本公开是关于一种芯片良率分析方法及装置、电子设备以及计算机可读存储介质，涉及半导体生产与制造技术领域。该方法包括：获取基于芯片测试得到的失效芯片信息，并获取预先存储的失效图形信息以及缺陷制程信息；基于失效图形信息与缺陷制程信息，对失效芯片信息进行数据筛选处理，得到失效芯片对应的失效图形类型；对失效图形类型中的失效图形位置与制程缺陷位置进行位置匹配处理，得到位置匹配的匹配失效图形；确定匹配失效图形对应的待分析失效数据对，基于待分析失效数据对进行良率损失计算，得到各缺陷制程对应的良率损失比例。本公开可以预测每种制程缺陷增加将对良率造成良率损失的比例，并快速找出较大良率损失的缺陷制程。制程。制程。
【技术实现步骤摘要】
芯片良率分析方法及装置、电子设备和存储介质
[0001]本公开涉及半导体生产与制造
，具体而言，涉及一种芯片良率分析方法、芯片良率分析装置、电子设备以及计算机可读存储介质。
技术介绍
[0002]芯片良率是指芯片的合格率，在生产过程中，可能因为工艺的原因生产出符合要求的芯片与不符合要求的芯片。晶圆上合格芯片数量与芯片总数的比值，这个数值越大，说明有用芯片数量越多，浪费越少。影响芯片良率的因素主要来自两大方面，包括：设计方面的影响，制程工艺缺陷或扰动对成品率的影响。
[0003]对于制程缺陷而言，目前是利用制程缺陷位置(Defect)与良率失效区域(Failure Shape Analysis，FSA)是否重叠来来判断两者的关联性，然而现有的制程缺陷与良率损失之间的分析方案，无法具体量化制程缺陷对良率造成的损失。
[0004]需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
[0005]本公开的目的在于提供一种芯片良率分析方法、芯片良率分析装置、电子设备以及计算机可读存储介质，进而至少在一定程度上克服无法分析出对良率损失具有较大影响的制程缺陷以及无法预测某种制程缺陷增加对良率损失的影响程度的问题。
[0006]本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本专利技术的实践而习得。
[0007]根据本公开的第一方面，提供一种芯片良率分析方法，包括：获取基于芯片测试得到的失效芯片信息，并获取预先存储的失效图形信息以及缺陷制程信息；基于所述失效图形信息与所述缺陷制程信息，对所述失效芯片信息进行数据筛选处理，得到失效芯片对应的失效图形类型；对所述失效图形类型中的失效图形位置与制程缺陷位置进行位置匹配处理，得到位置匹配的匹配失效图形；确定所述匹配失效图形对应的待分析失效数据对，基于所述待分析失效数据对进行良率损失计算，得到各缺陷制程对应的良率损失比例。
[0008]在本公开的一种示例性实施方案中，所述芯片测试包括功能测试；所述获取基于芯片测试得到的失效芯片信息，包括：获取基于所述功能测试得到的芯片测试结果；根据所述芯片测试结果获取目标晶圆，所述目标晶圆包括失效形状规整具有大于预设数量的制程站点数据的晶圆；根据所述目标晶圆，获取失效芯片的失效芯片标识以及芯片位置信息；基于所述失效芯片标识与所述失效位置信息，生成失效芯片信息。
[0009]在本公开的一种示例性实施方案中，所述获取预先存储的失效图形信息以及缺陷制程信息，包括：获取预先存储的失效图形类型，确定每个所述失效图形类型对应的失效图形详情信息；基于每个所述失效图形类型的失效图形详情信息，生成所述失效图形信息；获取预先存储的所述缺陷制程信息；所述缺陷制程信息包括缺陷制程类型、缺陷制程标识、缺
陷制程图形、缺陷制程位置中的任意一种或多种的组合。
[0010]在本公开的一种示例性实施方案中，所述获取预先存储的失效图形类型，包括：确定预先定义的所述失效图形类型，将所述失效图形类型存储至失效图形数据库；所述失效图形类型包括比特失效类型、字线失效类型、位线失效类型、交叉失效类型以及块失效类型中的任意一种与多种的组合；所述比特失效类型，所述比特失效类型包括单个单元失效类型、双单元失效类型与簇单元失效类型；所述字线失效类型，所述字线失效类型包括单字线失效类型与多字线失效类型；所述位线失效类型，所述位线失效类型包括单位线失效类型与多位线失效类型；所述交叉失效类型，所述交叉失效类型由所述字线失效类型与所述位线失效类型产生交叉构成；所述块失效类型，所述块失效类型由至少一失效区域块组成。
[0011]在本公开的一种示例性实施方案中，所述缺陷制程信息包括目标缺陷制程；所述基于所述失效图形信息与所述缺陷制程信息，对所述失效芯片信息进行数据筛选处理，得到失效芯片对应的失效图形类型，包括：确定与目标晶圆匹配的目标缺陷制程；基于所述失效图形信息与所述目标缺陷制程，对所述失效芯片信息进行数据筛选处理，得到所述失效图形类型。
[0012]在本公开的一种示例性实施方案中，所述对所述失效图形类型中的失效图形位置与制程缺陷位置进行位置匹配处理，得到位置匹配的匹配失效图形，包括：将每个所述失效图形类型中的所述失效图形位置，分别与所述制程缺陷位置进行一一匹配，得到匹配结果；将所述匹配结果为所述失效图形位置与所述制程缺陷位置匹配的失效图形，作为所述匹配失效图形。
[0013]在本公开的一种示例性实施方案中，所述将所述匹配结果为所述失效图形位置与所述制程缺陷位置匹配的失效图形，作为所述匹配失效图形，包括：当所述失效图形位置与所述制程缺陷位置匹配的情况下，获取与所述失效图形位置对应的失效相关信息；基于所述失效相关信息确定失效芯片标识，根据所述失效芯片标识确定所述匹配失效图形。
