光伏电池成膜设备制造技术

本申请公开了一种光伏电池成膜设备，包括成膜载板，成膜载板包括：载板本体，以及设置于载板本体的多个用于承载硅片的承载单元；每个承载单元包括：第一承载台、第二承载台和限位柱；第一承载台设置于载板本体，第一承载台的中间设有凹槽，第一承载台用于与硅片的边缘接触以承载硅片；第二承载台环绕设于第一承载台远离凹槽的一侧，沿凹槽的槽底到槽口的方向，第二承载台高出第一承载台预定高度；第二承载台上远离载板本体的一端间隔设有多个限位柱。通过第二承载台对硅片的边缘形成遮挡，可以有效避免硅片边缘绕度问题，通过间隔设置的限位柱，既能实现对硅片的限位作用，又便于硅片正面边缘部位均匀成膜，能够提高硅片正面成膜的均匀性。均匀性。均匀性。

【技术实现步骤摘要】
光伏电池成膜设备


[0001]本申请属于光伏电池制造
，具体涉及一种光伏电池成膜设备。

技术介绍

[0002]异质结太阳能电池(又称HIT或HJT或SHJ太阳能电池)属于第三代高效太阳能电池技术，具有转换效率高、温度系数低等特点。异质结太阳能电池在生产制造过程中，需要使用成膜载板承载硅片进入成膜设备的腔室内，进而采用等离子增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)工艺在硅片的表面进行非晶硅薄膜沉积。因而，硅片表面所沉积的非晶硅薄膜的质量与成膜载板的结构密切相关。
[0003]相关技术中，为了限制硅片在载板中的移动，在载板中设置多个用于承载硅片的凹槽单元，成模时将硅片放入凹槽单元的凹槽内，利用凹槽的槽壁限制硅片的移动，同时，利用槽壁可以形成对硅片的边缘遮挡，以减小硅片边缘绕度问题。
[0004]然而，采用相关技术中的载板，若凹槽的槽壁高度过低，无法对硅片的边缘形成有效的限位和遮挡，容易出现硅片磕伤以及硅片边缘绕度问题；若凹槽的槽壁高度过高，则容易对硅片正面边缘部位的成膜造成影响，使硅片正面所成的膜层不均匀，影响光伏电池的转换效率。

