,对完成大小分类放置的原材料进行观察,并按照大小分类放置的措施将存在受损的原材料与完好材料进行筛分;2.2)仪器修整,所述仪器修整是对完成筛分后存在受损现象的原材料进行修整处理的步骤,对所筛分存在受损的原材料进行修整,利用相关修整仪器对原材料受损处进行修整;2.3)检测筛分,所述检测筛分是对完成修整处理的受损原材料进行检测筛分的步骤,当存在受损的原材料经过修整处理后,利用相关的检测仪器对修整完成后的原材料进行检测,并在检测的过程中将完好的原材料和依旧存在受损的原材料进行筛分;2.4)去除受损原材料,所述去除受损原材料是对经过修正处理后依旧...

【专利技术属性】
技术研发人员:周伟伟
申请(专利权)人:无锡维矽半导体科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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