一种有机电致发光显示器件的制备方法技术

本发明专利技术属于平板显示技术领域，涉及有机电致发光显示器件的制备方法，步骤如下：１）在导电基板上印刷ＩＴＯ阳极图形，将印有阳极的基板进行超声清洗，在真空室中进行臭氧离子轰击处理；２）在基板上制备ＮＰＢ空穴传输层；３）空穴传输层上制备发光层；４）在发光层上制备Ａｌｑ↓［３］电子传输层；５）电子传输层上制备ＣｕＰｃ／ＬｉＦ／Ａｌ功能插层；６）在功能插层上制备第二空穴传输层；７）在第二空穴传输层上制备第二发光层；８）在第二发光层上制备第二Ａｌｑ↓［３］电子传输层；９）在第二Ａｌｑ↓［３］电子传输层上制备ＬｉＦ／Ａｌ混合阴极；１０）采用封装基板对器件进行整体封装，完成器件制备。本发明专利技术的有机电致发光显示器件ＯＬＥＤ，制备工艺简单，可实现高亮度窄带发射。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于平板显示
，涉及一种有机电致发光显示器件 的制备方法。技术背景有机电致发光显示器件，简称0LED，因为具有发光效率高、驱动 电压低、制备工艺简单、成本低、超薄以及具有面发射和全色显示等 特点，成为光电子器件和平板显示领域中最有前景的技术之一。通常， 有机电致发光显示器件由基板，氧化铟锡IT0阳极，NPB空穴传输层， 由蒸镀红光材料为Alq，杂3 %的4- (二氰亚甲基)-2-甲基-6- (4-二 甲氨基苯乙烯基)-4H-吡喃；绿光材料为Alq3掺杂5X的香豆素；蓝光 材料为蒽中掺杂4X的茈制作的发光层与LIF/A1阴极这五层结构组 成，但由于振动边带和不均匀加宽效应，无论是有机小分子还是高分 子聚合物发光材料，其光谱半峰宽往往大于80nm，因而在利用红、绿、 蓝三基色合成而制备的彩色显示器中利用效率很低。目前制备具有窄 带发射的有机电致发光显示器件OLED是研究的热点内容，现有技术为 将有窄带发射的稀土金属配合物发光材料应用到OLED中实现窄带发 射，但与宽带发射的有机电致发光材料相比，其发光亮度低、发光效 率低和性能稳定性差，具有一定的局限性。
技术实现思路
发光显示器件发光亮度低、发光效率 低和性能稳定性差的技术问题，本专利技术提供一种有机电致发光显示器 件的制备方法，包括如下步骤1) 在清洗干净的导电基板上印刷有机电致发光显示器件0LED的 氧化铟锡IT0阳极图形，将印刷好氧化铟锡IT0阳极图形的基板分别 用甲苯、乙醇和丙酮进行超声清洗，再用去离子水浸洗干净，在真空 室中进行臭氧离子轰击处理，将压强控制在5-50Pa间，对基底进行 轰击5 min—20 min。2) 用真空蒸镀的方法在印刷好氧化铟锡IT0阳极图形的基板上蒸 镀空穴传输层材料N， N，-双(l-萘基)-N， N，-二苯基-l， 1，-二苯基-4， 4'-二胺，简称NPB，制备NPB第一空穴传输层，系统真空度在5 X l(T5 Pa， NPB沉积速率为O. l — 1.5n m/s，厚度为40—80nm。3) 在NPB第一空穴传输层上，采用现有技术真空蒸镀的方法蒸 镀红绿蓝有机发光材料，制备第一发光层，系统真空度维持在5X 10—5 Pa，有机发光材料的沉积速率为O. l — 2.0n m/s，厚度为20 — 50nm。4) 在第一发光层上，采用真空蒸镀的方法蒸镀电子传输材料8-羟基喹啉铝Alq3，制备Alq3第一电子传输层，系统真空度维持在5 X 10—5 Pa，电子传输材料的沉积速率为O. 1 — 2. On m/s，厚度为10—40nm。