技术实现思路

[0005]本申请旨在提供一种光伏电池成膜设备，至少解决采用相关技术的成膜设备中的载板凹槽的槽壁高度过低，容易出现硅片磕伤以及硅片边缘绕度问题，而槽壁高度过高则容易导致硅片正面膜层不均匀的问题之一。
[0006]为了解决上述技术问题，本申请是这样实现的：
[0007]本申请实施例提出了一种光伏电池成膜设备，包括成膜载板，所述成膜载板包括：载板本体，以及设置于所述载板本体的多个用于承载硅片的承载单元；
[0008]每个所述承载单元包括：第一承载台、第二承载台和限位柱；
[0009]所述第一承载台设置于所述载板本体，所述第一承载台的中间设有凹槽，所述第一承载台用于与所述硅片的边缘接触以承载所述硅片；
[0010]所述第二承载台环绕设于所述第一承载台远离所述凹槽的一侧，沿所述凹槽的槽底到槽口的方向，所述第二承载台高出所述第一承载台预定高度；所述第二承载台上远离所述载板本体的一端间隔设有多个所述限位柱。
[0011]可选地，所述多个限位柱环绕所述凹槽间隔设置。
[0012]可选地，每个所述承载单元中所述限位柱的数量为至少四个，在所述第一承载台承载所述硅片的情况下，所述硅片的一个侧边至少对应一个所述限位柱。
[0013]可选地，所述限位柱远离所述第二承载台的一端为曲面结构。
[0014]可选地，所述预定高度为所述硅片的厚度的1～4倍。
[0015]可选地，所述预定高度为：0.1～0.5mm。
[0016]可选地，所述限位柱的高度与所述第二承载台高出于所述第一承载台部分的高度之和为：0.8～1.4mm。
[0017]可选地，所述限位柱的高度为：0.5～0.9mm。
[0018]可选地，所述第二承载台包括：四个止挡柱；
[0019]所述第一承载台具有四个转角，每个所述转角处设有一个所述止挡柱，每个所述止挡柱远离所述第一承载台的一端设有一个所述限位柱。
[0020]可选地，所述四个止挡柱的高度相等，且均高出所述第一承载台预定高度。
[0021]可选地，所述载板本体、所述第一承载台、所述第二承载台以及所述限位柱为一体式结构。
[0022]可选地，所述限位柱为：方形柱、矩形柱、圆柱、棱柱或梯形柱、中的一种或两种以上的组合。
[0023]可选地，所述第一承载台为方框状，和/或，所述凹槽的槽底为四边形。
[0024]可选地，所述载板本体的材质为：石墨、碳纤维、碳化硅、二氧化硅、陶瓷或者玻璃。
[0025]在本申请的实施例中，通过在载板本体上设置多个用于承载硅片的承载单元，可以同时承载多个硅片进行成膜工艺操作，有助于提高生产效率。在每个承载单元中，设置环形的第一承载台用于承载硅片的四周边缘，在第一承载台的中间设置凹槽，可以减小第一承载台与硅片的接触面积，降低对硅片背面膜层的摩擦损伤。环绕第一承载台设有第二承载台，并使第二承载台高出第一承载台预定高度，可以利用第二承载台对硅片的边缘形成遮挡，进而有效避免硅片背面边缘的绕度问题。进一步地，在第二承载台上间隔设置多个限位柱，利用限位柱可以限制成膜过程中硅片的移动，同时便于工艺气体穿过限位柱之间的间隙，以在硅片正面边缘部位均匀成膜。这样，在利用成膜载板承载硅片进入成膜设备的腔室内进行成膜操作过程中，通过设置中间带凹槽的第一承载台用于承载硅片，可以减小对硅片背面膜层的磨损，利用第二承载台对硅片的边缘形成遮挡，可以有效避免硅片边缘绕度问题，通过间隔设置的限位柱，既能实现对硅片的限位作用，又便于硅片正面边缘部位均匀成膜，能够提高硅片正面成膜的均匀性，从而提升了光伏电池的转换效率。
[0026]本申请的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。
附图说明
[0027]本申请的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
[0028]图1是根据本申请实施例的成膜载板的结构示意图；
[0029]图2是根据本申请实施例的成膜载板的局部剖面图；
[0030]图3是根据本申请实施例的另一种成膜载板的结构示意图；
[0031]图4是根据本申请实施例的又一种成膜载板的结构示意图；
[0032]图5是根据本申请实施例的光电转换性能测试的试验结果示意图。
[0033]附图标记：
[0034]100、载板本体；110、承载单元；111、第一承载台；112、第二承载台；1121、止挡柱；113、限位柱；114、凹槽；200、硅片；H0、硅片的厚度；H1、预定高度；H2、限位柱的高度。
具体实施方式
[0035]下面将详细描述本申请的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能理解为对本申请的限制。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0036]本申请的说明书和权利要求书中的术语“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。此外，说明书以及权利要求中“和/或”表示所连接对象的至少其中之一，字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
[0037]在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光伏电池成膜设备，包括成膜载板，其特征在于，所述成膜载板包括：载板本体，以及设置于所述载板本体的多个用于承载硅片的承载单元；每个所述承载单元包括：第一承载台、第二承载台和限位柱；所述第一承载台设置于所述载板本体，所述第一承载台的中间设有凹槽，所述第一承载台用于与所述硅片的边缘接触以承载所述硅片；所述第二承载台环绕设于所述第一承载台远离所述凹槽的一侧，沿所述凹槽的槽底到槽口的方向，所述第二承载台高出所述第一承载台预定高度；所述第二承载台上远离所述载板本体的一端间隔设有多个所述限位柱。2.根据权利要求1所述的光伏电池成膜设备，其特征在于，所述多个限位柱环绕所述凹槽间隔设置。3.根据权利要求2所述的光伏电池成膜设备，其特征在于，每个所述承载单元中所述限位柱的数量为至少四个，在所述第一承载台承载所述硅片的情况下，所述硅片的一个侧边至少对应一个所述限位柱。4.根据权利要求1～3任一项所述的光伏电池成膜设备，其特征在于，所述限位柱远离所述第二承载台的一端为曲面结构。5.根据权利要求1所述的光伏电池成膜设备，其特征在于，所述预定高度为所述硅片的厚度的1～4倍。6.根据权利要求5所述的光伏电池成膜设备，其特征在于，所述预定高度为：0.1～0.5mm。7.根据权利要求6...

【专利技术属性】
技术研发人员：李权，钟双全，张开旺，卢俊雄，陈皓，
申请(专利权)人：隆基绿能科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：