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本申请提供一种表面等离子体光刻掩膜图形优化方法、装置、系统和介质，训练集包括：历史目标光刻胶图形的特征尺寸和历史实际光刻胶图形的特征尺寸；利用训练集学习历史目标光刻胶图形的特征尺寸和历史实际光刻胶图形的特征尺寸之间的映射关系；将当前目标光刻...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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