5) 在Alq3第一电子传输层上，采用真空蒸镀的方法依次蒸镀功 能插层材料CuPc、 LiF和Al，制备CuPc/LiF/Al功能插层，系统真空度 维持在5X 10—5 Pa， CuPc/LiF/Al功能插层材料的沉积速率为0. l — 10. On m/s， CuPc、 LiF和Al的厚度分别5—20nm、 0. l-5nm和1.0— 10nm。6) 在CuPc/LiF/Al功能插层上，采用真空蒸镀的方法蒸镀空穴传 输层材料N， N，-双(l-萘基)-N， N，-二苯基-l， 1，-二苯基-4， 4，-二胺，简称NPB，制备第二空穴传输层。系统真空度在5 X10—5Pa, NPB沉 积速率为O. l — 1.5n m/s，厚度为40—80nm。7) 在第二空穴传输层上，采用真空蒸镀的方法蒸镀有机发光材 料，制备第二发光层。系统真空度维持在5 X 10—5 Pa，有机发光材 料的沉积速率为O. l — 2.0n m/s，厚度为20 —50nm。8) 在第二发光层上，采用真空蒸镀的方法蒸镀电子传输材料8-羟基喹啉铝Alq3，制备第二Alq3电子传输层，系统真空度维持在5X 10—5 Pa，电子传输材料的沉积速率为O. 1 — 2. On m/s，厚度为10—40nm。9) 在第二Alq3电子传输层上，采用真空蒸镀的方法蒸镀阴极材 料LiF和Al，制备LiF/Al混合阴极，系统真空度维持在5 X10'spa，阴 极材料的沉积速率为0.1 —10.0nm/s， LiF和Al的厚度分别O.l—5nm 和50—300謹。10) 采用封装基板对器件进行整体封装，完成器件制备。本专利技术的有机电致发光显示器件0LED，实现有机电致发光显示 器件0LED高亮度的窄带发射。采用该结构制备的有机电致发光显示 器件0LED不仅实现了窄带发射，而且与传统结构的0LED相比，其发 光强度大大增强，并能够实现波长的可调谐性及实现彩色显示。本发 明运用CuPc/LiF/Al插层将整个有机电致发光显示器件0LED分为功 能插层一金属和功能插层一氧化铟锡ITO结构的两组微腔型发光单 元，CuPc/LiF/Al既可以作为顶发射单元的阳极，又可以作为低发射 单元的阴极，这种器件结构制备工艺简单，可实现有机电致发光显示 器件0LED高亮度窄带发射，是提高有机电致发光显示器件0LED综合性能的有效途径。 附图说明图l本专利技术有机电致发光显示器件结构示意2传统有机电致发光显示器件结构示意图具体实施方式 实施例l，包括如下步骤1)在清洗干净的导电基板1上印刷有机电致发光显示器件OLED的氧化铟锡IT0阳极2图形，将印刷好氧化铟锡IT0阳极2图形的基板分别用甲苯、乙醇和丙酮进行超声清洗，再用去离子水浸洗干净。最后在真空室中进行臭氧离子轰击处理，将压强控制在50 Pa,对基底进行轰击20 min。2)用真空蒸镀的方法在印刷好氧化铟锡IT0阳极2图形的基板上 蒸镀空穴传输层材料N， N，-双(l-萘萄-N， N，-二苯基-l， 1，-二苯基-4， 4'-二胺，简称NPB，制备NPB第一空穴传输层3，系统真空度在5 X l(T5 Pa， NPB沉积速率为O. ln m/s，厚度为80nm。3) 在NPB第一空穴传输层3上，采用现有技术真空蒸镀的方法蒸 镀红绿蓝有机发光材料，制备第一发光层4，系统真空度维持在5X 10—5 Pa，有机发光材料的沉积速率为2.0n m/s，厚度为20nm。4) 在第一发光层4上，采用真空蒸镀的方法蒸镀电子传输材料S-羟基喹啉铝Alq3，制备Alq3第一电子传输层6，系统真空度维持在5 X 10—5 Pa，电子传输材料的沉积速率为O. ln m/s，厚度为40nm。