滤波器、滤波器的设计方法及通讯设备技术

本发明专利技术实施例提供一种滤波器、滤波器的设计方法及通讯设备，其中，所述滤波器包括：基底，所述基底包括衬底；密封结构，与所述基底通过金属结构连接；目标电感，包括第一电感和第二电感，所述第一电感设置于所述密封结构；所述第二电感设置于所述基底的衬底；所述第二电感的电感值与所述第一电感的电感值之和等于所述目标电感的电感值。本发明专利技术实施例所提供的滤波器，通过将目标电感拆分为第一电感和第二电感，并分别设置于滤波器内部结构的不同位置上，以降低位于基底的衬底上的第二电感的电感值，从而可以提升第一电感和第二电感合并的目标电感的品质因数，提高滤波器的工作性能。提高滤波器的工作性能。提高滤波器的工作性能。

【技术实现步骤摘要】
滤波器、滤波器的设计方法及通讯设备


[0001]本专利技术实施例涉及滤波器
，具体涉及一种滤波器、滤波器的设计方法及通讯设备。

技术介绍

[0002]电感是滤波器中常用的射频器件，用于实现阻抗调节，阻抗匹配等多种作用。因此电感的性能对于滤波器的工作性能提升有重要意义。品质因数是影响电感性能的关键指标之一，因此如何提供技术方案，以提升电感的品质因数，提高滤波器的工作性能，成为了亟需解决的技术问题。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本专利技术实施例提供一种滤波器、滤波器的设计方法及通讯设备，以提高滤波器的性能。
[0004]本专利技术实施例提供一种滤波器，包括：
[0005]基底，所述基底包括衬底；
[0006]密封结构，与所述基底通过金属结构连接；
[0007]目标电感，包括第一电感和第二电感，所述第一电感设置于所述密封结构；所述第二电感设置于所述基底的衬底；所述第二电感的电感值与所述第一电感的电感值之和等于所述目标电感的电感值。
[0008]可选地，所述衬底为多层结构；所述第二电感设置于所述基底的衬底包括：
[0009]所述第二电感设置于所述多层结构的其中一层结构上，或，所述第二电感跨层设置于所述多层结构的至少两层结构上。
[0010]可选地，所述密封结构包括第一衬底、第二衬底和焊接结构，所述第二衬底的一侧与所述第一衬底密封连接，所述第二衬底的另一侧形成有所述焊接结构，所述第一电感设置于所述焊接结构。
[0011]可选地，所述第一衬底和所述第二衬底为单一的材料形成的单层衬底，或者为多种的材料形成的复合衬底；所述材料包括半导体材料，无机材料，有机材料三者中的任一项。
[0012]可选地，在沿垂直于所述基底的方向上，所述第一电感和所述第二电感的设置方式为交错设置，以使所述第一电感的轮廓围成的平面和所述第二电感的轮廓围成的平面产生重合平面；且所述重合平面与所述第一电感和所述第二电感中最大平面的面积之比为大于或等于20％，或者所述重合平面与所述第一电感和所述第二电感中最大平面的面积之比为大于或等于40％。
[0013]可选地，所述第一电感的电感值和所述第二电感的电感值中最小电感值与所述目标电感的电感值的电感值之比大于或等于20％，或者，所述第一电感的电感值和所述第二电感的电感值中最小电感值与所述目标电感的电感值的电感值之比大于或等于40％。
[0014]可选地，所述目标电感的电感值大于或等于0.6纳亨，或者所述目标电感的绕线线圈的总长度大于或等于500微米。
[0015]本专利技术实施例还提供一种滤波器的设计方法，包括：
[0016]提供基底，所述基底包括衬底；
[0017]在所述基底的衬底上设置目标电感的第二电感，并且在所述滤波器的密封结构上设置所述目标电感的第一电感；所述第二电感的电感值与所述第一电感的电感值之和等于所述目标电感的电感值；
[0018]将所述密封结构与所述基底通过金属结构连接。
[0019]可选地，所述衬底为多层结构，所述在所述基底的衬底上设置目标电感的第二电感，包括：
[0020]在所述多层结构的其中一层结构上设置目标电感的第二电感，或，在所述多层结构的至少两层结够上跨层设置目标电感的第二电感。
[0021]可选地，所述密封结构包括第一衬底、第二衬底和焊接结构，所述第二衬底的一侧与所述第一衬底密封连接，所述第二衬底的另一侧形成有所述焊接结构；所述在所述滤波器的密封结构上设置所述目标电感的第一电感，包括：
[0022]在所述焊接结构上设置所述第一电感。
[0023]可选地，所述第一衬底和所述第二衬底为单一的材料形成的单层衬底，或者为多种的材料形成的复合衬底；所述材料包括半导体材料，无机材料，有机材料三者中的任一项。
[0024]可选地，所述在所述基底的衬底上设置目标电感的第二电感，并且在所述滤波器的密封结构上设置所述目标电感的第一电感，包括：
[0025]在沿垂直于所述基底的方向上，将衬底上设置的所述第二电感和在密封结构上设置的所述第一电感进行交错设置，以使所述第一电感的轮廓围成的平面和所述第二电感的轮廓围成的平面产生重合平面；且所述重合平面与所述第一电感和所述第二电感中最大平面的面积之比为大于或等于20％，或者，所述重合平面与所述第一电感和所述第二电感中最大平面的面积之比为大于或等于40％。