[0014]在本公开的一种示例性实施方案中，所述确定所述匹配失效图形对应的待分析失效数据对，包括：获取所述缺陷制程与所述匹配失效图形构成的制程图形数据对；当一所述缺陷制程对应多个所述匹配失效图形时，从多个匹配失效图形中，筛选出失效等级最高的匹配失效图形作为目标失效图形；基于所述目标失效图形与所述缺陷制程，生成所述待分析失效数据对。
[0015]在本公开的一种示例性实施方案中，所述确定所述匹配失效图形对应的待分析失效数据对，还包括：当一所述匹配失效图形对应多个缺陷制程时，从多个所述缺陷制程中随机选择一缺陷制程，作为目标缺陷制程；基于所述目标缺陷制程与所述匹配失效图形，生成所述待分析失效数据对。
[0016]在本公开的一种示例性实施方案中，所述基于所述待分析失效数据对进行良率损失计算，得到各缺陷制程对应的良率损失比例，包括：根据所述待分析失效数据对确定总失效比例；确定所述待分析数据对中包含的待分析缺陷制程，确定每个所述待分析缺陷制程对应的制程匹配比例；根据所述总失效比例与各所述制程匹配比例，确定多个所述待分析制程对应的良率损失比例。
[0017]在本公开的一种示例性实施方案中，所述确定每个所述待分析缺陷制程对应的制程匹配比例，包括：基于所述待分析失效数据对确定失效芯片总数量；获取每个所述待分析
制程对应的制程失效芯片数量；基于所述失效芯片总数量与所述制程失效芯片数量，确定所述制程匹配比例。
[0018]在本公开的一种示例性实施方案中，所述方法还包括：获取预先配置的失效比例阈值；将所述良率损失比例大于所述失效比例阈值的缺陷制程，作为待修正制程；对所述待修正制程进行制程调整处理。
[0019]根据本公开的第二方面，提供一种芯片良率分析装置，包括：信息获取模块，用于获取基于芯片测试得到的失效芯片信息，并获取预先存储的失效图形信息以及缺陷制程信息；失效类型确定模块，用于基于所述失效图形信息与所述缺陷制程信息，对所述失效芯片信息进行数据筛选处理，得到失效芯片对应的失效图形类型；失效图形匹配模块，用于对所述失效图形类型中的失效图形本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种芯片良率分析方法，其特征在于，包括：获取基于芯片测试得到的失效芯片信息，并获取预先存储的失效图形信息以及缺陷制程信息；基于所述失效图形信息与所述缺陷制程信息，对所述失效芯片信息进行数据筛选处理，得到失效芯片对应的失效图形类型；对所述失效图形类型中的失效图形位置与制程缺陷位置进行位置匹配处理，得到位置匹配的匹配失效图形；确定所述匹配失效图形对应的待分析失效数据对，基于所述待分析失效数据对进行良率损失计算，得到各缺陷制程对应的良率损失比例。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述芯片测试包括功能测试；所述获取基于芯片测试得到的失效芯片信息，包括：获取基于所述功能测试得到的芯片测试结果；根据所述芯片测试结果获取目标晶圆，所述目标晶圆包括失效形状规整具有大于预设数量的制程站点数据的晶圆；根据所述目标晶圆，获取失效芯片的失效芯片标识以及芯片位置信息；基于所述失效芯片标识与所述失效位置信息，生成失效芯片信息。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取预先存储的失效图形信息以及缺陷制程信息，包括：获取预先存储的失效图形类型，确定每个所述失效图形类型对应的失效图形详情信息；基于每个所述失效图形类型的失效图形详情信息，生成所述失效图形信息；获取预先存储的所述缺陷制程信息；所述缺陷制程信息包括缺陷制程类型、缺陷制程标识、缺陷制程图形、缺陷制程位置中的任意一种或多种的组合。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述获取预先存储的失效图形类型，包括：确定预先定义的所述失效图形类型，将所述失效图形类型存储至失效图形数据库；所述失效图形类型包括比特失效类型、字线失效类型、位线失效类型、交叉失效类型以及块失效类型中的任意一种与多种的组合；所述比特失效类型，所述比特失效类型包括单个单元失效类型、双单元失效类型与簇单元失效类型；所述字线失效类型，所述字线失效类型包括单字线失效类型与多字线失效类型；所述位线失效类型，所述位线失效类型包括单位线失效类型与多位线失效类型；所述交叉失效类型，所述交叉失效类型由所述字线失效类型与所述位线失效类型产生交叉构成；所述块失效类型，所述块失效类型由至少一失效区域块组成。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述缺陷制程信息包括目标缺陷制程；所述基于所述失效图形信息与所述缺陷制程信息，对所述失效芯片信息进行数据筛选处理，得到失效芯片对应的失效图形类型，包括：确定与目标晶圆匹配的目标缺陷制程；基于所述失效图形信息与所述目标缺陷制程，对所述失效芯片信息进行数据筛选处
理，得到所述失效图形类型。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述失效图形类型中的失效图形位置与制程缺陷位置进行位置匹配处理，得到位置匹配的匹配失效图形，包括：将每个所述失效图形类型中的所述失效图形位置，分别与所述制程缺陷位置进行一一匹配，得到匹配结果；将所述匹配结果为所述失效图形位置与所述制程缺陷位置匹配的失效图形，作为所述匹配失效图形。7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述将所述匹配结果为...
【专利技术属性】
技术研发人员：张文浩，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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