5) 在Alq3第一电子传输层6上，采用真空蒸镀的方法依次蒸镀功 能插层材料CuPc、 LiF和Al，制备CuPc/LiF/Al功能插层7，系统真空 度维持在5X 10—5Pa， CuPc/LiF/Al功能插层7材料的沉积速率为0. ln m/s， CuPc、 LiF和Al的厚度分别为20nm、 5nm和1.0nm。6) 在CuPc/LiF/Al功能插层7上，采用真空蒸镀的方法蒸镀空穴传输层材料N， N，-双(l-萘基)-N， N，-二苯基-l， 1，-二苯基-4， 4，-二胺, 简称NPB，制备第二空穴传输层8。系统真空度在5 X10—5 Pa， NPB 沉积速率为1.5n m/s，厚度为40nm。7) 在第二空穴传输层8上，采用真空蒸镀的方法蒸镀有机发光材 料，制备第二发光层9。系统真空度维持在5 X 10—5Pa，有机发光材本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机电致发光显示器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：　１）在清洗干净的导电基板上印刷有机电致发光显示器件ＯＬＥＤ的氧化铟锡ＩＴＯ阳极图形，将印刷好氧化铟锡ＩＴＯ阳极图形的基板分别用甲苯、乙醇和丙酮进行超声清洗，再用去离子水浸洗干净，在真空室中进行臭氧离子轰击处理，将真空室压强控制在５－５０Ｐａ之间，对基底进行轰击５ｍｉｎ－２０ｍｉｎ；　２）用真空蒸镀的方法在印刷好氧化铟锡ＩＴＯ阳极图形的基板上蒸镀空穴传输层材料Ｎ，Ｎ’－双（１－萘基）－Ｎ，Ｎ’－二苯基－１，１’－二苯基－４，４’－二胺，简称ＮＰＢ，制备ＮＰＢ第一空穴传输层，系统真空度在５×１０↑［－５］Ｐａ，ＮＰＢ沉积速率为０．１－１．５ｎ　ｍ／ｓ，厚度为４０－８０ｎｍ；　３）在ＮＰＢ第一空穴传输层上，采用现有技术真空蒸镀的方法蒸镀红绿蓝有机发光材料，制备第一发光层，系统真空度维持在５×１０↑［－５］Ｐａ，有机发光材料的沉积速率为０．１－２．０ｎ　ｍ／ｓ，厚度为２０－５０ｎｍ；　４）在第一发光层上，采用真空蒸镀的方法蒸镀电子传输材料８－羟基喹啉铝Ａｌｑ↓［３］，制备Ａｌｑ↓［３］第一电子传输层，系统真空度维持在５×１０↑［－５］Ｐａ，电子传输材料的沉积速率为０．１－２．０ｎ　ｍ／ｓ，厚度为１０－４０ｎｍ；　５）在Ａｌｑ↓［３］第一电子传输层上，采用真空蒸镀的方法依次蒸镀功能插层材料ＣｕＰｃ、ＬｉＦ和Ａｌ，制备ＣｕＰｃ／ＬｉＦ／Ａｌ功能插层，系统真空度维持在５×１０↑［－５］Ｐａ，ＣｕＰｃ／ＬｉＦ／Ａｌ功能插层材料的沉积速率为０．１－１０．０ｎ　ｍ／ｓ，ＣｕＰｃ、ＬｉＦ和Ａｌ的厚度分别５－２０ｎｍ、０．１－５ｎｍ和１．０－１０ｎｍ；　６）在ＣｕＰｃ／ＬｉＦ／Ａｌ功能插层上，采用真空蒸镀的方法蒸镀空穴传输层材料Ｎ，Ｎ’－双（１－萘基）－Ｎ，Ｎ’－二苯基－１，１’－二苯基－４，４’－二胺，简称ＮＰＢ，制备第二空穴传输层，系统真空度在５×１０↑［－５］Ｐａ，ＮＰＢ沉积速率为０．１－１．５ｎ　ｍ／ｓ，厚度为４０－８０ｎｍ；　７）在第二空穴传输层上，采用真空蒸镀的方法蒸镀有机发光材料，制备第二发光层，系统真空度维持在５×１０↑［－５］Ｐａ，有机发光材料的沉积速率为０．１－２．０ｎ　ｍ／ｓ，厚度为２０－５０ｎｍ；　８）在第二发光层上，采用真空蒸镀的方法蒸镀电子传输材料８－羟基喹啉铝Ａｌｑ↓［３］，制备第二Ａｌｑ↓［３］电子传输层，系统真空度维持在５×１０↑［－５］...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张志刚，
申请(专利权)人：彩虹集团公司，
类型：发明
国别省市：61[中国|陕西]