真空处理设备和真空处理方法技术

本发明专利技术涉及真空处理设备和真空处理方法，用于执行等离子体法，在真空室（１）中进行处理，真空室内设有用于产生低压弧光放电（１５）（ＮＶＢＥ）的、包括阴极（１０）和可通过电弧发生器与阴极电连接的阳极（１３）的装置、可与偏压发生器（１６）电连接且用于容放和移动工件（２）的工件支架（７）、以及至少一个用于惰性气体和／或反应气体的供应管路（８），其中，阳极表面的至少一部分由石墨制成并且在高温下工作。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于工件的等离子体处理的、根据权利要求1的前序部分的真空处理设备、以及根据权利要求24的前序部分的真空处理方法。
技术介绍
在真空处理方法下，目前用于涂覆、加热和蚀刻不同工件如工具或在设备和发动机构造领域内的零部件的等离子体辅助方法占有相当大的席位。通常，此时在真空涂覆方法之前接以加热和/或蚀刻作业，其针对特殊的用途如预洁净化、表面活化或除膜层被采用，也可以单独采用。 尽管上述方法广泛流传，但如果要在一个方法步骤中将绝缘衬层和/或弱导电层或绝缘膜沉积在电极面上，则目前也很难或费事地推行这种方法。该膜层例如可以通过表面效应或再溅射效应在加热和蚀刻作业中但尤其在用于将弱导电层或绝缘膜沉积于电极面的真空涂覆方法中形成。这种弱导电层或绝缘膜的例子是陶瓷层或金属陶瓷膜，如下详细所述。 类DLC膜层的地位特殊，以下是指例如在VDI2840的表1的栏"2非结晶碳层"中描述的层。根据沉积方法的不同，它们可以或多或少导电地或甚至绝缘地形成。 有各种不同的方法将碳层或含碳层沉积到工具和构件上。通常，人们按照以下条件划分真空制造方法，成膜成分是否通过气体被加入真空处理系统中并随后在等离子体本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于执行等离子体法的真空处理设备，其中处理设备包括至少一个真空室，真空室中设有用于产生低压弧光放电（ＮＶＢＥ）的、包括阴极和可通过电弧发生器与阴极电连接的阳极的装置、可与偏压发生器电连接且容放和移动工件的工件支架、以及至少一个用于惰性气体和／或反应气体的供应管路，其特征是，阳极表面的至少一部分由石墨制成。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：J拉姆，B威德里格，S卡塞曼，MD皮门塔，O马斯勒，B汉塞尔曼，
申请(专利权)人：奥尔利康贸易股份公司特吕巴赫，
类型：发明
国别省市：CH[瑞士]