一种碲化锑-二硫化钨垂直异质结纳米材料及其制备方法技术

本发明专利技术公开一种碲化锑

【技术实现步骤摘要】
一种碲化锑
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二硫化钨垂直异质结纳米材料及其制备方法


[0001]本专利技术属于无机纳米半导体材料领域，具体涉及一种碲化锑
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二硫化钨垂直异质结纳米材料的制备方法。

技术介绍

[0002]二维层状半导体材料，特别是过渡金属硫族化合物（TMDs），由于其超薄的结构、单层直接带隙、大的激子束缚能、室温光发射和谷电子特性等优异的光电性质，以及在未来集成光电子器件方面的潜在应用，吸引了广泛的关注。
[0003]相比于机械剥离再堆叠的方法，气相沉积法合成的二维层状异质结具有干净的异质界面、高效的层间电荷转移效率和较大的异质界面接触面积等优势，因此，近年来，CVD法制备二维p
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n垂直异质结逐渐成为研究热点。由于大多数TMDs材料都是n型半导体，缺少室温下稳定存在的p型半导体，导致异质结构筑类型单一。因此，设计基于type
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II能带结构的二维p
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n垂直异质结高性能光电器件仍然是一个巨大的挑战。
[0004]近年来，层状Sb2Te3材料因其具有窄带隙本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碲化锑
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二硫化钨垂直异质结纳米材料，其特征在于：Sb2Te3‑
WS2垂直异质结纳米材料为垂直堆叠层状结构，其中底层为WS2层，底层上堆叠Sb2Te3层；所述WS2层为具有三角形形状的单层单晶纳米片，所述Sb2Te3层为随着生长温度的升高或生长时间的延长，在WS2层上覆盖的具有多边形形状的单晶纳米片。2.根据权利要求1所述的一种碲化锑
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二硫化钨垂直异质结纳米材料，其特征在于：所述WS2层中，单晶纳米片为六方晶系层状结构；单晶纳米片的平面尺寸为20~50 μm，单层厚度约为0.7~0.9 nm。3.根据权利要求1所述的一种碲化锑
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二硫化钨垂直异质结纳米材料，其特征在于：所述Sb2Te3层中，单晶纳米片为三方晶体结构，厚度为0.8~2.1 nm。4.根据权利要求1所述的一种碲化锑
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二硫化钨垂直异质结纳米材料，其特征在于：所述Sb2Te3层在垂直方向投影的面积小于所述WS2层在垂直方向投影的面积，Sb2Te3层覆盖率为30%~70%。5.一种如权利要求1所述的碲化锑
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二硫化钨垂直异质结纳米材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1）WS2层制备：将清洗干净的SiO2/Si基底平扣在装有WO3粉末的陶瓷舟上方，然后将陶瓷舟放入管...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵磊，黄一凡，郭中华，王新琴，赵鸿宇，马云云，林树美，
申请(专利权)人：兰州城市学院，
类型：发明
国别省市：