一种单晶二维二硫化钒纳米片及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种单晶二维二硫化钒纳米片制备方法，包括以下步骤：将S粉放入硫石英舟，V2O5粉和KCl粉混合后放入钒石英舟，SiO2/Si衬底放入衬底石英舟；将硫石英舟、钒石英舟和衬底石英舟放入两端开口的小石英管内部，然后再将小石英管放入管式炉内，并将管式炉两端的法兰安装完成；将氩气充满管式炉，然后把管式炉内部氩气抽出；开启管式炉，通入氩气和氢气的混合气体，按照设定的程序进行升温，然后恒温保持一段时间，最后将管式炉自然冷却至室温。本发明专利技术还公开一种单晶二维二硫化钒纳米片，由上述制备方法制备得到。本发明专利技术提供的一种单晶二维二硫化钒纳米片及其制备方法，能够大规模生长较薄的单晶二硫化钒纳米片，提升二硫化钒的质量。硫化钒的质量。硫化钒的质量。

【技术实现步骤摘要】
一种单晶二维二硫化钒纳米片及其制备方法


[0001]本专利技术涉及一种单晶二维二硫化钒纳米片及其制备方法，属于纳米材料制备


技术介绍

[0002]二维过渡金属硫化物(TMDCs)是一种新型的类石墨烯的二维材料，具有优异的物理、光学、和催化特性。其分子式为MX2，其中M是过渡金属(V、Mo、W等)，X是硫族元素(S、Se、Te等)。二维过渡金属硫化物(TMDCs)存在40多种组合，具有丰富的物理化学、光学、电气、机械和催化特性，在场效应晶体管、光电子器件、和催化等方面的应用引起了人们极大的兴趣。另外，TMDCs材料不同的相结构对其物理化学性质如电子结构、光学性质和磁性有着重要的影响。在二硫化钒中就存在两种可能的相位，一种是T相二硫化钒(VS2)，其具有高导电性、电催化活性和铁磁性等特性。另一种是H相二硫化钒(VS2)，其具有半导体性质和比T相更大的磁矩。二硫化钒些优异的电学和光学特性使其在超级电容器、湿度传感器、非易失性存储器和振荡器等多种器件中有良好的应用前景。
[0003]目前二硫化钒的合成方法主要有：机械剥离法、液相剥离法本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种单晶二维二硫化钒纳米片制备方法，其特征在于：包括以下步骤：将S粉放入硫石英舟，V2O5粉和KCl粉混合后放入钒石英舟，SiO2/Si衬底放入衬底石英舟；将硫石英舟、钒石英舟和衬底石英舟放入两端开口的小石英管内部，然后再将小石英管放入管式炉内，并将管式炉两端的法兰安装完成；将氩气充满管式炉，然后把管式炉内部氩气抽出；开启管式炉，通入氩气和氢气的混合气体，按照设定的程序进行升温，然后恒温保持一段时间，最后将管式炉自然冷却至室温。2.根据权利要求1所述的一种单晶二维二硫化钒纳米片制备方法，其特征在于：S粉和V2O5粉的质量比为4:1～8:1；钒石英舟中V2O5粉和KCl粉的质量比为10:1～20:3。3.根据权利要求1所述的一种单晶二维二硫化钒纳米片制备方法，其特征在于：SiO2/Si衬底倒扣放置在衬底石英舟上。4.根据权利要求1所述的一种单晶二维二硫化钒纳米片制备方法，其特征在于：小石英管两端开口，直径为2cm，长度...

【专利技术属性】
技术研发人员：田德伟，闫巍，孟岚，李兴鳌，
申请(专利权)人：南京邮电大学，
类型：发明
国别省市：