一种高透过率低阻值导电玻璃制造技术

本发明专利技术涉及导电玻璃技术领域，且公开了一种高透过率低阻值导电玻璃，首先，在玻璃基材上，通过真空磁控溅射沉积一层SiO2作为接着层；沉积SiO2时，Ar和O2作为工作气体，施加电压将Ar和O2进行放电，Ar+离子和O+离子轰击Si靶表面，SiO2纳米基团沉积到PET基材上，经过沉积时间的累积，控制厚度为5

【技术实现步骤摘要】
一种高透过率低阻值导电玻璃


[0001]本专利技术涉及导电玻璃
，具体为一种高透过率低阻值导电玻璃。

技术介绍

[0002]在通常的透明电极应用中，ITO透明导电玻璃和透明导电膜的应用居多，其中，在触控传感器方面主要用阻值较高的透明导电ITO膜，在显示模块及大面积应用方面，主要用阻值较低的透明导电ITO玻璃。在柔性的应用领域，如果是涉及低阻值的需求，透明导电ITO膜又是必不可少的，但是低阻值的透明导电ITO膜对应的透过率低，对于器件的应用带来了很大的限制。本专利技术为这些限制提供有效的突破性解决方案。

技术实现思路

[0003]针对现有技术的不足，本专利技术提供了一种高透过率低阻值导电玻璃，解决了上述
技术介绍
中的问题。
[0004]为实现上述x的目的，本专利技术提供如下技术方案：一种高透过率低阻值导电玻璃，(序号：20层)首先，在玻璃基材上，通过真空磁控溅射沉积一层SiO2作为接着层；
[0005]沉积SiO2时，Ar和O2作为工作气体，施加电压将Ar和O2进行放电，Ar+离子和O+离子轰击Si靶表面，SiO2纳米基团沉积到PET基材上，经过沉积时间的累积，控制厚度为5
‑
10nm。
[0006]优选的，所述(序号：21层)：同样的在20层表面沉积一层Cu
‑
W
‑
Ni合金，采用磁控溅射方式，Ar作为工作气体，施加电压将Ar进行放电，Ar+离子轰击Cu
‑
W
‑
Ni合金靶表面，Cu<br/>‑
W
‑
Ni合金纳米基团沉积到20层的表面上，经过沉积时间的累积，控制厚度为10
‑
20nm。
[0007]优选的，所述(序号：30层)：同样的在21层表面沉积一层纯Cu，采用磁控溅射方式，Ar作为工作气体，施加电压将Ar进行放电，Ar+离子轰击Cu靶表面，Cu纳米基团沉积到21层的表面上，经过沉积时间的累积，控制厚度为200
‑
500nm。
[0008]优选的，所述(序号：31层)：同样的在30层表面沉积一层Cu
‑
W
‑
Ni合金，采用磁控溅射方式，Ar作为工作气体，施加电压将Ar进行放电，Ar+离子轰击Cu
‑
W
‑
Ni合金靶表面，Cu
‑
W
‑
Ni合金纳米基团沉积到30层的表面上，经过沉积时间的累积，控制厚度为10
‑
20nm。
[0009]优选的，所述在镀膜完成后进行网格化的蚀刻，留下Cu网格线和整体面型的接着层，这样得到一个全新的(21
‑
31)网格+20整体的复合层32层。
[0010]优选的，所述(序号：40层)：同样的在32接着层表面沉积一层ITO膜，采用磁控溅射方式，Ar和O2作为工作气体，施加电压将Ar和O2进行放电，Ar+离子和O+离子轰击ITO靶(此层的靶材成分比例为：In2O3:SnO2＝93：7wt％—90：10wt％)表面，ITO纳米基团沉积到32层的表面上，经过沉积时间的累积，控制厚度为10
‑
20nm。
[0011]与现有技术相比，本专利技术提供了一种高透过率低阻值导电玻璃，具备以下有益效果：
[0012]采用网格Cu+面ITO结构，以Glass表面的易接着状态进行表面镀铜，20层作为衔接层与21/30/31层一起，在同一真空制程中进行镀膜完成，20层链接10层与21层，提升21层的
附着力，21层链接20层与30层，作为结构型的过渡，另外在光学方面，降低Cu金属层的反射率，对产品的视觉效果有提升，31层作为Cu金属层的保护层，同时作为合金具备导电特性，能传导Cu层与ITO之间的导电性，40层作为面型导电层，补充网格空白区的导电特性，产品整体形成一个透过率高，而且阻值低的透明电极柔性材料，对32层进行适当的PIN脚线的图案化，可省去传统的银浆材料，为产品的稳定性和耐久性提供保证，同时节约成本，图案形成后可进行ITO结晶化处理，也是本专利技术的创新点，结晶后的ITO层结构稳定，耐用性能提升，适用于要求更为严格的场景，可以实现低温制备，省略纯ITO靠后烘烤或在线烘烤制程，可以对21
