表面等离子体光刻掩膜图形优化方法、装置、系统和介质制造方法及图纸

本申请提供一种表面等离子体光刻掩膜图形优化方法、装置、系统和介质，训练集包括：历史目标光刻胶图形的特征尺寸和历史实际光刻胶图形的特征尺寸；利用训练集学习历史目标光刻胶图形的特征尺寸和历史实际光刻胶图形的特征尺寸之间的映射关系；将当前目标光刻胶图形的特征尺寸输入预先训练的神经网络模型，输出当前仿真光刻胶图形的特征尺寸；计算当前目标光刻胶图形的特征尺寸和当前仿真光刻胶图形的特征尺寸之间的第一误差值；利用多元优化算法确定当前掩膜图形的优化步长；根据当前目标光刻胶图形的特征尺寸和当前掩膜图形的优化步长，得到优化后掩膜图形的特征尺寸。神经网络模型可对光刻掩膜图形进行快速优化，以高效的方式降低了图形误差。效的方式降低了图形误差。效的方式降低了图形误差。

【技术实现步骤摘要】
表面等离子体光刻掩膜图形优化方法、装置、系统和介质


[0001]本申请涉及半导体
，特别涉及一种表面等离子体光刻掩膜图形优化方法、装置、系统和介质。

技术介绍

[0002]光刻技术是集成电路制造的一个关键技术，其核心目的是将设计的图形转移到硅片上以及各层材料上。
[0003]当前主流光刻技术是依靠光源照射到掩模(掩模上有需要转移的电路图形)通过投影系统，将图像投射到光刻胶上，然后光刻胶发生光化学反应，再经过烘烤和显影清洗等步骤，从而形成光刻胶图形。
[0004]整个集成电路制造工艺所能达到的最小尺寸就是由光刻技术决定的。在当前使用的光刻技术中，受光学衍射极限的约束，传统光刻的分辨力只能达到半个波长水平。比如，使用248nm波长的光刻机，通常用于周期大于260nm的图形的曝光。
[0005]随着近场光学的发展，以表面等离子体(surface plasmons,SPs)为代表的突破衍射极限的方法开始逐步实现。基于表面等离子体的光刻技术其结构和传统的投影式光刻有所不同，不需要使用复杂的镜头，代替的是各种膜层结构。利用表面本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种表面等离子体光刻掩膜图形优化方法，其特征在于，包括：获取当前目标光刻胶图形的特征尺寸；获取初始神经网络模型的训练集，所述训练集包括：历史目标光刻胶图形的特征尺寸和历史实际光刻胶图形的特征尺寸；利用所述训练集学习所述历史目标光刻胶图形的特征尺寸和所述历史实际光刻胶图形的特征尺寸之间的映射关系；根据所述映射关系确定所述初始神经网络模型的模型参数，以得到预先训练的神经网络模型；将所述当前目标光刻胶图形的特征尺寸输入所述预先训练的神经网络模型，所述预先训练的神经网络模型输出当前仿真光刻胶图形的特征尺寸；计算所述当前目标光刻胶图形的特征尺寸和所述当前仿真光刻胶图形的特征尺寸之间的第一误差值；根据所述第一误差值，利用多元优化算法确定当前掩膜图形的优化步长；根据所述当前目标光刻胶图形的特征尺寸和所述当前掩膜图形的优化步长，计算得到优化后掩膜图形的特征尺寸。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：将所述优化后掩膜图形的特征尺寸输入所述预先训练的神经网络模型，所述预先训练的神经网络模型输出优化后仿真光刻胶图形的特征尺寸；计算所述优化后掩膜图形的特征尺寸和所述优化后仿真光刻胶图形的特征尺寸之间的第二误差值；比较所述第一误差值和所述第二误差值的大小；当所述第二误差值较小时，则根据所述第二误差值，利用多元优化算法确定所述优化后掩膜图形的再优化步长；根据所述优化后掩膜图形的特征尺寸和所述优化后掩膜图形的再优化步长，计算得到再优化后掩膜图形的特征尺寸。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述计算所述当前目标光刻胶图形的特征尺寸和所述当前仿真光刻胶图形的特征尺寸之间的第一误差值，包括：cost＝error
12
+error
22
+
……
+error
n2
；所述cost为所述第一误差值；所述error1、error2……
error
n
为所述当前目标光刻胶图形中的各个图形的特征尺寸，和，所述当前仿真光刻胶图形中的各个图形的特征尺寸之间的差值；所述n为正整数。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：根据光学直径对初始版图进行切割以得到所述当前目标光刻胶图形。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述历史目标光刻胶图形呈中心对称和轴对称分布。6.一种表面等离子体光刻掩膜图形优化装置，其特征在于，包括：获取单元，用于获取当前目标光刻胶图形的特征尺寸；训练集单元，用于获取初始神经网络模型的训练集，所述训练集包括：历史目标光刻胶图形的特征尺寸和历史实际光...

【专利技术属性】
技术研发人员：马乐，韦亚一，张利斌，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：