研磨垫整平器清洗装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种研磨垫整平器清洗装置，包括箱体、供液组件及超声组件，所述箱体具有顶部开口，一研磨垫整平器由所述顶部开口伸入所述箱体内，所述供液组件用于向所述箱体供应清洗液，所述超声组件位于所述箱体内并用于对所述研磨垫整平器进行超声波清洗，所述箱体的底部还开设有若干排水口。本发明专利技术利用超声组件对研磨垫整平器进行超声波清洗，能够更彻底地对所述研磨垫整平器进行清洗，将所述研磨垫整平器上的微小纳米级颗粒及结晶体冲洗掉，相比传统的水冲洗效果更佳，避免了所述研磨垫整平器以携带残留附着物的状态去打磨研磨垫，进而降低了微小颗粒与晶圆接触的机率，从而减少了晶圆划伤的情况发生。晶圆划伤的情况发生。晶圆划伤的情况发生。

【技术实现步骤摘要】
研磨垫整平器清洗装置


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种研磨垫整平器清洗装置。

技术介绍

[0002]化学机械研磨(CMP)是一种最常用的平坦化制程。在CMP制程中研磨垫研磨一段时间后，表面须靠研磨垫整平器加以修整，目的是将使用过的研磨垫恢复到具有活性的粗糙值状态，此可免除更换新的研磨垫而达到量产及节约成本的目的。而能让研磨垫随时处在一致性有效应用的状态下，并能延长研磨垫的使用寿命，很大程度取决于研磨垫整平器的清洗效果。研磨垫整平器清洗越干净(无附着物)，研磨垫就会被打磨地越粗糙，为后续研磨晶圆提供优质的条件。
[0003]现有研磨垫整平器的清洗方式通过是通过喷嘴进行水冲洗，缺点是无法将纳米级微小颗粒冲洗掉(如研磨液、晶圆及研磨垫的残留附着物)，且水流力度小，无法冲掉结晶体。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种研磨垫整平器清洗装置，解决了现有研磨垫整平器的清洗方式无法将纳米级微小颗粒冲洗掉，且水流力度小，无法冲掉结晶体的问题。
[0005]为达到上述目的，本专利技术提供一种研磨垫整平器清洗装置，包括箱体、供液组件及超声组件，所述箱体具有顶部开口，一研磨垫整平器由所述顶部开口伸入所述箱体内，所述供液组件用于向所述箱体供应清洗液，所述超声组件位于所述箱体内并用于对所述研磨垫整平器进行超声波清洗，所述箱体的底部还开设有若干排水口。
[0006]可选的，所述供液组件包括供液管及喷嘴，所述供液管用于向所述喷嘴供应所述清洗液，所述喷嘴用于向所述研磨垫整平器喷射所述清洗液。
[0007]可选的，所述喷嘴通过支架安装在所述研磨垫整平器的机台上。
[0008]可选的，所述喷嘴安装在所述箱体的内侧壁上。
[0009]可选的，所述喷嘴的喷射角度可调节。
[0010]可选的，所述喷嘴沿所述研磨垫整平器的周向均匀分布。
[0011]可选的，所述箱体的材质为聚氯乙烯。
[0012]可选的，所述超声组件包括至少一个超声波发生器。
[0013]可选的，所述超声波发生器为多个且均匀分布在所述箱体的底部。
[0014]可选的，所述清洗液为超纯水。
[0015]在本专利技术提供的一种研磨垫整平器清洗装置中，利用超声组件对研磨垫整平器进行超声波清洗，能够更彻底地对所述研磨垫整平器进行清洗，将所述研磨垫整平器上的微小纳米级颗粒及结晶体冲洗掉，相比传统的水冲洗效果更佳，避免了所述研磨垫整平器以携带残留附着物的状态去打磨研磨垫，进而降低了微小颗粒与晶圆接触的机率，从而减少了晶圆划伤的情况发生。
附图说明
[0016]本领域的普通技术人员将会理解，提供的附图用于更好地理解本专利技术，而不对本专利技术的范围构成任何限定。其中：
[0017]图1为本专利技术一实施例提供的研磨垫整平器清洗装置的结构示意图。
[0018]附图中：
[0019]1‑
箱体；2
‑
研磨垫整平器；3
‑
排水口；4
‑
喷嘴；5
‑
超声波发生器。
具体实施方式
[0020]为使本专利技术的目的、优点和特征更加清楚，以下结合附图和具体实施例对本专利技术作进一步详细说明。需要说明的是，附图采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本专利技术实施方式的目的。为了使本专利技术的目的、特征和优点能够更加明显易懂，请参阅附图。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本专利技术实施的限定条件，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在与本专利技术所能产生的功效及所能达成的目的相同或近似的情况下，均应仍落在本专利技术所揭示的