‑
31层进行不同的图案化设计，如六边形、方形圆形等，可得到不同的线宽/视窗比(LVR)，通过优化可获得经济的LVR。
具体实施方式
[0013]实施例一：
[0014]一种高透过率低阻值导电玻璃，
[0015]10Glass
[0016]20SiO2层10nm
[0017]21Cu
‑
W
‑
Ni15nm
[0018]30Cu(网格)层200nm
[0019]31Cu
‑
W
‑
Ni15nm
[0020]蚀刻方法：光刻，Cu线宽：10um，空白格点：200um*200um
[0021]40ITO层20nm
[0022]制作流程：
[0023]步骤一：
[0024]在本专利技术结构的产品(10
‑
31层)上，通过掩模版式的光刻制程，将线路mask版套印在31层的表面，利用5
‑
8％浓度的硫酸蚀刻，经过清洗后，对应的Cu网格图案呈现，表面呈现的为31层表面和被蚀刻后的20层表面；
[0025]步骤二：
[0026]在步骤一形成的产品上，采用磁控溅射方式(此处需要扩充)，Ar和O2作为工作气体，施加电压将Ar和O2进行放电，Ar+离子和O+离子轰击ITO靶(此层的靶材成分比例为：In2O3:SnO2＝90：10wt％)表面，纳米尺度的ITO材料沉积到32层的表面上，经过沉积时间的累积，控制厚度为20nm；
[0027]步骤三：
[0028]利用步骤二形成的产品，在隧道炉或烤箱中经过150摄氏度环境烘烤60分钟，步骤二形成的产品中ITO层形成结晶状态；
[0029]这样对应的透明导电膜片已制成。
[0030]产品性能：
[0031]附着力：100/100(百格测试无脱落)
[0032]表面电阻：4.5欧姆/方块(Ohm/Square)
[0033]可见光透过率：84.5％
[0034]高温高湿测试：500Hrs，80℃，80RH％，电阻值变化率＜1％；
[0035]对比案例产品1：
[0036]Glass/SiO2(20nm)/ITO(300nm)高温制程
[0037]产品性能：
[0038]附着力：100/100(百格测试无脱落)
[0039]表面电阻：4.5欧姆/方块(Ohm/Square)
[0040]可见光透过率：78.0％
[0041]高温高湿测试：500Hrs，80℃，80RH％，电阻值变化率＜5％。
[本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高透过率低阻值导电玻璃，其特征在于：(序号：20层)首先，在玻璃基材上，通过真空磁控溅射沉积一层SiO2作为接着层；沉积SiO2时，Ar和O2作为工作气体，施加电压将Ar和O2进行放电，Ar+离子和O+离子轰击Si靶表面，SiO2纳米基团沉积到PET基材上，经过沉积时间的累积，控制厚度为5
‑
10nm。2.根据权利要求1所述的一种高透过率低阻值导电玻璃，其特征在于：(序号：21层)：同样的在20层表面沉积一层Cu
‑
W
‑
Ni合金，采用磁控溅射方式，Ar作为工作气体，施加电压将Ar进行放电，Ar+离子轰击Cu
‑
W
‑
Ni合金靶表面，Cu
‑
W
‑
Ni合金纳米基团沉积到20层的表面上，经过沉积时间的累积，控制厚度为10
‑
20nm。3.根据权利要求2所述的一种高透过率低阻值导电玻璃，其特征在于：(序号：30层)：同样的在21层表面沉积一层纯Cu，采用磁控溅射方式，Ar作为工作气体，施加电压将Ar进行放电，Ar+离子轰击Cu靶表面，Cu纳米基团沉积到21层的表面上，经过沉积时间的累积，控制厚度为200
‑
500nm。...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁锐生，包山虎，许生，杨春林，
申请(专利权)人：深圳豪威显示科技有限公司，
类型：发明
国别省市：