中远红外非线性光学晶体硫锗银、制备方法及应用技术

本发明专利技术公开了一种中远红外非线性光学晶体硫锗银、制备方法及应用，其分子式为Ag2GeS3，相对分子量为384.51，属于正交非中心对称空间群Cmc21，晶胞参数为：晶胞参数为：Z＝4。制备过程是在真空条件下利用高温固相反应自发生长成晶体。本发明专利技术制备的Ag2GeS3具有优异的中远红外非线性光学效应。其在红外波段透过率高，满足第Ⅰ类相位匹配要求，并拥有较强的倍频效应(2.1um激光下，4.3

【技术实现步骤摘要】
中远红外非线性光学晶体硫锗银、制备方法及应用


[0001]本专利技术涉及一种硫属化合物硫锗银光电材料，具体涉及一种中远红外非线性光学晶体硫锗银、制备方法及应用。

技术介绍

[0002]随着科技的不断进步与变革，许多材料逐渐在国民生产和生活中扮演至关重要的角色。比如光电材料为核心的光电设备，在各种电、光、热、磁的相互转换中起着不可或缺的作用。光电材料的应用，涉及到众多领域，其中包括红外探测器、光纤器件、固态激光器、非线性光学晶体等。作为光电材料中的一员，非线性光学晶体的开发和应用经历了数十年的发展。其是激光实现宽光谱连续输出的重要保障，是激光器件中的核心部件。按照调谐激光的输出波段范围，通常可将其分为三类：深紫外到紫外波段(<400nm)、可见光到近红外波段(400nm
‑
2.5μm)、中远红外波段(2.5
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25μm)非线性光学晶体。
[0003]目前应用较为成熟的波段是紫外到近红外光区的非线性光学晶体，主要是各种氧化物晶体，比如在倍频(532nm)应用中常见的KDP(KH2PO4)、B本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种中远红外非线性光学晶体硫锗银，其特征在于，所述硫锗银的化学式为Ag2GeS3，相对分子量为384.51，晶体结构属于正交非中心对称空间群Cmc21，晶胞参数为：，晶胞参数为：Z＝4。2.一种如权利要求1所述的中远红外非线性光学晶体硫锗银的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)将银源、锗源和硫源混合，得到原料混合物；2)将所述的原料混合物放入干燥的石英管中，抽真空至真空度为10
‑2‑
10
‑3Pa后用氢氧焰对石英管进行封口；3)将步骤2)中焰封好的真空石英管置于马弗炉中进行固相反应，得到所述的中远红外非线性光学晶体硫锗银。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，步骤1)中，所述的银源为Ag单质或Ag2S；所述的锗源为Ge单质或GeS2；所述的硫源为S单质、Ag2S或者GeS
2。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，步骤1)中，按照原子比为1.8
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2.3:1...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗中箴，郭卫平，邹志刚，
申请(专利权)人：闽都创新实验室，
类型：发明
国别省市：