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本公开是关于半导体技术领域，涉及一种半导体测试结构及半导体参数测试方法，该测试结构包括有源层、栅极结构、多各引线组以及导电连接层，其中：有源层包括有源组，有源组包括多个沿第一方向间隔分布的有源区；栅极结构在有源组上的正投影贯穿多个有源区；各...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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