真空处理设备制造技术

真空处理设备(100),可以包括：室壳体(102)，具有在室壳体(102)上侧中的开口(111)，用于容纳室盖(104)；室盖(104)，用于盖住室壳体(102)的开口(111)；在室壳体(102)上的第一前级真空供应结构(108a)；在室盖(104)上的第二前级真空供应结构(108b)，其中第一前级真空供应结构(108a)和第二前级真空供应结构(108b)这样地设置，即它们在室盖(104)关闭时自动地真空密封地相互偶联。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种真空处理设备。
技术介绍
通常，可使用真空处理设备，来处理基体，例如板形基体、玻璃板、晶片或其他载体，例如真空处理设备可设置成为真空涂层设备，用于在真空处理设备中涂层基体。在此，真空处理设备可具有多个室、部(隔间)或处理腔，以及具有运送系统，用于将待涂层的基体运送通过真空处理设备。真空处理设备的不同的室可借助于所谓的室壁或隔壁相互分开，例如对于水平连续涂层设备(串联-设备)来说借助于竖直室壁或竖直隔壁。在此，每个室壁(或分隔壁)可以下述方式具有基体-转运-开口(基体-转运-缝隙)，S卩，基体可被运送通过室壁，例如从真空处理设备的第一室进入真空处理设备的第二室。
技术实现思路
根据不同的实施方式，可借助于室壳体提供室(隔室)，或可以在共同的室壳体中提供多个室(隔间)，其中室壳体例如可以具有多个室壁，其限制所述一个室或限制所述多个室并相互分开。真空处理设备的室壳体例如可以是真空室的组成部分(主体)，例如是闸门室、缓冲室、转运室或处理室(例如涂层室)的组成部分(主体)。在此，真空室的各功能或驱动类型可根据与室壳体一起使用的室盖而限定。例如，具有一室盖的室壳体可被本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种真空处理设备(100)，其包括：室壳体(102)，具有在室壳体(102)上侧中的开口(111)，用于容纳室盖(104)；室盖(104)，用于盖住室壳体(102)的开口(111)；在室壳体(102)上的第一前级真空供应结构(108a)；在室盖(104)上的第二前级真空供应结构(108b)，其中第一前级真空供应结构(108a)和第二前级真空供应结构(108b)这样地设置，即它们在室盖(104)关闭时自动地真空密封地相互偶联。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：约亨·克劳瑟，
申请(专利权)人：冯·阿登纳有限公司，
类型：新型
国别省市：德国;DE