半导体器件制造技术

一种半导体器件包括：衬底，包括第一存储单元、在第一方向上与第一存储单元相邻的第二存储单元、以及在第二方向上与第一存储单元和第二存储单元相邻的比较器电路；真位线和互补位线，与第一存储单元和第二存储单元电连接并且从衬底上的第一布线层在第一方向上延伸；第一电源布线，位于第一布线层上，在真位线与互补位线之间在第一方向上延伸，并且与第一存储单元和第二存储单元电连接；第一字线和第二字线，从衬底上的第二布线层在第二方向上延伸；第一字线焊盘，位于第一布线层上，并且将第一存储单元与第一字线电连接；第二字线焊盘，位于第一布线层上，并且将第二存储单元与第二字线电连接；以及第一接地焊盘，位于第一布线层上。上。上。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年12月2日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10
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2021
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0170630的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用整体地并入本文。


[0003]本公开的示例实施例涉及半导体器件。

技术介绍

[0004]内容可寻址存储器可以是在涉及极高速度的搜索应用中使用的特殊存储器。内容可寻址存储器可以缩写为CAM，也可以称为关联存储器。
[0005]与当用户提供相应地址时可以返回存储在存储地址的数据的RAM不同，在CAM中，当用户提供搜索项时，CAM可以搜索其整个存储空间，并且可以连同与搜索项相关的数据一起返回其中存在相应搜索项的地址。
[0006]CAM单元可以基本上包括负责存储的SRAM和负责比较的CAM端口，它们可以形成CAM单元，并且通常可以有NOR型CAM和NAND型CAM。
[0007]NOR型存储器可以被相对广泛地使用，因为NOR型存储器比NAND型存储器更快，10T(10晶体管)本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：衬底，所述衬底包括第一存储单元、在第一方向上与所述第一存储单元相邻的第二存储单元、以及在与所述第一方向相交的第二方向上与所述第一存储单元和所述第二存储单元相邻的比较器电路；真位线和互补位线，所述真位线和所述互补位线与所述第一存储单元和所述第二存储单元电连接，并且从所述衬底上的第一布线层在所述第一方向上延伸；第一电源布线，所述第一电源布线位于所述第一布线层上，在所述真位线与所述互补位线之间在所述第一方向上延伸，并且与所述第一存储单元和所述第二存储单元电连接；第一字线和第二字线，所述第一字线和所述第二字线从所述衬底上的与所述第一布线层不同的第二布线层在所述第二方向上延伸；第一字线焊盘，所述第一字线焊盘位于所述第一布线层上，并且将所述第一存储单元与所述第一字线电连接；第二字线焊盘，所述第二字线焊盘位于所述第一布线层上，并且将所述第二存储单元与所述第二字线电连接；以及第一接地焊盘，所述第一接地焊盘位于所述第一布线层上，与所述第一存储单元和所述第二存储单元电连接，并且在所述第二方向上处于与一个所述第一字线焊盘和一个所述第二字线焊盘相同的位置。2.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：第一接地布线，所述第一接地布线位于所述第一布线层上，并且与所述比较器电路和外部接地电连接；以及第二接地布线，所述第二接地布线位于所述第二布线层上，并且将所述第一接地焊盘与所述第一接地布线电连接。3.根据权利要求2所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：真搜索线和互补搜索线，所述真搜索线和所述互补搜索线从所述第一布线层在所述第一方向上延伸，并且与所述比较器电路电连接，其中，所述第一接地布线在所述真搜索线与所述互补搜索线之间在所述第一方向上延伸。4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第二接地布线在所述第一字线与所述第二字线之间在所述第二方向上延伸。5.根据权利要求2所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：第一匹配线，所述第一匹配线从所述第二布线层在所述第二方向上延伸；以及匹配线焊盘，所述匹配线焊盘位于所述第一布线层上，并且将所述第一匹配线与所述比较器电路电连接，其中，所述第二接地布线在所述第二方向上延伸，并且在所述第一方向上处于与所述第一匹配线相同的位置。6.根据权利要求5所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：第二匹配线，所述第二匹配线在所述第二方向上延伸到所述衬底上的与所述第一布线层和所述第二布线层不同的第三布线层，所述第二匹配线和所述第一匹配线被配置为传输相同的信号；以及
第三接地布线，所述第三接地布线在所述第二方向上延伸到所述第三布线层，所述第三接地布线和所述第二接地布线被配置为传输相同的信号，其中，所述第一匹配线和所述第二匹配线在垂直于所述衬底的第三方向上彼此交叠，并且所述第二接地布线和所述第三接地布线在所述第三方向上彼此交叠。7.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：第一接地布线，所述第一接地布线从所述第一布线层在所述第一方向上延伸，并且与所述比较器电路和外部接地电连接；真搜索线和互补搜索线，所述真搜索线和所述互补搜索线从所述第一布线层在所述第一方向上延伸，并且与所述比较器电路电连接；以及匹配线焊盘，所述匹配线焊盘位于所述第一布线层上并且与所述比较器电路电连接，其中，所述真搜索线和所述互补搜索线位于所述第一接地布线与所述匹配线焊盘之间。8.根据权利要求7所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：第二接地布线，所述第二接地布线从所述第二布线层在所述第二方向上延伸，并且与所述第一接地布线电连接；以及匹配线，所述匹配线从所述第二布线层在所述第二方向上延伸，并且与所述匹配线焊盘电连接，其中，所述第二接地布线和所述匹配线在所述第一方向上处于相同的位置。9.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：第一匹配线，所述第一匹配线从所述第二布线层在所述第二方向上延伸；匹配线焊盘，所述匹配线焊盘位于所述第一布线层上，并且将所述第一匹配线与所述比较器电路电连接；以及第二接地焊盘，所述第二接地焊盘位于所述第一布线层上，与所述比较器电路电连接，并且在所述第二方向上处于与所述匹配线焊盘相同的位置。10.根据权利要求9所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：第四接地布线，所述第四接地布线位于所述衬底上的与所述第一布线层和所述第二布线层不同的第三布线层上，并且与外部接地电连接；以及第五接地布线，所述第五接地布线位于所述第二布线层上，并且将所述第一接地焊盘和所述第二接地焊盘中的每一者与所述第四接地布线电连接。11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述第四接地布线在垂直于所述衬底的第三方向上与所述第一电源布线交叠。12.根据权利要求9所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：主搜索线和互补搜索线，所述主搜索线和所述互补搜索线从所述第一布线层在所述第一方向上延伸，并且与所述比较器电路电连接，其中，所述主搜索线和所述互补搜索线在所述第二方向上彼此相邻。13.一种半导体器件，包括：衬底，所述衬底包括存储区域和比较区域；第一有源区至第四有源区，所述第一有源区至所述第四有源区从所述存储区域在第一方向上延伸，并且在与所述第一方向相交的第二方向上彼此间隔开；
第五有源区，所述第五有源区位于所述比较区域中，在所述第二方向上与所述第四有源区间隔开，并且在所述第一方向上延伸；第一栅极结构和第四栅极结构，所述第一栅极结构和所述第四栅极结构在所述第二方向上延伸，并且与所述第一有源区至所述第四有源区相交；第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔圭源，尹锡，李灿昊，金兑衡，白尚叶，李仁学，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：