本实用新型提供一种接脚防断裂结构的二极管，涉及二极管技术领域，包括二极管主体，二极管主体的两端电连接有正负极金属柱，两个正负极金属柱的一端均设置有缓冲机构。本实用新型，使用时，将两个安装针脚与电路板外表面对应的安装点位进行焊接，在二极管...

本实用新型提供一种具有组合结构的放电管，涉及放电管技术领域，包括放电管主体，所述放电管主体两端均连接有电极引线，所述放电管主体的外表面设置有组合组件，所述组合组件包括安装座，所述安装座的内部开设有安装槽，所述安装槽的内部固定连接有安装板...

本发明公开了一种基于SiC、MOSFET的大容量半桥功率模块制作工艺，涉及半导体制作技术领域，该基于SiC、MOSFET的大容量半桥功率模块制作工艺主要包括以下几个步骤：S1、投放下盖板：将大容量半桥功率模块的下盖板投放在循环间歇转动的...

本发明提供一种TVS二极管生产工艺，涉及TVS二极管生产技术领域，包括：材料预备，所述材料预备是对TVS二极管生产所需求材料进行提前准备的步骤；预处理，所述预处理是对所准备材料进行预处理的步骤。本发明，通过设计预处理，将存在受损现象的原...

本实用新型公开了一种耐压半导体器件，包括壳体，所述壳体的表面设置有缓冲层，所述壳体的内侧壁设置有漏极，所述漏极的顶部设置有衬底，所述衬底的顶部设置有N

本实用新型公开了一种超结半导体器件，包括超结半导体器件本体和半导体安装板，所述半导体安装板的上方设有压紧盖，压紧盖压在超结半导体器件本体上，超结半导体器件本体的两侧均安装有多个半导体引脚，所述半导体安装板的顶侧开设有两个安装槽，压紧盖的...

本实用新型公开了一种大功率半导体器件，包括箱体，所述箱体的内转动连接有丝杆，所述丝杆的外侧壁螺纹连接有移动板，所述丝杆的顶端设置有驱动机构，所述箱体的外侧壁设置有防护机构，所述移动板的一侧固定安装有第一电机，启动第一电机，第一电机会带动...