存储设备制造技术

存储设备包括非易失性存储器，每个非易失性存储器包括内部温度传感器；存储器控制器，被配置为具有为不同温度定义的多个操作命令和外部温度传感器。存储器控制器在第一频率中从外部温度传感器获得外部温度值，在不同于第一频率的第二频率中获得内部温度传感器的内部温度值，当外部温度值和内部温度值之间的差异等于或小于第一阈值时，基于外部温度值确定目标非易失性存储器的温度范围，当差异超过第一阈值时，基于内部温度值确定温度范围，并向目标非易失性存储器提供对应于温度范围的操作命令。作命令。作命令。

【技术实现步骤摘要】
存储设备
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本专利申请要求于2021年12月3日在韩国知识产权局提交的第10
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2021
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0172043号韩国专利申请和于2022年4月5日在韩国知识产权局提交的第10
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2022
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0042010号韩国专利申请的优先权，其公开内容通过引用整体并入本文。


[0003]本公开的示例实施例涉及存储设备。

技术介绍

[0004]半导体存储器设备可以包括易失性存储器或非易失性存储器。易失性存储器在其电源被切断时损失存储的数据，而非易失性存储器即使在其电源被切断时仍保留存储的数据。非易失性存储器可以包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪存、相变RAM(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻RAM(RRAM)或铁电RAM(FRAM)。
[0005]非易失性存储器的操作特性可能取决于温度而变化。当在其上对数据进行编程的非易失性存储器的温度与读取数据时的温度不同时，可能频繁发生错误。

