滤波器集成电路制造技术

本发明专利技术提供一种滤波器集成电路，包括声波滤波器芯片以及匹配电路。声波滤波器芯片覆置于基板上。匹配电路设置于基板，用以提供匹配阻抗给声波滤波器芯片。匹配电路的第一接垫与第二接垫分别连接至声波滤波器芯片的第一信号端与第二信号端。匹配电路的第一线圈电感与第二线圈电感的第一端分别连接至基板的第一接垫与第二接垫。第一线圈电感邻近第二线圈电感而互感，以形成寄生电容，以使匹配电路与声波滤波器芯片共同产生位于基频的三倍频范围内的传输零点。内的传输零点。内的传输零点。

【技术实现步骤摘要】
滤波器集成电路


[0001]本专利技术是有关于一种集成电路，且特别是有关于一种滤波器集成电路。

技术介绍

[0002]电子滤波器(electronic filters)已被广泛应用于各种电子电路中。滤波器是可执行信号处理功能的电路、组件或装置，它可以衰减信号中不想要的成分以及/或者增强想要的成分。在种类繁多的滤波器中，声波滤波器，例如是表面声波(surface acoustic wave，SAW)滤波器和体声波(bulk acousticwave，BAW)滤波器被广泛应用于通信电路。随着5G频带更趋高频，声波滤波器市占率将提升。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供一种滤波器集成电路，以使匹配电路与声波滤波器芯片共同产生位于输入信号的基频的三倍频范围内的传输零点。
[0004]在本专利技术的一实施例中，上述的滤波器集成电路用以对具有基频的输入信号于一个频段进行滤波处理后输出一个输出信号。滤波器集成电路包括声波滤波器芯片以及匹配电路。声波滤波器芯片覆置于基板上，用以抑制所述频段以外的信号。声波滤波器芯片的第一信号端与第二信号端分别用以输入所述输入信号或输出所述输出信号。匹配电路设置于基板，用以提供匹配阻抗给声波滤波器芯片。匹配电路包括配置于基板的第一接垫、第二接垫、第一线圈电感以及第二线圈电感。第一接垫用以电性连接至声波滤波器芯片的第一信号端。第二接垫用以电性连接至声波滤波器芯片的第二信号端。第一线圈电感的第一端电性连接至基板的第一接垫。第二线圈电感的第一端电性连接至基板的第二接垫。其中，第一线圈电感邻近第二线圈电感而互感，以形成寄生电容，以与声波滤波器芯片共同产生位于基频的三倍频范围内的传输零点。
[0005]基于上述，本专利技术诸实施例所述匹配电路可以提供匹配阻抗给声波滤波器芯片。在匹配电路中，第一线圈电感邻近第二线圈电感而互感且形成寄生电容。基此，第一线圈电感、第二线圈电感与声波滤波器芯片可以共同产生位于声波滤波器芯片的输入信号的基频的三倍频范围内的传输零点。
[0006]为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。
附图说明
[0007]图1是依照本专利技术的一实施例的一种滤波器集成电路的立体透视示意图。图2是依照本专利技术的一实施例说明体声波(BAW)滤波器芯片的立体示意图。图3是依照本专利技术的一实施例说明图2所示BAW滤波器芯片的等效电路示意图。图4是依照本专利技术的一实施例说明图1所示基板的立体透视示意图。图5是依照本专利技术的一实施例所绘示，图4所示第一导电层的布局结构示意图。
图6是依照本专利技术的一实施例所绘示，图4所示第二导电层的布局结构示意图。图7是依照本专利技术的另一实施例所绘示，图4所示第二导电层的布局结构示意图。图8是依照本专利技术的另一实施例说明图1所示基板的立体透视示意图。图9是依照本专利技术的一实施例所绘示，图8所示第三导电层M3的布局结构示意图。图10是依照本专利技术的一实施例所绘示，图8所示第二导电层M2的布局结构示意图。图11是依照本专利技术的一实施例所绘示，图8所示第一导电层M1的布局结构示意图。符号说明100:滤波器集成电路110:声波滤波器芯片120:基板121、122:匹配电路121_11、121_21、121_22、122_14、122_24、122_25、122_31、122_32:参考电压传输组件121_12、121_13、122_15、122_16:调整线圈121_23:导线FBAR11、FBAR12、FBAR13、FBAR14、FBAR21、FBAR22、FBAR23:薄膜体声波谐振器L1、L2:线圈电感M1:第一导电层M2:第二导电层M3:第三导电层Nref1、Nref2、Nref3:参考电压端Ns1:第一信号端Ns2:第二信号端Pref1、Pref2、Ps1、Ps2:接垫Sin:输入信号Sout:输出信号Vref:参考电压
具体实施方式
[0008]在本案说明书全文(包括权利要求范围)中所使用的「耦接(或连接)」一词可指任何直接或间接的连接手段。举例而言，若文中描述第一装置耦接(或连接)于第二装置，则应该被解释成该第一装置可以直接连接于该第二装置，或者该第一装置可以透过其他装置或某种连接手段而间接地连接至该第二装置。本案说明书全文(包括权利要求范围)中提及的「第一」、「第二」等用语是用以命名组件(element)的名称，或区别不同实施例或范围，而并非用来限制组件数量的上限或下限，亦非用来限制组件的次序。另外，凡可能之处，在图式及实施方式中使用相同标号的组件/构件/步骤代表相同或类似部分。不同实施例中使用相同标号或使用相同用语的组件/构件/步骤可以相互参照相关说明。
