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一种半导体器件包括：衬底，包括第一存储单元、在第一方向上与第一存储单元相邻的第二存储单元、以及在第二方向上与第一存储单元和第二存储单元相邻的比较器电路；真位线和互补位线，与第一存储单元和第二存储单元电连接并且从衬底上的第一布线层在第一方向上...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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