技术实现思路

[0006]本公开的至少一个示例实施例提供了补偿取决于非易失性存储器的温度而变化的操作特性的存储设备。
[0007]本公开的至少一个示例实施例提供了确定非易失性存储器的温度值并使用确定的温度来降低其性能退化的存储设备。
[0008]根据本公开的示例实施例，存储设备包括多个非易失性存储器，每个非易失性存储器包括内部温度传感器；存储器控制器，被配置为通过第一接口与多个非易失性存储器通信，并且具有分别为非易失性存储器的温度范围定义的多个操作命令；以及外部温度传感器，被配置为经由第二接口与存储器控制器通信。存储器控制器被配置为在第一频率中从外部温度传感器获得外部温度值，在不同于第一频率的第二频率中获得内部温度传感器的内部温度值，当外部温度值和内部温度值之间的差异等于或小于第一阈值时，基于外部温度值确定目标非易失性存储器的温度范围，当差异超过第一阈值时，基于内部温度确定温度范围，并向目标非易失性存储器提供对应于温度范围的操作命令。
[0009]根据本公开的示例实施例，存储设备包括多个非易失性存储器，每个非易失性存储器包括内部温度传感器；以及存储器控制器，被配置为控制多个非易失性存储器，并且具有分别为非易失性存储器的温度范围定义的多个操作命令。存储器控制器被配置为基于内部温度传感器的温度值来确定非易失性存储器中每一个的温度范围。存储器控制器被配置为周期性地监视非易失性存储器中每一个的输入/输出工作负荷，当输入/输出工作负荷的量在预定时间段内处于预定范围之外时，参照目标非易失性存储器的内部温度传感器的温
度值来更新目标非易失性存储器的温度范围，向多个非易失性存储器当中的目标非易失性存储器提供与更新的温度范围对应的操作命令。
[0010]根据本公开的示例实施例，存储设备包括多个非易失性存储器；存储器控制器，被配置为控制多个非易失性存储器，并且具有分别为非易失性存储器的温度范围定义的多个操作命令；以及通道，被配置为向多个非易失性存储器中的目标非易失性存储器提供由存储器控制器输出的命令锁存使能(CLE)信号和地址锁存使能(ALE)信号。存储器控制器被配置为在其中CLE信号被使能的第一时间段中向目标非易失性存储器提供多个操作命令当中的、与多个非易失性存储器当中的目标非易失性存储器的温度值所属于的温度范围对应的操作命令，在其中ALE信号被使能的第二时间段中向目标非易失性存储器提供实际地址，以及在其中CLE信号被使能的第三时间段中向目标非易失性存储器提供确认命令。
附图说明
[0011]结合附图，根据以下详细描述，将更清楚地理解本公开的上述和其他方面和特征，其中：
[0012]图1是示出根据本公开的示例实施例的存储设备的框图；
[0013]图2至图4是示出根据本公开的示例实施例的非易失性存储器的示图；
[0014]图5是示出根据非易失性存储器的温度而补偿的读取电压的示图；
[0015]图6是示出将存储器控制器连接到非易失性存储器的通道(channel)的示图；
[0016]图7A和图7B是示出根据本公开的比较示例和示例实施例的发送命令的方法的定时图；
[0017]图8A和图8B是示出根据本公开的示例实施例的操作命令的示图；
[0018]图9是示出根据本公开的示例实施例的每个非易失性存储器的温度范围的示图；
[0019]图10至图12是示出根据本公开的示例实施例的存储设备的操作的流程图；
[0020]图13和图14是示出根据本公开的示例实施例的存储设备的结构的示图；和
[0021]图15是示出了应用根据本公开的示例实施例的存储设备的系统的示图。
具体实施方式
[0022]在下文中，将参照附图对本公开的实施例进行如下描述。
[0023]图1是示出根据示例实施例的存储设备的框图。
[0024]参照图1，存储设备100包括存储器控制器110(例如，控制电路)、存储器设备120、外部温度传感器130(例如，温度感测电路)、第一接口101和第二接口102。存储器控制器110和存储器设备120可以通过第一接口101彼此连接。此外，存储器控制器110和外部温度传感器130可以通过第二接口102彼此连接。外部温度传感器130可以包括一个或多个温度传感器。
[0025]存储器设备120可以包括多个非易失性存储器NVM11
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NVM24。非易失性存储器NVM11
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NVM24中的每一个可以通过对应的方式连接到多个通道CH1和CH2中的一个。例如，非易失性存储器NVM11
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NVM14可以通过路径(way)W11
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W14连接到第一通道CH1，非易失性存储器NVM21
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NVM24可以通过路径W21
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W24连接到第二通道CH2。在示例实施例中，非易失性存储器NVM11
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NVM24中的每一个可以被实现为任意存储器单元，该任意存储器单元可以根据来
自存储器控制器110的单独命令独立操作。例如，非易失性存储器NVM11
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NVM24中的每一个可以实现为芯片或裸芯，但是其示例实施例不限于此。此外，存储设备100中包括的通道的数量和分别连接到通道的非易失性存储器的数量不限于任何特定示例。连接到第一通道CH1的非易失性存储器NVM11
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NVM14可以是第一NVM组(NVM组1)的一部分，连接到第二通道CH2的非易失性存储器NVM21
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NVM24可以是第二NVM组(NVM组2)的一部分。
[0026]存储器控制器110可以通过多个通道CH1和CH2向存储器设备120发送信号，并且可以从存储器设备120接收信号。例如，存储器本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储设备，包括：多个非易失性存储器，每个非易失性存储器包括内部温度传感器；存储器控制器，被配置为通过第一接口与多个非易失性存储器通信，并且具有分别为多个非易失性存储器的温度范围定义的多个操作命令；以及外部温度传感器，被配置为经由第二接口与存储器控制器通信，其中，所述存储器控制器被配置为在第一频率中从外部温度传感器获得外部温度值，并且在不同于第一频率的第二频率中获得内部温度传感器的内部温度值，其中，所述存储器控制器被配置为当外部温度值和内部温度值之间的差异等于或小于第一阈值时，基于外部温度值确定多个非易失性存储器中的目标非易失性存储器的温度范围，其中，所述存储器控制器被配置为当所述差异超过第一阈值时，基于内部温度值确定温度范围，并且其中，所述存储器控制器被配置为向目标非易失性存储器提供来自多个操作命令当中的、与温度范围对应的操作命令。2.根据权利要求1所述的存储设备，其中，所述存储器控制器被配置为从在包括编程操作、读取操作和擦除操作的操作类型中定义的温度范围的操作命令当中分别选择与所述目标非易失性存储器的温度范围和要被指示的操作类型对应的操作命令。3.根据权利要求1所述的存储设备，其中，所述存储器控制器被配置为基于所述多个非易失性存储器的平均温度值来确定内部温度值。4.根据权利要求1所述的存储设备，其中，通过第一接口再次获得所述内部温度值，并且基于所获得的温度值来确定非易失性存储器的温度范围。5.根据权利要求2所述的存储设备，其中，所述存储器控制器被配置为从主机接收存储设备的外部区域的温度值，并将与接收的温度值所属于的温度范围对应的命令确定为操作类型中的每一个的默认命令。6.根据权利要求1所述的存储设备，其中，所述存储设备还包括其中多个非易失性存储器被放置的非易失性存储器区域，并且其中，所述外部温度传感器包括放置在所述非易失性存储器区域中的第一外部温度传感器和放置在所述非易失性存储器区域外部的第二外部温度传感器。7.根据权利要求6所述的存储设备，其中，当第一外部温度传感器的温度值和第二外部温度传感器的温度值之间的差异等于或大于第二阈值时，所述存储器控制器被配置为基于内部温度传感器的内部温度值来更新所述多个非易失性存储器的温度范围。8.根据权利要求1所述的存储设备，其中，所述存储设备还包括衬底，所述存储器控制器和所述多个非易失性存储器堆叠在所述衬底上。9.根据权利要求1所述的存储设备，其中，所述存储器控制器还包括命令队列，所述命令队列对要提供给所述多个非易失性存储器的操作命令进行排队，并且根据所述命令队列中排队的命令的数量来确定第一频率和第二频率之间的比率。10.根据权利要求9所述的存储设备，其中，所述存储器控制器被配置为当在所述命令队列中排队的操作命令的数量等于或小于阈值时，增加第二频率与第一频率的比率。
11.根据权利要求1所述的存储设备，其中，第二接口是内部集成电路(I2C)接口。12.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：李庚德，千允洙，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：