半导体测试结构及半导体参数测试方法技术

本公开是关于半导体技术领域，涉及一种半导体测试结构及半导体参数测试方法，该测试结构包括有源层、栅极结构、多各引线组以及导电连接层，其中：有源层包括有源组，有源组包括多个沿第一方向间隔分布的有源区；栅极结构在有源组上的正投影贯穿多个有源区；各引线组分别位于各有源区上，并与有源区接触连接，且各引线组均位于栅极结构的同一侧；导电连接层位于引线组远离有源层的一侧，且包括多个沿第一方向间隔分布的第一导电连接部，第一导电连接部连接于相邻的两个引线组之间，以将各有源区串联。本公开的半导体测试结构可提高引线组的电学参数的测试结果的准确率。学参数的测试结果的准确率。学参数的测试结果的准确率。

【技术实现步骤摘要】
半导体测试结构及半导体参数测试方法


[0001]本公开涉及半导体
，具体而言，涉及一种半导体测试结构及半导体参数测试方法。

技术介绍

[0002]半导体测试结构常用于测试半导体结构的各种参数，进而为半导体制程工艺的优化提供数据支持，但现有的半导体测试结构与实际产品不匹配，不能准确反映实际产品的内部构造，致使测试得到的参数的准确度较低。
[0003]需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本公开提供一种半导体测试结构及半导体参数测试方法，可提高引线组的电学参数的测试结果的准确率。
[0005]根据本公开的一个方面，提供一种半导体测试结构，包括测试区，所述测试区内设有：有源层，包括有源组，所述有源组包括多个沿第一方向间隔分布的有源区；栅极结构，所述栅极结构在所述有源组上的正投影贯穿多个所述有源区；多个引线组，各所述引线组分别位于各所述有源区上，并与所述有源区接触连接，且各所述引线组本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体测试结构，包括测试区，其特征在于，所述测试区内设有：有源层，包括有源组，所述有源组包括多个沿第一方向间隔分布的有源区；栅极结构，所述栅极结构在所述有源组上的正投影贯穿多个所述有源区；多个引线组，各所述引线组分别位于各所述有源区上，并与所述有源区接触连接，且各所述引线组均位于所述栅极结构的同一侧；导电连接层，位于所述引线组远离所述有源层的一侧，且包括多个沿所述第一方向间隔分布的第一导电连接部，所述第一导电连接部连接于相邻的两个所述引线组之间，以将各所述有源区串联。2.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述引线组包括沿所述第一方向间隔分布的第一引线和第二引线，且与多个所述有源区连接的多个所述第一引线和多个所述第二引线沿所述第一方向交替分布；在所述第一方向上，相邻的两个所述有源区中，所述第一导电连接部的一端部和与前一所述有源区连接的第二引线连接，所述第一导电连接部的另一端和与后一所述有源区连接的第一引线连接。3.根据权利要求2所述的测试结构，其特征在于，所述第一引线和所述第二引线分别位于所述有源区的边缘区域。4.根据权利要求2所述的测试结构，其特征在于，所述第一引线和/或所述第二引线在所述有源层上的正投影的部分区域位于所述有源区以外。5.根据权利要求2所述的测试结构，其特征在于，所述测试结构还包括第一冗余区，所述第一冗余区至少设于所述测试区的一侧，所述第一冗余区和所述测试区邻接分布，所述第一冗余区内设有：参考有源层，所述参考有源层包括多个沿所述第一方向间隔分布的参考有源区；多个参考引线组，各所述参考引线组分别位于各所述参考有源区上，并与所述参考有源区接触连接；参考导电层，位于所述参考引线组远离所述参考有源层的一侧，且与所述参考引线组接触连接。6.根据权利要求1
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5任一项所述的测试结构，其特征在于，所述测试区内的所述有源组的数量为多个，多个所述有源组沿第二方向间隔分布，所述第二方向与所述第一方向相交；所述栅极结构的数量为多个，每个所述有源组上分别设有一个所述栅极结构；所述导电连接层还包括多个沿所述第二方向间隔分布的第二导电连接部，在所述第二方向上，所述第二导电连接部连接于相邻两个所述有源组之间，以将各所述有源组串联。7.根据权利要求6所述的测试结构...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜中鹏，汪恒，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：