体声波滤波器及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种体声波滤波器及其制造方法，所述体声波滤波器包括：衬底，所述衬底包括谐振区域；形成于所述谐振区域上的下电极；覆盖所述下电极的压电层；形成于所述谐振区域上的上电极；以及，形成于所述谐振区域上的阻挡层和凸起结构，所述阻挡层和所述凸起结构的材质不同，所述阻挡层和所述凸起结构形成凹凸结构。通过形成于所述谐振区域上的阻挡层和凸起结构，所述阻挡层和所述凸起结构的材质不同，可以保证所述阻挡层和所述凸起结构的质量和可靠性，相应的，可以得到高质量和高可靠性的凹凸结构，从而提高了所形成的体声波滤波器的质量与可靠性。的质量与可靠性。的质量与可靠性。

【技术实现步骤摘要】
体声波滤波器及其制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种体声波滤波器及其制造方法。

技术介绍

[0002]随着移动通信技术的快速发展，对移动通信设备中滤波器的性能要求也越来越高。体声波滤波器(BAW)具有高Q值、低插损、可集成等优点，被广泛应用。其中，现有技术中有一种体声波滤波器采用MEMS(微机电系统)的硅表面工艺在硅片的上表面形成一个空气间隙，将声波限制在压电震荡堆之中。为进一步提高体声波滤波器的品质因子(Q)，提高器件性能，会在器件上设置凹凸结构，以减少能量泄露。现有技术的凹凸结构表面损伤严重，质量、可靠性较低。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种体声波滤波器及其制造方法，以解决现有技术中的凹凸结构表面损伤严重，质量、可靠性较低的问题。
[0004]为了解决上述技术问题，本专利技术提供了一种体声波滤波器，所述体声波滤波器包括：
[0005]衬底，所述衬底包括谐振区域；
[0006]形成于所述谐振区域上的下电极；
[0007]覆盖所述下电极的压电层；
[0008]形成于所述谐振区域上的上电极；以及，
[0009]形成于所述谐振区域上的阻挡层和凸起结构，所述阻挡层和所述凸起结构的材质不同，所述阻挡层和所述凸起结构形成凹凸结构。
[0010]可选的，在所述的体声波滤波器中，所述凸起结构的厚度较所述阻挡层的厚度厚。
[0011]可选的，在所述的体声波滤波器中，所述阻挡层中具有开口，所述开口形成凹陷结构；和/或，所述阻挡层和所述凸起结构之间具有间隔，所述间隔形成凹陷结构。
[0012]可选的，在所述的体声波滤波器中，所述上电极位于所述压电层上；所述阻挡层覆盖所述上电极，所述阻挡层中具有暴露出部分所述上电极的开口；所述凸起结构位于所述阻挡层上，或者，所述凸起结构位于所述上电极上，所述凸起结构和所述阻挡层之间具有暴露出部分所述上电极的间隔；
[0013]或者，所述上电极位于所述压电层上；所述凸起结构位于所述上电极上；所述阻挡层覆盖所述凸起结构以及所述上电极，所述阻挡层中具有暴露出部分所述上电极的开口；
[0014]或者，所述凸起结构位于所述压电层上；所述上电极覆盖所述凸起结构；所述阻挡层覆盖所述上电极，所述阻挡层中具有暴露出部分所述上电极的开口；
[0015]或者，所述凸起结构位于所述压电层上；所述阻挡层覆盖所述凸起结构以及所述压电层，所述阻挡层中具有暴露出部分所述压电层的开口，或者，所述阻挡层覆盖所述压电层，所述阻挡层和所述凸起结构之间具有暴露出部分所述压电层的间隔；所述上电极位于
所述阻挡层上；
[0016]或者，所述阻挡层覆盖所述压电层，所述阻挡层中具有暴露出部分所述压电层的开口；所述凸起结构位于所述阻挡层上；所述上电极覆盖所述凸起结构；
[0017]或者，所述阻挡层覆盖所述压电层，所述阻挡层中具有暴露出部分所述压电层的开口；所述上电极位于所述阻挡层上；所述凸起结构位于所述上电极上。
[0018]可选的，在所述的体声波滤波器中，所述凸起结构对准所述上电极的边缘位置。
[0019]可选的，在所述的体声波滤波器中，所述凸起结构的材质为金属、金属化合物、介电材料或者压电材料。
[0020]可选的，在所述的体声波滤波器中，所述体声波滤波器还包括覆盖所述谐振区域的钝化层。
[0021]本专利技术还提供一种体声波滤波器的制造方法，所述体声波滤波器的制造方法包括：
[0022]提供衬底，所述衬底包括谐振区域；
[0023]在所述谐振区域上形成下电极；
[0024]在所述下电极上覆盖压电层；
[0025]在所述谐振区域上形成上电极；以及，
[0026]在所述谐振区域上形成阻挡层和凸起结构，所述阻挡层和所述凸起结构的材质不同，所述阻挡层和所述凸起结构形成凹凸结构。
[0027]可选的，在所述的体声波滤波器的制造方法中，通过如下方法形成所述上电极、所述阻挡层以及所述凸起结构：
[0028]在所述压电层上形成所述上电极；在所述上电极上覆盖所述阻挡层，所述阻挡层中具有暴露出部分所述上电极的开口；以及，在所述阻挡层上形成所述凸起结构，或者，在所述上电极上形成所述凸起结构，所述凸起结构和所述阻挡层之间具有暴露出部分所述上电极的间隔；
