一种水热生长硒氧化铋薄膜的方法技术

本发明专利技术涉及硒氧化铋薄膜制备领域，更具体的说是一种水热生长硒氧化铋薄膜的方法，使用水热法制备二维Bi2O2Se，步骤一：将铋盐溶于加入氢氧化钠的水溶液中，加入硝酸钾和硝酸锂形成溶液A，步骤二：在氢氧化钠溶液中加入水合肼，将硒粉溶于其中后形成溶液B，步骤三：将溶液A和溶液B进行混合，转移至聚四氟乙烯内衬中，步骤四：将准备好的衬底放入装有A和B混合溶液的内衬中，装入反应釜；步骤五：将反应釜放入烘箱，调节温度与时间，步骤六：反应完成后，取出衬底，使用乙醇、去离子水洗涤，氩气吹干，可以使用简单方法，绿色安全的批量生产Bi2O2Se。Se。Se。

【技术实现步骤摘要】
一种水热生长硒氧化铋薄膜的方法


[0001]本专利技术涉及硒氧化铋薄膜制备领域，更具体的说是一种水热生长硒氧化铋薄膜的方法。

技术介绍

[0002]寻找拥有优异电子性能的新材料，对于半导体行业的发展和繁荣是至关重要的，尤其是那些具有高载流子迁移率、适度的能隙和优异环境稳定性的材料。
[0003]最近，新型层状半导体材料Bi2O2Se作为其中一种候选者，展现出了很强的竞争力；基于Bi2O2Se的场效应晶体管表现出优异的半导体器件性能，包括高载流子迁移率和大于106的卓越电流开关比，高载流子迁移率为1.9K时约28,900cm2/V
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s，室温下约450cm2/V
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s，同时Bi2O2Se的中等能隙，约0.8eV，也使其方便于室温操作。故而，得益于这些出色性质，Bi2O2Se作为很有前景的研究平台而备受关注；
[0004]例如现有技术中的一种Bi2O2Se的制备方法，具体步骤如下：以Bi2O3、Bi和Se粉末作为原料，在真空状态进行反应，反应结束后得到Bi2O2Se晶体，该方法所需原料简单，但反应本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种水热生长硒氧化铋薄膜的方法，其特征在于：该方法使用水热法制备二维Bi2O2Se。2.根据权利要求1所述的一种水热生长硒氧化铋薄膜的方法，其特征在于：水热法制备二维Bi2O2Se具体包括以下步骤：步骤一：将铋盐溶于加入氢氧化钠的水溶液中，加入硝酸钾和硝酸锂形成溶液A；步骤二：在氢氧化钠溶液中加入水合肼，将硒粉溶于其中后形成溶液B；步骤三：溶液A和溶液B混合后转移至聚四氟乙烯内衬中；步骤四：将衬底放入装有溶液A和溶液B混合溶液的内衬中，装入反应釜；步骤五：将反应釜放入烘箱，调节温度与时间进行反应；步骤六：反应完成后，取出衬底，洗涤和吹干。3.根据权利要求2所述的一种水热生长硒氧化铋薄膜的方法，其特征在于：所述中铋盐为五水合硝酸铋、乙酸铋和柠檬酸铋的中的一种或者几种，溶液A中铋盐的物质的量浓度为1
‑
2mM，氢氧化钠的质量为0.1
‑
5g。4.根据权利要求2所述的一种水热生长硒氧化铋薄膜的方法，其特征在于：所述溶液A体积5
‑
20ml，硝酸钾和硝酸锂总质量为10
‑
20g，硝酸钾和硝酸锂的比例为3
‑
1：1
‑
1。5.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：张甲，任宣羽，葛传洋，李宇阳，
申请(专利权)人：哈尔滨工业大学，
类型：发明
国别省市：