半导体装置的制造方法制造方法及图纸

提供能够高精度地检测蚀刻的终点的半导体装置的制造方法。在半导体基板的元件区域形成半导体元件，在半导体基板的切割线区域的一个主面即上表面之上附加至少一个凸起，向切割线区域的上表面之上进行膜的形成，在膜的形成中，以膜覆盖至少一个凸起的侧面的第一台阶、膜的上表面具有第二台阶的方式形成膜，进行膜的等离子体蚀刻，在等离子体蚀刻中，基于在膜的等离子体蚀刻中生成的生成物的发光的强度，检测等离子体蚀刻的终点。检测等离子体蚀刻的终点。检测等离子体蚀刻的终点。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体装置的制造方法。

技术介绍

[0002]在专利文献1中，公开了为了形成接触孔而使用等离子体蚀刻装置对层间绝缘膜进行蚀刻的方法。该方法具有使用蚀刻终点检测装置对层间绝缘膜的蚀刻的终点进行检测的步骤，该蚀刻终点检测装置通过从等离子体蚀刻装置的等离子体区域放出的特定波长的光的发光强度的变化来测定蚀刻的终点。
[0003]专利文献1：日本特开平11
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003882号公报
[0004]在基于蚀刻中生成的生成物的发光的强度而检测蚀刻的终点的情况下，如果该发光的强度弱则蚀刻的终点的检测精度下降。

技术实现思路

[0005]本专利技术就是为了解决上述问题而提出的，其目的在于提供一种能够增强在蚀刻中生成的生成物的发光的强度，由此高精度地检测蚀刻的终点的半导体装置的制造方法。
[0006]本专利技术的半导体装置的制造方法是，在半导体基板的元件区域形成半导体元件，在半导体基板的切割线区域的一个主面即上表面之上附加至少一个凸起，向切割线区域的上表面之上进行膜本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置的制造方法，在半导体基板的元件区域形成半导体元件，在所述半导体基板的切割线区域的一个主面即上表面之上附加至少一个凸起，向所述切割线区域的所述上表面之上进行膜的形成，在所述膜的所述形成中，以所述膜覆盖所述至少一个凸起的侧面的第一台阶、所述膜的上表面具有第二台阶的方式形成所述膜，进行所述膜的等离子体蚀刻，在所述等离子体蚀刻中，基于在所述膜的所述等离子体蚀刻中生成的生成物的发光的强度，检测所述等离子体蚀刻的终点。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，在所述膜的所述形成中，将所述膜还形成于所述元件区域的所述上表面之上；在所述等离子体蚀刻中，选择性地蚀刻所述膜之中的在所述元件区域的所述上表面之上形成的部分。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其中，在形成所述至少一个凸起前，在所述切割线区域对所述上表面的除附加所述至少一个凸起的区域以外的区域进行蚀刻，或者，在形成所述至少一个凸起后且在形成所述膜前，在所述切割线区域对所述上表面的除附加了所述至少一个凸起的区域以外的区域进行蚀刻，由此使得所述第一台阶更大。4.根据权利要求1至3中任意一项所述的半导体装置的制造方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：坂口大成，薮押法之，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：