[0029]或者，在所述压电层上形成所述上电极；在所述上电极上形成所述凸起结构；以及，在所述凸起结构以及所述上电极上覆盖所述阻挡层，所述开口暴露出部分所述上电极，所述阻挡层中具有暴露出部分所述上电极的开口，或者，在所述上电极上覆盖所述阻挡层，所述阻挡层和所述凸起结构之间具有暴露出部分所述上电极的间隔；
[0030]或者，在所述压电层上形成所述凸起结构；在所述凸起结构上覆盖所述上电极；以及，在所述上电极上覆盖所述阻挡层，所述阻挡层中具有暴露出部分所述上电极的开口；
[0031]或者，在所述压电层上形成所述凸起结构；在所述凸起结构以及所述压电层上覆盖所述阻挡层，所述阻挡层中具有暴露出部分所述压电层的开口，或者，在所述压电层上覆盖所述阻挡层，所述阻挡层和所述凸起结构之间具有暴露出部分所述压电层的间隔；以及，在所述阻挡层上形成所述上电极；
[0032]或者，在所述压电层上覆盖所述阻挡层，所述阻挡层中具有暴露出部分所述压电层的开口；在所述阻挡层上形成所述凸起结构，或者，在所述压电层上形成所述凸起结构，所述凸起结构和所述阻挡层之间具有暴露出部分所述压电层的间隔；以及，在所述凸起结构上覆盖所述上电极；
[0033]或者，在所述压电层上覆盖所述阻挡层，所述阻挡层中具有暴露出部分所述压电
层的开口；在所述阻挡层上形成所述上电极；以及，在所述上电极上形成所述凸起结构。
[0034]可选的，在所述的体声波滤波器的制造方法中，所述阻挡层和所述凸起结构之间的刻蚀速率相差3倍以上。
[0035]在本专利技术提供的体声波滤波器及其制造方法中，通过形成于所述谐振区域上的阻挡层和凸起结构，所述阻挡层和所述凸起结构的材质不同，可以保证所述阻挡层和所述凸起结构的质量和可靠性，相应的，可以得到高质量和高可靠性的凹凸结构，从而提高了所形成的体声波滤波器的质量与可靠性。
附图说明
[0036]图1至图4是执行一种体声波滤波器的制造方法所形成的器件的剖面示意图。
[0037]图5是本专利技术实施例一的体声波滤波器的制造方法的流程示意图。
[0038]图6至图11是执行本专利技术实施例一的体声波滤波器的制造方法所形成的器件的剖面示意图。
[0039]图12是本专利技术实施例二的体声波滤波器的制造方法的流程示意图。
[0040]图13至图15是执行本专利技术实施例二的体声波滤波器的制造方法所形成的器件的剖面示意图。
[0041]图16是本专利技术实施例三的体声波滤波器的制造方法的流程示意图。
[0042]图17至图19是执行本专利技术实施例三的体声波滤本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种体声波滤波器，其特征在于，所述体声波滤波器包括：衬底，所述衬底包括谐振区域；形成于所述谐振区域上的下电极；覆盖所述下电极的压电层；形成于所述谐振区域上的上电极；以及，形成于所述谐振区域上的阻挡层和凸起结构，所述阻挡层和所述凸起结构的材质不同，所述阻挡层和所述凸起结构形成凹凸结构。2.如权利要求1所述的体声波滤波器，其特征在于，所述凸起结构的厚度较所述阻挡层的厚度厚。3.如权利要求1所述的体声波滤波器，其特征在于，所述阻挡层中具有开口，所述开口形成凹陷结构；和/或，所述阻挡层和所述凸起结构之间具有间隔，所述间隔形成凹陷结构。4.如权利要求1所述的体声波滤波器，其特征在于，所述上电极位于所述压电层上；所述阻挡层覆盖所述上电极，所述阻挡层中具有暴露出部分所述上电极的开口；所述凸起结构位于所述阻挡层上，或者，所述凸起结构位于所述上电极上，所述凸起结构和所述阻挡层之间具有暴露出部分所述上电极的间隔；或者，所述上电极位于所述压电层上；所述凸起结构位于所述上电极上；所述阻挡层覆盖所述凸起结构以及所述上电极，所述阻挡层中具有暴露出部分所述上电极的开口；或者，所述凸起结构位于所述压电层上；所述上电极覆盖所述凸起结构；所述阻挡层覆盖所述上电极，所述阻挡层中具有暴露出部分所述上电极的开口；或者，所述凸起结构位于所述压电层上；所述阻挡层覆盖所述凸起结构以及所述压电层，所述阻挡层中具有暴露出部分所述压电层的开口，或者，所述阻挡层覆盖所述压电层，所述阻挡层和所述凸起结构之间具有暴露出部分所述压电层的间隔；所述上电极位于所述阻挡层上；或者，所述阻挡层覆盖所述压电层，所述阻挡层中具有暴露出部分所述压电层的开口；所述凸起结构位于所述阻挡层上；所述上电极覆盖所述凸起结构；或者，所述阻挡层覆盖所述压电层，所述阻挡层中具有暴露出部分所述压电层的开口；所述上电极位于所述阻挡层上；所述凸起结构位于所述上电极上。5.如权利要求1～4中任一项所述的体声波滤波器，其特征在于，所述凸起结构对准所述上电极的边缘位置。6.如权利要求1～4中任一项所述的体声波滤波器，其特征在于，所述凸起结构的材质为金属、金属化合物、介电材料或者压电材料。7.如权利要求1～4中任一项所述的体声波滤波器，其特征在于，所述体声波滤波器还包括覆盖所述谐振...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗传鹏，蔡敏豪，王冲，
申请(专利权)人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：