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提供能够高精度地检测蚀刻的终点的半导体装置的制造方法。在半导体基板的元件区域形成半导体元件，在半导体基板的切割线区域的一个主面即上表面之上附加至少一个凸起，向切割线区域的上表面之上进行膜的形成，在膜的形成中，以膜覆盖至少一个凸起的侧面的第一...
该专利属于三菱电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三菱电机株式会社授权不得商用。

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