技术实现思路
能涵盖的范围内。
[0021]如在本专利技术中所使用的，单数形式“一”、“一个”以及“该”包括复数对象，除非内容另外明确指出外。如在本专利技术中所使用的，术语“或”通常是以包括“和/或”的含义而进行使用的，除非内容另外明确指出外。如在本专利技术中所使用的，术语“若干”通常是以包括“至少一个”的含义而进行使用的，除非内容另外明确指出外。如在本专利技术中所使用的，术语“至少两个”通常是以包括“两个或两个以上”的含义而进行使用的，除非内容另外明确指出外。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”、“第三”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者至少两个该特征。
[0022]在本专利技术的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。
[0023]请参照图1，图1为本专利技术一实施例提供的研磨垫整平器清洗装置的结构示意图。本实施例提供了一种研磨垫整平器清洗装置，包括箱体1、供液组件及超声组件，所述箱体1具有顶部开口，一研磨垫整平器2由所述顶部开口伸入所述箱体1内，所述供液组件用于向所述箱体1供应清洗液，所述超声组件位于所述箱体1内并用于对所述研磨垫整平器2进行超声波清洗，所述箱体1的底部还开设有若干排水(污)口3。
[0024]本专利技术对于研磨垫整平器2的清洗主要是利用超声波清洗的原理，利用超声波在清洗液中的空化作用、加速度作用及直进流作用对清洗液和所述研磨垫整平器2的残留附着物直接或间接的作用，使残留附着物被剥离而达到清洗目的。
[0025]本实施例利用超声组件对研磨垫整平器2进行超声波清洗，能够更彻底地对所述研磨垫整平器2进行清洗，将所述研磨垫整平器2上的微小纳米级颗粒及结晶体冲洗掉，相
比传统的水冲洗效果更佳，避免了所述研磨垫整平器2以携带残留附着物的状态去打磨研磨垫，进而降低了微小颗粒与晶圆接触的机率，从而减少了晶圆划伤的情况发生。
[0026]具体的，所述供液组件包括供液管(图中未示出)及喷嘴4，所述供液管用于向所述喷嘴4供应所述清洗液，所述喷嘴4用于向所述研磨垫整平器2喷射所述清洗液。所述供液管可采用PFA水管，所述供液管的一端可连通一储液箱或供液主管道，另一端连通所述喷嘴4。所述喷嘴4喷出的清洗液具有一定的水压，能够对所述研磨垫整平器2起到一定的冲洗作用。通过采用喷嘴式结构，一方面能够对所述研磨垫整平器2进行初步清洗，另一方面能够所述喷嘴4喷出的清洗液能够流入所述箱体1内，向所述箱体1供应清洗液，以便于所述超声组件发挥作用。
[0027]作为本实施例中一个较佳的示例，所述喷嘴4通过支架安装在所述研磨垫整平器2的机台上。需要理解的是，所述支架及所述喷嘴4应当位于所述箱体1内，以便于喷嘴4喷出的清洗液能够流入所述箱体1内。本申请对于所述支本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种研磨垫整平器清洗装置，其特征在于，包括箱体、供液组件及超声组件，所述箱体具有顶部开口，一研磨垫整平器由所述顶部开口伸入所述箱体内，所述供液组件用于向所述箱体供应清洗液，所述超声组件位于所述箱体内并用于对所述研磨垫整平器进行超声波清洗，所述箱体的底部还开设有若干排水口。2.根据权利要求1所述的研磨垫整平器清洗装置，其特征在于，所述供液组件包括供液管及喷嘴，所述供液管用于向所述喷嘴供应所述清洗液，所述喷嘴用于向所述研磨垫整平器喷射所述清洗液。3.根据权利要求2所述的研磨垫整平器清洗装置，其特征在于，所述喷嘴通过支架安装在所述研磨垫整平器的机台上。4.根据权利要求2所述的研磨垫整平器清洗装置，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：童志荣，徐波，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：