[0026]可选地，所述第一电感的电感值和所述第二电感的电感值中最小电感值与所述目标电感的电感值的电感值之比大于或等于20％，或者，所述第一电感的电感值和所述第二电感的电感值中最小电感值与所述目标电感的电感值的电感值之比大于或等于40％。
[0027]本专利技术实施例还提供一种通信设备，包括前述任一项实施例所述的滤波器。
[0028]本专利技术实施例所提供的滤波器，包括基底，所述基底包括衬底；密封结构，与所述基底通过金属结构连接；目标电感，包括第一电感和第二电感，所述第一电感设置于所述密封结构；所述第二电感设置于所述基底的衬底；所述第二电感的电感值与所述第一电感的电感值之和等于所述目标电感的电感值。
[0029]可以看出，本专利技术实施例所提供的滤波器，通过将目标电感拆分为第一电感和第二电感；然后将第二电感设置于基底的衬底上，将第一电感设置于密封结构上；也就是将拆分之后的两个电感设置于滤波器的内部结构的不同位置处；进一步通过确保第一电感的电感值与第二电感的电感值之和等于目标电感的电感值，使得拆分之后的第一电感和第二电感的电感值的总电感值能够保证滤波器正常应用；从而在不影响滤波器正常应用的基础
上，使得位于基底的衬底上的第二电感的电感值小于目标电感的电感值。由于基底衬底上的电感的性能为影响滤波器性能的主要因素，电感的性能又与电感的品质因数成正比关系(电感的品质因数和输入信号流经电感时所产生的损耗直接相关)，即信号流经电感时产生的损耗越小则说明电感的品质因数越高，也就表明滤波器的性能越好；因此，位于基底衬底上的电感所产生的损耗与电感的电感值的大小正相关。基于此，本专利技术实施例将设置于基底衬底上的第二电感的电感值减小，从而可以降低基底衬底上的第二电感产生的损耗，提升滤波器的性能；并为了保证滤波器的正常应用，确保滤波器的总电感不发生改变，本专利技术实施例在滤波器的密封结构中设置第一电感，使得第二电感的电感值与第一电感的电感值等于目标电感的电感值(即滤波器的总电感值)。可见，本专利技术实施例将目标电感拆分为第一电感和第二电感，并将第一电感和第二电感设置于滤波器内部结构的不同位置的方式，可以实现在不影响滤波器的正常应用的基础上，降低滤波器的基底衬底上第二电感所产生的损耗，达到提升滤波器的性能的目的。
附图说明
[0030]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种滤波器，其特征在于，包括：基底，所述基底包括衬底；密封结构，与所述基底通过金属结构连接；目标电感，包括第一电感和第二电感，所述第一电感设置于所述密封结构；所述第二电感设置于所述基底的衬底；所述第二电感的电感值与所述第一电感的电感值之和等于所述目标电感的电感值。2.如权利要求1所述的滤波器，其特征在于，所述衬底为多层结构；所述第二电感设置于所述基底的衬底包括：所述第二电感设置于所述多层结构的其中一层结构上，或，所述第二电感跨层设置于所述多层结构的至少两层结构上。3.如权利要求1所述的滤波器，其特征在于，所述密封结构包括第一衬底、第二衬底和焊接结构，所述第二衬底的一侧与所述第一衬底密封连接，所述第二衬底的另一侧形成有所述焊接结构，所述第一电感设置于所述焊接结构。4.如权利要求3所述的滤波器，其特征在于，所述第一衬底和所述第二衬底为单一的材料形成的单层衬底，或者为多种的材料形成的复合衬底；所述材料包括半导体材料，无机材料，有机材料三者中的任一项。5.如权利要求1
‑
4任一项所述的滤波器，其特征在于，在沿垂直于所述基底的方向上，所述第一电感和所述第二电感的设置方式为交错设置，以使所述第一电感的轮廓围成的平面和所述第二电感的轮廓围成的平面产生重合平面；且所述重合平面与所述第一电感和所述第二电感中最大平面的面积之比为大于或等于20％，或者所述重合平面与所述第一电感和所述第二电感中最大平面的面积之比为大于或等于40％。6.如权利要求1
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4任一项所述的滤波器，其特征在于，所述第一电感的电感值和所述第二电感的电感值中最小电感值与所述目标电感的电感值的电感值之比大于或等于20％，或者，所述第一电感的电感值和所述第二电感的电感值中最小电感值与所述目标电感的电感值的电感值之比大于或等于40％。7.如权利要求1
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4任一项所述的滤波器，其特征在于，所述目标电感的电感值大于或等于0.6纳亨，或者所述目标电感的绕线线圈的总长度大于或等于500微米。8.一种滤波器的设计方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括衬底；在所述基底的衬底上设置目标电感的第二电感，并且在所述滤...

【专利技术属性】
技术研发人员：万晨庚，
申请(专利权)人：北京芯溪半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：