水热合成片状氧化锆的制备方法技术

本发明专利技术提供一种水热合成片状氧化锆的制备方法，属于高温结构材料制备技术领域。其特征在于：在搅拌条件下，将０．０５～１ｍｏｌ／Ｌ硼氢化钠溶液滴入１００ｍｌ的０．０５～１ｍｏｌ／Ｌ氧氯化锆溶液中，直至不再生成白色沉淀为止，将沉淀用蒸馏水洗涤数次，直至洗液显中性为止，然后将沉淀加到５０～１００ｍｌ的０．１～１ｍｏｌ／Ｌ碳酸钠溶液中搅拌均匀，再转移至高压釜内，在１２０～３００℃保温约５～１２０ｈ后，烘干得到的粉体，５００～１０００℃煅烧２ｈ，即得片状氧化锆粉体。本发明专利技术工艺简单，操作安全，成本低，不造成污染，合成的细粒晶体宽度大。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术提供一种，属于无机材料合成领域。
技术介绍
二氧化锆是一种耐高温、耐磨损、耐腐蚀的无机非金属材料，除应用于传统耐火材料和陶瓷颜料外，其在电子陶瓷、功能陶瓷和结构陶瓷等高科技领域亦有广泛的应用。陶瓷的性能与所用粉体的形貌有关，如在复合陶瓷的制备中由纤维状粉体代替颗粒状粉体可使制得的陶瓷材料的强度增大；在制备单相陶瓷时如使用球形粉体可使制得的陶瓷材料的密度增大；片状粉体可使制得的陶瓷抗热震性能显著提高。专利CN1008997B "片状氧化锆型细粒晶体的生产方法"，采用酸性水溶液来制备含S04离子的片状氧化锆细粒晶体，然后在110 35(TC的温度下水热处理制备出四方或立方氧化锆，70(TC煅烧仍为四方或立方氧化锆，其片状细粒晶体的厚度7nm，沿层面平行方向的尺寸约为100nm ;而在高于600°C的温度下，通过脱硫分解形成单斜氧化锆.缺点是水热合成的晶体类型为四方或立方，没有生成高纯的单斜相晶体；生成晶体平行方向的尺寸小；反应是在硫酸溶液中进行，成本高，操作危险，对环境造成污染。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种能克服上述缺陷、细粒晶体宽度大、工艺简单、操作安全、成本低本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种水热合成片状氧化锆的制备方法，其特征在于：在搅拌条件下，将０．０５～１ｍｏｌ／Ｌ硼氢化钠溶液滴入１００ｍｌ的０．０５～１ｍｏｌ／Ｌ氧氯化锆溶液中，直至不再生成白色沉淀为止，将沉淀用蒸馏水洗涤数次，直至洗液显中性为止，然后将沉淀加到５０～１００ｍｌ的０．１～１ｍｏｌ／Ｌ碳酸钠溶液中搅拌均匀，再转移至高压釜内，在１２０～３００℃保温约５～１２０ｈ后，烘干得到的粉体，５００～１０００℃煅烧２ｈ，即得片状氧化锆粉体。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：魏春城，冯柳，陈志伟，田贵山，孟凡涛，
申请(专利权)人：山东理工大学，
类型：发明
国别省市：37[中国|山东]