【技术实现步骤摘要】
滤波器、滤波器的设计方法及通讯设备
[0001]本专利技术实施例涉及滤波器
,具体涉及一种滤波器、滤波器的设计方法及通讯设备。
技术介绍
[0002]电感是滤波器中常用的射频器件,用于实现阻抗调节,阻抗匹配等多种作用。因此电感的性能对于滤波器的工作性能提升有重要意义。品质因数是影响电感性能的关键指标之一,因此如何提供技术方案,以提升电感的品质因数,提高滤波器的工作性能,成为了亟需解决的技术问题。
技术实现思路
[0003]有鉴于此,本专利技术实施例提供一种滤波器、滤波器的设计方法及通讯设备,以提高滤波器的性能。
[0004]本专利技术实施例提供一种滤波器,包括:
[0005]基底,所述基底包括衬底;
[0006]密封结构,与所述基底通过金属结构连接;
[0007]目标电感,包括第一电感和第二电感,所述第一电感设置于所述密封结构;所述第二电感设置于所述基底的衬底;所述第二电感的电感值与所述第一电感的电感值之和等于所述目标电感的电感值。
[0008]可选地,所述衬底为 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种滤波器,其特征在于,包括:基底,所述基底包括衬底;密封结构,与所述基底通过金属结构连接;目标电感,包括第一电感和第二电感,所述第一电感设置于所述密封结构;所述第二电感设置于所述基底的衬底;所述第二电感的电感值与所述第一电感的电感值之和等于所述目标电感的电感值。2.如权利要求1所述的滤波器,其特征在于,所述衬底为多层结构;所述第二电感设置于所述基底的衬底包括:所述第二电感设置于所述多层结构的其中一层结构上,或,所述第二电感跨层设置于所述多层结构的至少两层结构上。3.如权利要求1所述的滤波器,其特征在于,所述密封结构包括第一衬底、第二衬底和焊接结构,所述第二衬底的一侧与所述第一衬底密封连接,所述第二衬底的另一侧形成有所述焊接结构,所述第一电感设置于所述焊接结构。4.如权利要求3所述的滤波器,其特征在于,所述第一衬底和所述第二衬底为单一的材料形成的单层衬底,或者为多种的材料形成的复合衬底;所述材料包括半导体材料,无机材料,有机材料三者中的任一项。5.如权利要求1
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4任一项所述的滤波器,其特征在于,在沿垂直于所述基底的方向上,所述第一电感和所述第二电感的设置方式为交错设置,以使所述第一电感的轮廓围成的平面和所述第二电感的轮廓围成的平面产生重合平面;且所述重合平面与所述第一电感和所述第二电感中最大平面的面积之比为大于或等于20%,或者所述重合平面与所述第一电感和所述第二电感中最大平面的面积之比为大于或等于40%。6.如权利要求1
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4任一项所述的滤波器,其特征在于,所述第一电感的电感值和所述第二电感的电感值中最小电感值与所述目标电感的电感值的电感值之比大于或等于20%,或者,所述第一电感的电感值和所述第二电感的电感值中最小电感值与所述目标电感的电感值的电感值之比大于或等于40%。7.如权利要求1
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4任一项所述的滤波器,其特征在于,所述目标电感的电感值大于或等于0.6纳亨,或者所述目标电感的绕线线圈的总长度大于或等于500微米。8.一种滤波器的设计方法,其特征在于,包括:提供基底,所述基底包括衬底;在所述基底的衬底上设置目标电感的第二电感,并且在所述滤...
【专利技术属性】
技术研发人员:万晨庚,
申请(专利权)人:北京芯溪半导体科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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