[0009]图1是依照本专利技术的一实施例的一种滤波器集成电路100的立体透视示意图。图1
绘示了X轴、Y轴与Z轴。滤波器集成电路100配置有接垫Ps1与接垫Ps2。接垫Ps1与接垫Ps2适于电性连接至印刷电路板(printed circuit board，PCB，未绘示)。接垫Ps1可被配置来接收输入信号Sin，以及接垫Ps2可被配置来送出输出信号Sout。接垫Ps1与Ps2亦可调换配置。滤波器集成电路100可以对具有基频的输入信号Sin于某一个频段进行滤波处理后输出所述输出信号Sout。滤波器集成电路100还配置有适于电性连接至印刷电路板的至少一个接垫Pref1。接垫Pref1的数量可以依据实际设计来决定。接垫Pref1被配置来接收参考电压Vref。参考电压Vref可以依照实际设计来决定。举例来说，在一些实施例中，参考电压Vref可以是接地电压或是其他固定电压。
[0010]在图1所示实施例中，滤波器集成电路100包括声波(acoustic wave)滤波器芯片110以及基板120。匹配电路(未绘示于图1，容后详述)设置于基板120中，用以提供匹配阻抗给声波滤波器芯片110。声波滤波器芯片110被容置于滤波器集成电路100的封装中，而基板120可以是滤波器集成电路100的封装基板。声波滤波器芯片110覆置于基板120上。声波滤波器芯片110可以抑制所述某一个频段以外的信号。虽未绘示于图1，声波滤波器芯片110具有第一信号端与第二信号端分别用以输入/接收所述该输入信号Sin或输出所述输出信号Sout。亦即，声波滤波器芯片110的所述第一信号端可以通过基板120电性连接至接垫Ps1与接垫Ps2的其中一个，而声波滤波器芯片110的所述第二信号端可以通过基板120电性连接至接垫Ps1与接垫Ps2的其中另一个。
[0011]本实施例并不限制声波滤波器芯片110的具体实施方式。举例来说，依照实际设计，声波滤波器芯片110可以包括体声波(bulk acoustic wave，BAW)滤波器芯片、表面声波(surface acoustic wave，SAW)滤波器芯片以及(或是)其他滤波器。相较于SAW滤波器芯片，BAW滤波器芯片适合应用在更高频带，且将BAW滤波器芯片应用于本实施例可不需要额外设置部份外部组件，下述说明将以BAW滤波器芯片作为本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种滤波器集成电路，其特征在于，用以对具有一基频的一输入信号于一频段进行滤波处理后输出一输出信号，包括：一声波滤波器芯片，覆置于一基板上，用以抑制该频段以外的信号，具有一第一信号端与一第二信号端分别用以输入该输入信号或输出该输出信号；以及一匹配电路，设置于该基板，用以提供该声波滤波器芯片一匹配阻抗，包括：一第一接垫，配置于该基板，用以电性连接至该声波滤波器芯片的该第一信号端；一第二接垫，配置于该基板，用以电性连接至该声波滤波器芯片的该第二信号端；一第一线圈电感，配置于该基板，其中该第一线圈电感的一第一端电性连接至该基板的该第一接垫；以及一第二线圈电感，配置于该基板，其中该第二线圈电感的一第一端电性连接至该基板的该第二接垫；其中该第一线圈电感邻近该第二线圈电感而互感，以形成一寄生电容，以与该声波滤波器芯片共同产生位于该基频的三倍频范围内的一传输零点。2.如权利要求1所述的滤波器集成电路，其特征在于，其中该基板还包括一第一导电层，该第一接垫、该第二接垫设置于该第一导电层。3.如权利要求2所述的滤波器集成电路，其特征在于，其中该匹配电路还包括一参考电压传输组件设置于该第一导电层且电性连接一第一参考电压端。4.如权利要求3所述的滤波器集成电路，其特征在于，其中该匹配电路还包括一第一调整线圈、一第二调整线圈设置于该第一导电层且连接至该参考电压传输组件，其中该第一调整线圈、该第二调整线圈分别对应第一线圈电感、第二线圈电感设置。5.如权利要求4所述的滤波器集成电路，其特征在于，其中该第一调整线圈、第二调整线圈的匝数分别小于第一线圈电感、第二线圈电感的匝数。6.如权利要求3所述的滤波器集成电路，其特征在于，其中该匹配电路还包括一第三接垫设置于该第一导电层且电性连接该参考电压传输组件与该第一参考电压端。7.如权利要求6所述的滤波器集成电路，其特征在于，其中该匹配电路还包括一第四接垫设置于该第一导电层且电性连接该参考电压传输组件与该第一参考电压端。8.如权利要求1所述的滤波器集成电路，其特征在于，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈士轩，梁基富，
申请(专利权)人：立积电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：